Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Elektroda.pl
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Nowy jednokanałowy sterownik SiC MOSFET i sterownik bramki IGBT

ghost666 28 Wrz 2020 09:59 348 0
  • Nowy jednokanałowy sterownik SiC MOSFET i sterownik bramki IGBT
    SIC1181KQ i SIC1182KQ to jednokanałowe sterowniki bramek dla tranzystorów SiC MOSFET. Wzmocnioną izolację galwaniczną zapewnia rewolucyjna technologia FluxLink firmy Power Integrations. Szczytowy prąd wyjściowy przemiennika o wartości do ±8 A pozwala produktowi sterować urządzeniami o prądach znamionowych do 600/800 A (typowo).

    Dodatkowe funkcje, takie jak blokada podnapięciowa (UVLO) po stronie pierwotnej i wtórnej oraz wyjście typu rail-to-rail z impedancją wyjściową kompensowaną temperaturowo i procesowo. Wszystko to gwarantują bezpieczną pracę nawet w trudnych warunkach.

    SIC118xKQ posiada również zabezpieczenie przeciwzwarciowe (w fazie włączania i wyłączania) oraz ograniczenie przepięcia poprzez zaawansowane aktywne ograniczenie napięcia (w fazie wyłączania) za pomocą pojedynczego pinu pomiarowego. W przypadku tranzystorów MOSFET z węglika krzemu (SiC) z terminalem prądowym można zrealizować regulowane wykrywanie przetężenia.

    Kluczowe korzyści ze stosowania nowego drivera

    * Szczytowy prąd wyjściowy bramki ±8 A
    * Zintegrowana technologia FluxLink zapewnia wzmocnioną izolację
    * SiC MOSFET zoptymalizowany do pracy z AAC
    * Ultraszybkie wykrywanie zwarć
    * Blokada podnapięciowa (UVLO) po stronie pierwotnej i wtórnej
    * Stabilizowane napięcie wyjściowe typu rail-to-rail
    * Jednobiegunowe napięcie zasilania po stronie wtórnej
    * Częstotliwość przełączania do 150 kHz
    * Jitter opóźnienia propagacji nie większy niż ±5 ns
    * Praca w szerokim zakresie temperatur od –40°C do 125°C
    * Wysoka odporność na stany przejściowe
    * Obudowa eSOP
    * Ochrona UVLO po stronie pierwotnej i wtórnej, w tym sprzężenie zwrotne błędu
    * Wykrywanie przetężenia dla tranzystorów SiC MOSFET z terminalem prądowym
    * Ultraszybkie monitorowanie, wyłączanie i raportowanie zwarć
    * AAC zapewnia ograniczenie przepięcia podczas wyłączania SiC MOSFET

    Układ kwalifikowany jest zgodnie z wieloma normami:

    * Wzmocniona izolacja w oczekiwaniu na certyfikację VDE V 0884-11
    * Certyfikat UL 1577
    * AEC Q-100 - zakwalifikowany do Automotive Grade Level 1
    * Bezhalogenowy i zgodny z RoHS


    Aplikacje

    * Napędy trakcyjne pojazdów elektrycznych BEV,
    * Hybrydowe napędy trakcyjne pojazdów elektrycznych PHEV.
    * Ładowarki pojazdów elektrycznych.

    Źródło: https://www.eeweb.com/single-channel-sic-mosfet-and-igbt-gate-driver-with-advanced-active-clamping-and-reinforced-isolation-for-automotive-applications/

    Fajne! Ranking DIY
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 10009 postów o ocenie 8268, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.