Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Przyszłością pamięci FRAM jest zwiększenie gęstości

ghost666 04 Kwi 2020 13:37 384 0
  • Przyszłością pamięci FRAM jest zwiększenie gęstości
    Znaczna część ostatnio pojawiających się rozmów o pamięci dotyczy ReRAM, MRAM i PCRAM w postaci 3D Xpoint. Ale ferroelektryczna pamięć RAM (FRAM) odniosła wiele sukcesów i chętnie wykorzystywana była w małych, niszowych systemach.

    Zeszłoroczny raport, Emerging Memories Ramp Up, autorstwa Jima Handiego z Objective Analysis i Thomasa Coughlina z Coughlin Associates, wskazywał ReRAM, MRAM i PCRAM jako trzy kluczowe technologie pamięci, ale zauważał również, że pamięć FRAM sprawdziła się na określonych rynkach, takich jak elektroniczne bilety miesięczne, systemy do gier i mierniki zużycia energii elektrycznej. Główną jej zaletą jest niskie zużycie energii podczas wykonywania operacji zapisu. "Od dawna istnieją produkty FRAM" mówi Coughlin; przede wszystkim jako specjalistyczna pamięć podręczna do aplikacji buforujących. Istnieją nawet elastyczne urządzenia FRAM "ale mają stosunkowo małą gęstość i stosowane są tylko w zastosowaniach niszowych" dodaje analityk.

    FRAM na rynku istnieje od 35 lat. Ta nieulotna pamięć o niskim poborze mocy nadal cieszy się zainteresowaniem, ponieważ jest to pamięć, która ma kluczowe znaczenie w wielu aplikacjach. "Ogólnie FRAM jest bardzo atrakcyjny ze względu na niską energię przełączania" mówi Milan Pesic, menedżer ds. Nowych pamięci i urządzeń w Applied Materials. Ale pamięć ma też pewne wady, w tym wysokie koszty wytwarzania i duże rozmiary komórki pamięci. Konieczne jest poprawienie skalowalności, aby FRAM wyszedł poza zastosowania niszowe o małej gęstości.

    To co może pozwolić FRAM na skuteczne skalowanie, to zastosowanie tlenku hafnu, który jest często wykorzystywany do produkcji wysoko dielektrycznych warstw w standardowych procesach logicznych CMOS, wskazuje Coughlin. "To spowodowało większe zainteresowanie pamięcią ferroelektryczną". Jednak FRAM wciąż stoi w obliczu podobnych wyzwań jak MRAM i ReRAM, w tym jest ograniczony przez rozmiar tranzystora.

    Jedną firmą, która chce przezwyciężyć ograniczenia FRAM, jest Ferroelectric Memory Company (FMC) z Drezna w Niemczech. Firma bazuje na badaniach nad tlenkiem hafnu opublikowanych przez NAMLABS w 2011 roku przez Stefana Müllera, obecnie COT spółki. CEO firmy - Ali Pourkeramati - powiedział, że firma już licencjonowała pamięć FeFET dla GlobalFoundries, a technologia FeFET 2.0 jest opracowywana we współpracy z inną firmą produkcyjną o nieujawnionej jeszcze nazwie.

    "Tlenek hafnu może działać jako izolator bramkowy dla prawie wszystkich węzłów procesowych (...) można wziąć standardowy tranzystor HKMG i zmodyfikować jego izolator bramki, aby stał się ferroelektryczny w celu utworzenia nieulotnego tranzystora HKMG - FeFET" mówił Pourkeramati. Jeśli chodzi o szybkość, to produktom firmy udało osiągnąć się czasy odczytu i zapisu równe, odpowiednio, 10 ns i 15 ns. Czas retencji w temperaturze 85°C wynosi 10 lat.

    Technologia ta jest skalowalna wraz z CMOS, wskazuje Pourkeramati. Ta skalowalność jest niezbędna do utrzymania niskich kosztów produkcji, w tym do zminimalizowania obszaru układu wykorzystywanego przez pamięć nieulotną. Przewiduje on, że technologia FeFET zaprezentuje dwu- lub trzywarstwowe układy w technologii 28 lub 22 nm. Obecnie FMC koncentruje się na rozwoju technologii i podniesieniu jej do poziomu, który jest akceptowalny jest na etapie produkcyjnym. Pesic z Applied Materials wskazuje, że istnieje możliwość integracji FeFET z istniejącymi procesami CMOS i przejście technologii do 3D, co jest kluczem do skalowalności.

    Źródło: https://www.eetimes.com/frams-future-is-higher-densities/

    Fajne! Ranking DIY
    Darmowe szkolenie: Ethernet w przemyśle dziś i jutro. Zarejestruj się za darmo.
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 9753 postów o ocenie 7931, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.