Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

STMicroelectronics i GlobalFoundries zbudują 300-mm fabrykę w Crolles we Francji

ghost666 13 Aug 2022 09:31 447 1
  • STMicroelectronics i GlobalFoundries zbudują 300-mm fabrykę w Crolles we Francji
    Fabryka STMicroelectronics
    w Crolles we Francji.
    STMicroelectronics i GlobalFoundries podały oficjalną informację o podpisaniu protokołu ustaleń w sprawie budowy zakładu produkcji półprzewodników o średnicy 300 mm, który pomoże rozwinąć całkowicie wyczerpany ekosystem technologii krzemu na izolatorze (FD-SOI). Nowy obiekt będzie stanowił wielomiliardową inwestycję i ma stworzyć około 1000 nowych miejsc pracy.

    Wspólnie obsługiwana fabryka będzie wspierać technikę procesową 22FDX FD-SOI GlobalFoundries i mapę rozwoju technologii STMicroelectronics do 18 nm dla aplikacji motoryzacyjnych, przemysłowych, IoT i infrastruktury komunikacyjnej, jak podały firmy. Zakład, który będzie sąsiadował z już istniejącym dla podłóż 300 mm, jaki obsługuje STMicroelectronics w Crolles we Francji, ma osiągnąć pełną wydajność do 2026 roku, uzyskując produkcję na poziomie 620 000 chipów rocznie. Podział wytwórczy będzie stanowił około 42% dla STMicroelectronics i 58% w przypadku GlobalFoundries.

    „Nowy zakład produkcyjny wesprze nasze ambicje dotyczące osiągnięcia przychodów o wartości ponad 20 miliardów dolarów” — powiedział Jean-Marc Chéry, prezes i dyrektor generalny STMicroelectronics, na konferencji prasowej, która odbyła się 11 lipca. Przechodząc do mocnych stron kooperacji, Chéry wskazał: „Od wielu lat współpracujemy z GlobalFoundries. Silnie promujemy ekosystem FD-SOI, a robiąc to razem, uzyskamy większą skalę i osiągniemy więcej i szybciej niż wszyscy w Europie”. Thomas Caulfield, dyrektor generalny GlobalFoundries, potwierdził te obserwacje. „Powszechnie wierzymy w platformę FD-SOI. Jesteśmy partnerami od dłuższego czasu, a wspólne tworzenie zdolności do obsługi rynków i klientów, którym oboje służymy, w naturalny sposób się zazębiało”.

    Odmawiając podania dokładnej kwoty, partnerzy wskazali, że projekt będzie inwestycją i ma sięgać wielu miliardów euro, a także otrzyma: „znaczące” wsparcie finansowe od państwa francuskiego. Serwisy medialne: „Le Monde” i: „Le Figaro” z tego kraju mówią o szacunkowej inwestycji na poziomie 5,7 miliarda euro. Projekt czeka jeszcze na podpisanie ostatecznych umów i różnych zatwierdzeń regulacyjnych, w tym od Dyrekcji Generalnej ds. Konkurencji Komisji Europejskiej, a także na zakończenie konsultacji z francuską Radą Zakładową STMicroelectronics.



    Współpraca badawcza w zakresie FD-SOI

    Na konferencji prasowej Caulfield wymienił główne zalety technologii FD-SOI. „Właściwa architektura FD-SOI zapewnia mniejsze zużycie energii oraz strat mocy w stanie wyłączonym lub w trybie bezczynności, gdy urządzenia są włączone. FD-SOI oferuje niższą pojemność bramki i mniejszy prąd upływu. Charakteryzuje się odpornością na zatrzaskiwanie i niższym poziomem szumów oraz wyższymi wzmocnieniami w porównaniu z popularnymi rozwiązaniami [np. technologia CMOS — przyp.red.]. Technika FD-SOI jest też odporna na promieniowanie, co oznacza wysoką odporność na błędy radiacyjne, zapewniając dodatkową niezawodność wysokowydajnym platformom typu system-on-chip, a w szczególności tym o znaczeniu krytycznym i aplikacjom kosmicznym. Dodatkowo FD-SOI radykalnie poprawia wydajność pamięci SRAM, ponownie działając przy niskim napięciu i wycieku” — wskazał.

    FD-SOI ma swoje korzenie w regionie Grenoble we Francji i od ponad 20 lat jest kluczowym obszarem badań i rozwoju w CEA-Leti. Tymczasem w kwietniu, CEA-Leti, STMicroelectronics, Soitec i GlobalFoundries ogłosiły współpracę w celu zdefiniowania planów stworzenia nowej generacji technologii FD-SOI. A więc zapewnienia wyższej wydajności, mniejszego zużycia energii i niższych kosztów w ramach zaspokojenia potrzeb głównych rynków europejskich, takich jak motoryzacja, IoT, 5G/6G i Przemysł 4.0.

    Caulfield powiedział, że nowy obiekt przyczyni się do realizacji ambicji Europejskiej Ustawy o Chipach, aby osiągnąć 20% światowej produkcji półprzewodników do 2030 r. „Poprawia również europejski ekosystem platformy FD-SOI, od badań i rozwoju po produkcję. Robimy to wraz z istniejącą współpracą badawczo-rozwojową między ST, GlobalFoundries, CEA-Leti i Soitec, opracowując plany postępu dla FD-SOI nowej generacji”. Na konferencji prasowej w czerwcu zapytany o współpracę badawczą w zakresie technologii FD-SOI, dyrektor generalny Soitec, Paula Boudre skomentował: „Utworzyliśmy wspólne zespoły, laboratorium i czyste pomieszczenia [tzw. clean-roomy — przyp.red.]. Posiadamy fenomenalny zasób wiedzy. GlobalFoundries nie myli się, jeśli chodzi o współpracę z ST i nami w celu rozwijania technologii na istniejących platformach. Dziś takie samo wyzwanie stoi przed naszym partnerem Leti. Pracujemy razem nad jednakimi zobowiązaniami względem klientów. Dział badawczo-rozwojowy jest dostosowany do ewolucji produktu z określonym czasem wprowadzenia go dla klienta na rynek”.

    Źródło: https://www.eetimes.eu/stmicroelectronics-globalfoundries-to-build-300-mm-fab-in-crolles/

    Cool? Ranking DIY
    About Author
    ghost666
    Translator, editor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 wrote 11277 posts with rating 9527, helped 157 times. Live in city Warszawa. Been with us since 2003 year.
  • #2
    ppc
    Level 17  
    Quote:
    który pomoże rozwinąć całkowicie wyczerpany ekosystem technologii krzemu na izolatorze (FD-SOI)


    Matko Bosko i to fizyk z wykształcenia tak przetłumaczył...

    Chodzi o technologię w pełni zubożonego krzemu na izolatorze (dielektryku) (FD-SOI, fully depleted silicon on insulator), a nie całkowicie wyczerpany ekosystem krzemu na izolatorze.