Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Dokąd zmierza rynek półprzewodników szerokoprzerwowych?

ghost666 19 Cze 2020 08:19 1176 0
  • Dokąd zmierza rynek półprzewodników szerokoprzerwowych?
    Energoelektronika zmieniła obecnie kierunek i przyjmuje urządzenia szerokoprzerwowe wykonane z azotku galu (GaN) i węglika krzemu (SiC). Podczas gdy krzem nadal dominuje na rynku elektroniki, pojawienie się urządzeń GaN i SiC powoduje pojawianie się rozwiązań o wyższej sprawności. Yole Développement szacuje, że do 2025 roku przychody sektora urządzeń SiC będą stanowiły ponad 10% rynku, zaś z urządzeń GaN będą stanowić ponad 2% rynku.

    Dostawcy urządzeń zasilających SiC to m.in. STMicroelectronics, Cree/Wolfspeed, Rohm, Infineon Technologies, ON Semiconductor i Mitsubishi Electric. W przypadku GaN Yole Développement identyfikuje Power Integrations i Infineon jako głównych graczy, a także innowacyjne startupy, takie jak Navitas Semiconductor, Efficient Power Conversion (EPC), GaN Systems i Transphorm.

    Optymalizacja kosztów doprowadziła wiele firm do opracowania nowych modeli biznesowych, pozwalających na dostawy niedrogich substratów SiC. W latach 2018-19 firmy takie jak STMicroelectronics, Infineon czy ON Semi podpisały wieloletnie umowy na dostawy podłóż SiC z wiodącymi producentami, takimi jak Cree i SiCrystal. W branży energetyki GaN, aby zająć miejsce na rynkach obwodów wysokiej mocy, zaczął pojawiać się w fabrykach dużych firm, takich jak Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), X-Fab czy Episil Technologies.

    Dokąd zmierza rynek półprzewodników szerokoprzerwowych?
    EE Times przeprowadził wywiad z dr Ezgi Dogmus (na zdjęciu po lewej), analityczką ds. rynku technologii w Yole Développement, aby dowiedzieć się więcej na temat rynków, na których GaN i SiC obecnie wygrywają.

    "Istnieją różne rodzaje komponentów GaN i różne rozwiązania technologiczne w zależności od zastosowania i zakresu mocy. Zwłaszcza na rynku motoryzacyjnym obserwujemy rozwój (...) niskonapięciowych (650 V) technologii GaN. Podczas gdy niskonapięciowy GaN jest ukierunkowany na przetwornicę DC-DC 48-12 V w niewielkich pojazdach hybrydowych, to GaN dla napięć do 650 V odpowiada na zapotrzebowanie ze strony ładowarek w samochodach w pełni elektrycznych" - mówi dr Dogmus.

    Wskazuje ona ponadto, że sektor motoryzacyjny jest i będzie głównym zastosowaniem również układów SiC. Zauważa, że układy GaN zaczęły w ostatnich czasach pojawiać się również w ładowarkach do laptopów i smartfonów, co wskazywać może, że rynek produktów konsumenckich będzie również napędzał sektor GaN. Jeśli chodzi o rozwój technologii SiC, firmy obecnie koncentrują się na poprawie jakości podłóż, szczególnie tych o większym rozmiarze. Rozwijane są również moduły mocy. W sektorze GaN, pracuje się głównie na integracji elementów mocy w systemie i układach scalonych.

    Dokąd zmierza rynek półprzewodników szerokoprzerwowych?
    "W naszym rozumieniu układy szerokoprzerwowe (...) osiągnęły już pewien sukces. (...) Zaczęły być stosowane w nowych segmentach rynku, takich jak szybkie ładowarki samochodowe i do smartfonów. Prawie wszyscy wiodący producenci krzemu dołączyli do rynku GaN lub SiC. Sterowniki dla tych elementów oferują wyższą sprawność urządzenia i systemu, mniejsze wymiary i niższy koszt systemu" - wskazuje Dogmus.

    Na dynamicznie rozwijającym się rynku SiC ostatnio główny nacisk położono na podłoża. Dr Dogmus wskazuje na duże zakupy: STMicroelectronics zakupił Norstel (137,5 milionów dolarów), Cree zainwestowało 1 miliard dolarów w produkcję substratów SiC, a także w celu zwiększenia wydajności sprzętu do produkcji w pełni kwalifikowanych substratów 8" dla sektora motoryzacyjnego. SK Siltron sfinalizowała przejęcie działu podłóż SiC od DuPont za 450 milionów dolarów etc.

    "Tymczasem w branży energii GaN (...) właśnie zaczęły pojawiać się inwestycje i oczekuje się, że będą kontynuowane w ciągu kilku następnych lat. Na przykład w pierwszym kwartale 2020 roku STMicroelectronics nabył większość udziałów we francuskim startupie GaN Exagan, aby skorzystać z wiedzy i doświadczenia spółki w zakresie rozwiązań GaN do aplikacji szybkiego ładowania" - mówi dr Dogmus.

    Technologia tych elementów cały czas się rozwija. Dotychczasowo dominowały na rynku SiC diody. Teraz analitycy spodziewają się coraz większej liczby tranzystorów MOSFET SiC i pełnowymiarowych modułów na rynku. "W ciągu ostatniej dekady portfolio produktów GaN znacznie się zmieniło. Dziś dyskretne HEMT GaN, HEMT ze zintegrowanymi sterownikami oraz monolityczne, zintegrowane rozwiązania GaN są wdrażane na rynkach od konsumenta do przemysłu" - mówi przedstawiciela Yole.

    Źródło: https://www.eetimes.com/where-is-the-wide-bandgap-semiconductors-market-going/

    Fajne! Ranking DIY
    Potrafisz napisać podobny artykuł? Wyślij do mnie a otrzymasz kartę SD 64GB.
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 9843 postów o ocenie 8059, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.