Tranzystory SiC w skrócie

Krótko o półprzewodnikach wykorzystujących SiC

Trzeba wziąć poprawkę na Uds 1200V im większe Uds tym większe Rds(on) natomiast dla SiC ten parametr jest lepszy w porównaniu z MOSFET z dużym Uds jednak nie bazujący na węgliku krzemu.

TechEkspert wrote:

SiC to także diody półprzewodnikowe o niższym napięciu przewodzenia

- 1,5V w diodzie Schottky to nie jest niskie napięcie przewodzenia, zaletą jest to, że w tej technologii ogóle można wykonać diodę Schottky na wysokie napięcia, a dioda Schottky ma nieporównywalnie lepsze parametry podczas wyłączania, w porównaniu z diodą pn.
Czyli nie napięcie przewodzenia odróżnia diodę SiC a szybkość wyłączania.

Tranzystory z SiC wymagają wyższych napięć bramki, od krzemowych.

SiC to materiał o szerokiej przerwie energetycznej (wide band gap) i po prostu napięcia przewodzenia diod z takiego materiału są większe, diod Shottky'ego to też dotyczy. Ale szybkie diody Si pn, na wysokie napięcia też mogą mieć blisko 1,5V przy nominalnym prądzie.

Diody na wyższe napięcia:

SiC schottky, 650V 20A Vf 1,55V:
https://www.vishay.com/docs/48719/ig20332449_siliconcarbideschottkydiodes.pdf

BY298 400V 2A Vf 1.3V:
https://www.tme.eu/Document/81468b54f8f2d776a70ccbd4657d21ec/BY296-BY299.pdf

20A, 600V 10A Vf 2.2V:
https://www.mouser.com/datasheet/2/149/FFPF20UP60DN-111556.pdf