hej.
Mam taki o to temat na loboratoria (patrz tytul watku), ale odpowiedzi na pytania na jakie powienienem umiec odpowiedziec nie sa zawarte w dostepnej mi instrukcji:
http://www.wemif.pwr.wroc.pl/lpp/doc/cw9.doc
Poszukiwania w internecie i w zasobach elektrody tez nie przynioslu skutku
. Moze ktos z Was potrafi udzielic na te pytania odp., lub moze podac zroldo skad mozna owe odpowiedzi wyczytac.
Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych:
1. Rodzaje izolacji pomiędzy elementami w układzie scalonym monolitycznie.
2. Objaśnij elementy schematu zastępczego izolacji złączowej w układzie monolitycznym.
3. Systematyka układów scalonych.
4. Budowa i typy rezystorów w krzemowym układzie scalonym.
5. Budowa tranzystora bipolarnego npn w krzemowym układzie scalonym.
6. Rodzaje tranzystorów pnp w układach monolitycznych.
7. Wyznaczanie rezystancji szeregowej rzeczywistego złącza p-n.
8. Obliczanie pojemności złącza p-n.
9. Zasada pomiaru temperatury za pomocą złącza p-n.
10. Maksymalna moc rozpraszania elementów półprzewodnikowych.
Mam taki o to temat na loboratoria (patrz tytul watku), ale odpowiedzi na pytania na jakie powienienem umiec odpowiedziec nie sa zawarte w dostepnej mi instrukcji:
http://www.wemif.pwr.wroc.pl/lpp/doc/cw9.doc
Poszukiwania w internecie i w zasobach elektrody tez nie przynioslu skutku
. Moze ktos z Was potrafi udzielic na te pytania odp., lub moze podac zroldo skad mozna owe odpowiedzi wyczytac.
Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych:
1. Rodzaje izolacji pomiędzy elementami w układzie scalonym monolitycznie.
2. Objaśnij elementy schematu zastępczego izolacji złączowej w układzie monolitycznym.
3. Systematyka układów scalonych.
4. Budowa i typy rezystorów w krzemowym układzie scalonym.
5. Budowa tranzystora bipolarnego npn w krzemowym układzie scalonym.
6. Rodzaje tranzystorów pnp w układach monolitycznych.
7. Wyznaczanie rezystancji szeregowej rzeczywistego złącza p-n.
8. Obliczanie pojemności złącza p-n.
9. Zasada pomiaru temperatury za pomocą złącza p-n.
10. Maksymalna moc rozpraszania elementów półprzewodnikowych.