Dobór rezystorów dla klucza tranzystorowego z tranzystorem Darlingtona TIP147T i Arduino

acctr napisał:

Ale tranzystor Darlingtona tutaj nie jest dobrym rozwiązaniem, bo ma całkiem spore napięcie nasycenia, ponad 1 V. Tutaj wystarczy zwykły tranzystor złączowy bipolarny albo MOSFET.

acctr napisał:

Tutaj wystarczy zwykły tranzystor złączowy albo MOSFET.

acctr napisał:

Jeżeli to ma być prąd maks. 1 A, to wystarczy BD136. Dla prądu bazy 100 mA Usat wyniesie jakieś 250 mV, dla 50 mA to będzie 0,5 V.

acctr napisał:

Z karty katalogowej tego tranzystora:

acctr napisał:

Jest, ale trochę inaczej podane

MikolajMis napisał:

Nie spodziewałem się tylko, że wzmocnienie prądowe będzie aż tak niskie dla takiego prądu.

MikolajMis napisał:

Rozumiem!
Nie spodziewałem się tylko, że wzmocnienie prądowe będzie aż tak niskie dla takiego prądu.
W takim razie, żeby ustawić prąd bazy 100 mA

MikolajMis napisał:

MikolajMis napisał:

Tranzystor PNP zamyka się w momencie, kiedy bazę zwieramy do masy

MikolajMis napisał:

W takim razie szukać innego tranzystora bipolarnego, który nie będzie potrzebował tak dużego prądu bazy

MikolajMis napisał:

Bo w dokumentacji jest napisane, że wzmocnienie prądowe wynosi od 25 do 250, w związku z tym, że tranzystor się zamknął, to prąd bazy dla 1 A powinien wynosić od 4 mA...

MikolajMis napisał:

W takim razie szukać innego tranzystora bipolarnego, który nie będzie potrzebował tak dużego prądu bazy, czy zostać przy tym Darlingtonie?

CYRUS2 napisał:

Tranzystor bipolarny się nie nadaje do schematu #1.
Należy zastosować MOSFET typu P.

acctr napisał:

Jak chcesz uzyskać większy prąd, możesz dodać zwykły tranzystor bipolarny, nawet zamiast transoptora.

MikolajMis napisał:

Tyle, że myślałem już wcześniej o MOSFET i uważam że bedzie problem w momencie, kiedy zasilanie będzie wynosiło 24 V, żeby zmieścić się w Ugs dopuszczalnym...

CYRUS2 napisał:

Wstawiasz diodę Zenera na bramkę i po problemie.

acctr napisał:

Jeżeli masz zamiar podawać jakiś przebieg prostokątny powyżej kilkudziesięciu Hz, to lepiej jest zastosować układ sterujący w postaci komplementarnego wtórnika albo specjalizowanego układu scalonego.

acctr napisał:

Zakładając, że DZ jest na napięcie 12 V, na bramce będzie 12 V względem masy, bo 24 - 12 = 12.

acctr napisał:

Tak, dokładniej rzecz biorąc będzie -12V względem plusa zasilania bo tak się zwykle podaje dla tranzystorów bipolarnych PNP albo dla unipolarnych z kanałem P.

acctr napisał:

Dla stromości zboczy lepiej żeby miał mniejszą rezystancję, dla mniejszego prądu sterowania lepiej, żeby miał większą.
Przyjęło się, że MOSFET-y są sterowane napięciem, ale bramka ma pojemność, którą trzeba naładować i rozładować, stąd układ sterujący MOSFET-a powinien mieć wyjście o niskiej rezystancji. Dlatego najlepszy jest wtórnik komplementarny.

acctr napisał:

Raczej coś takiego

MikolajMis napisał:

Zrobiłem taki układ:

acctr napisał:

Czyli R >= Ur/Icmax, I <= Pdzmax/Udz, Ur = Uzas - Udz.

CYRUS2 napisał:

To jest prawie dobry schemat.