Infineon Technologies przejmuje GaN Systems

Planowane przejęcie GaN Systems znacznie przyspieszy realizację zamysłów dotyczących azotku galu (GaN) firmy Infineon, jeszcze bardziej umacniając daną markę na pozycji lidera w dziedzinie systemów zasilania. Oba wspomniane przedsiębiorstwa podpisały ostateczną umowę, na mocy której Infineon wcieli w swoje szeregi GaN Systems za 830 mln dolarów. Ten drugi podmiot jest światowym liderem w opracowywaniu rozwiązań opartych na GaN, dedykowanych do przetwarzania energii elektrycznej. Marka ma swoją siedzibę w Ottawie w Kanadzie i zatrudnia ponad 200 pracowników.

Plany postępu w zakresie podzespołów z GaN firmy Infineon mają być teraz realizowane szybciej. Wynika to z faktu, że GaN Systems dysponuje zasobami badawczo-rozwojowymi, szerokim zrozumieniem aplikacji i szeregiem projektów klientów, których nie posiada żadne inne przedsiębiorstwo. Jego obecność w ramach struktur Infineona wzmocni również pozycję spółki jako lidera systemów zasilania, pomagając opanować wszystkie istotne technologie, takie jak krzem, węglik krzemu (SiC) i azotek galu (GaN). GaN zapewnia klientom wartość jako materiał o szerokim paśmie wzbronionym poprzez zwiększenie gęstości mocy, sprawności i zmniejszenie rozmiaru, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. GaN dobrze nadaje się do różnych zastosowań wobec tych właściwości, które umożliwiają redukcję zużycia energii i niewielkie gabaryty, dzięki ograniczonej emisji ciepła z układu.

Analitycy branżowi przewidują, że do 2027 roku dochody z układów z GaN do użytku w systemach zasilania wzrosną o 56% CAGR do pułapu prawie 2 miliardów dolarów (tak podaje raport Yole: „Compound Semiconductor Market Monitor-Module I Q4 2022”). W rezultacie GaN ma szybko wyprzedzić krzem i węglik krzemu jako znaczący materiał na półprzewodniki mocy, zwłaszcza w połączeniu z najnowocześniejszymi topologiami, takimi jak hybrydowe przetwornice flyback czy implementacje wielopoziomowe.

Infineon poinformował, że w lutym 2022 roku podwoił własne możliwości w zakresie elementów wykonanych z półprzewodników o szerokim paśmie wzbronionym, wydając ponad 2 miliardy euro na budowę nowej fabryki frontendów w Kulim w Malezji, wzmacniając swoją pozycję na rynku. Pierwsze płytki zostaną wyprodukowane w tym zakładzie w drugiej połowie 2024 roku. Ma to zwiększyć zdolność marki do wytwarzania półprzewodników o szerokim paśmie wzbronionym w fabryce w Villach w Austrii. Przewidywane przejęcie GaN Systems w formie transakcji gotówkowej zostanie sfinansowane z już dostępnych środków. Zatwierdzenia regulacyjne są jednym ze standardowych kryteriów zamknięcia ww. kwestii i na moment pisania tego artykułu nie zostały jeszcze uzyskane.

Źródło: https://www.powerelectronicsnews.com/infineon-technologies-to-acquire-gan-systems/