Sterownik bramki do falowników EV z wysokim napięciem izolacji

Układ scalony sterownika bramki Renesas RAJ2930004AGM steruje tranzystorami IGBT 1200 V i MOSFET SiC do falowników pojazdów elektrycznych (EV), zapewniając jednocześnie izolację do 3,75 kVRMS. Ponadto całość gwarantuje wysoką niepodatność na stany przejściowe w trybie wspólnym (CMTI) na poziomie 150 V/ns lub wyższym.

Umieszczony w małej obudowie SOIC16, sterownik RAJ2930004AGM oferuje niezawodną komunikację i zwiększoną odporność na zakłócenia, jednocześnie obsługując duże napięcia i prędkości przełączania wymagane w systemach inwerterowych. Zapewnia szczytowy prąd wyjściowy (jako źródło lub ujście) równy 10 A. Wbudowane funkcje ochrony i wykrywania usterek obejmują aktywny układ Millera, łagodne wyłączanie, zabezpieczenie nadprądowe, blokadę podnapięciową i informację zwrotną o błędzie.

Aby pomóc programistom we wprowadzaniu ich produktów na rynek, Renesas oferuje zestaw inwertera xEV, który łączy chipy sterownika bramki z mikrokontrolerami, tranzystorami IGBT i układami scalonymi zarządzania energią. Firma zamierza wydać wersję zawierającą nowy sterownik bramki RAJ2930004AGM w pierwszej połowie 2023 roku. Próbki są już dostępne, a masowa produkcja zaplanowana jest na pierwszy kwartał 2024 roku.

Źródło: https://www.edn.com/gate-driver-for-ev-inverters-boasts-high-isolation-voltage/