Witam,
Mam male pytanie do doswiadczonych projektantow przetwornic, otoz zalozmy, ze chcialbym zaprojektowac przetwornice o jak najmniejszych stratach na sterowaniu mosfetow i samych mosfetach, jakie wiec najlepiej dobrac uklady? Zalozmy ze z Mosfetow do wyboru mamy
IRF1010N (Vdss = 55V, Rdson=11mOhm, Id=85A, Ciss=3120pF,Coss=690pF,Crss=140pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
IRF1405(Vdss = 55V, Rdson=5,3mOhm, Id=169A, Ciss=5480pF,Coss=1210pF,Crss=280pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
IRF3205(Vdss = 55V, Rdson=8mOhm, Id=110A, Ciss=3247pF,Coss=781pF,Crss=211pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
IRF540(Vdss = 100V, Rdson=0.077Ohm, Id=28A, Ciss=1700pF,Coss=520pF,Crss=120pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
IRL3803(Vdss = 30V, Rdson=6mOhm, Id=140A, Ciss=5000pF,Coss=1800pF,Crss=880pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
STP80NF10(Vdss = 100V, Rdson=0.015Ohm, Id=80A, Ciss=4300pF,Coss=600pF,Crss=230pF dl
a Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz).
Chodzi o typowa przetwornice car audio, na ukladzie TL494 badz jemu podobnym...Pytanie brzmi jakimi parametrami sie kierowac, zeby straty byly jak najmniejsze, rozumiem ze mozna laczyc rownolegle mosfety, zeby zwiekszyc moc i zarazem zmniejszyc Rdson, ale wtedy pojemnosci sie zwieksza...jaki to ma wplyw na uklad? Czestotliwosc pracy 50kHz, 100KHz, oraz 200kHz. Jaki uklad przelaczania zastosowac dla tych mosfetow, czy Bipolarny totem-pole, moze mosfet totem-pole, badz uklad z tranzystorem pnp i dioda? Mam przed soba sterte teorii z ktorej do konca nic nie wynika...Wszystko ma zalety i wady, ale jak to sie ma do mocy strat i czestotliwosci pracy...Jak najlepiej dobierac parametry rezystora bramki, oraz snubbera dla mosfeta? Czy sa jakies konkretne wzory? Z teorii wynika, ze dobieramy sterowanie bramka po wybraniu stopien mocy i jego komponenty? Jak najlepiej dobierac parametry dla zakresu mocy 200-600W, czy stosowac jeden tranzystor wiekszej mocy, czy moze w celu wiekszego rozproszenia ciepla zastosowac kilka mosfetow. Moze dosc prostackie pytanie, ale czym lepiej sie kierowac przy dobieraniu mosfetow Rdson, czy pojemnosciami bramek, a moze sensownie jest tak dobra mosfety zeby uzyskac mozliwie niskie Rdson i pojemnosci, np dobierajac laczac je rownolegle?
Troche z innej beczki, gdzie zastosowanie porzadnych kondensatorow impulsowych ma sens? Czy parametry pracy kondensatora Ct maja znaczenie na prace ukladu?.
Wiem ze troche duzo tego jak na jeden raz, pomijajac fakt ze straty na mosfetach to nie wszystko, jest jeszcze transformator, ale zostawmy go na razie w spokoju, chcialbym zrozumiec celowosc, zalety i wady poszczegolnych sposobow sterowania mosfetow, oraz ich parametrow. Na razie nie posiadam porzadnego oscyloskopu, choc przydalby sie bardzo, wtedy moglbym praktycznie wyprobowac poszczegolne sposoby sterowania oraz mosfety...ale niestety w tej chwili posiadam bardziej wskaznik oscyloskopowy. Tak poza tym jaki oscyloskop warto zakupic? Mysle o czyms dobrym za rozsadna cene, czy np Polski DT516A sprawdzi sie przy badaniu parametrow, albo rosyjski C1-93, szczegolnie jesli chodzi np o badanie parametrow przelaczania mosfetow. Nie jestem pewien ale wydaje mi sie ze duze znaczenie w badaniu czasow narastania itp podstawa czasu tych oscyloskopow bedzie za mala? Czy mam racje?
Pozdrawiam i zycze Wszystkim Zdrowych i Wesolych Swiat (a moze mi sie poszczesci i dostane od Gwiazdora porzadny oscyloskop....zeby to bylo takie latwe hehe) Pogodnych przede wszystkim zycze
Mam male pytanie do doswiadczonych projektantow przetwornic, otoz zalozmy, ze chcialbym zaprojektowac przetwornice o jak najmniejszych stratach na sterowaniu mosfetow i samych mosfetach, jakie wiec najlepiej dobrac uklady? Zalozmy ze z Mosfetow do wyboru mamy
IRF1010N (Vdss = 55V, Rdson=11mOhm, Id=85A, Ciss=3120pF,Coss=690pF,Crss=140pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
IRF1405(Vdss = 55V, Rdson=5,3mOhm, Id=169A, Ciss=5480pF,Coss=1210pF,Crss=280pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
IRF3205(Vdss = 55V, Rdson=8mOhm, Id=110A, Ciss=3247pF,Coss=781pF,Crss=211pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
IRF540(Vdss = 100V, Rdson=0.077Ohm, Id=28A, Ciss=1700pF,Coss=520pF,Crss=120pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
IRL3803(Vdss = 30V, Rdson=6mOhm, Id=140A, Ciss=5000pF,Coss=1800pF,Crss=880pF dla Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz),
STP80NF10(Vdss = 100V, Rdson=0.015Ohm, Id=80A, Ciss=4300pF,Coss=600pF,Crss=230pF dl
a Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz).
Chodzi o typowa przetwornice car audio, na ukladzie TL494 badz jemu podobnym...Pytanie brzmi jakimi parametrami sie kierowac, zeby straty byly jak najmniejsze, rozumiem ze mozna laczyc rownolegle mosfety, zeby zwiekszyc moc i zarazem zmniejszyc Rdson, ale wtedy pojemnosci sie zwieksza...jaki to ma wplyw na uklad? Czestotliwosc pracy 50kHz, 100KHz, oraz 200kHz. Jaki uklad przelaczania zastosowac dla tych mosfetow, czy Bipolarny totem-pole, moze mosfet totem-pole, badz uklad z tranzystorem pnp i dioda? Mam przed soba sterte teorii z ktorej do konca nic nie wynika...Wszystko ma zalety i wady, ale jak to sie ma do mocy strat i czestotliwosci pracy...Jak najlepiej dobierac parametry rezystora bramki, oraz snubbera dla mosfeta? Czy sa jakies konkretne wzory? Z teorii wynika, ze dobieramy sterowanie bramka po wybraniu stopien mocy i jego komponenty? Jak najlepiej dobierac parametry dla zakresu mocy 200-600W, czy stosowac jeden tranzystor wiekszej mocy, czy moze w celu wiekszego rozproszenia ciepla zastosowac kilka mosfetow. Moze dosc prostackie pytanie, ale czym lepiej sie kierowac przy dobieraniu mosfetow Rdson, czy pojemnosciami bramek, a moze sensownie jest tak dobra mosfety zeby uzyskac mozliwie niskie Rdson i pojemnosci, np dobierajac laczac je rownolegle?
Troche z innej beczki, gdzie zastosowanie porzadnych kondensatorow impulsowych ma sens? Czy parametry pracy kondensatora Ct maja znaczenie na prace ukladu?.
Wiem ze troche duzo tego jak na jeden raz, pomijajac fakt ze straty na mosfetach to nie wszystko, jest jeszcze transformator, ale zostawmy go na razie w spokoju, chcialbym zrozumiec celowosc, zalety i wady poszczegolnych sposobow sterowania mosfetow, oraz ich parametrow. Na razie nie posiadam porzadnego oscyloskopu, choc przydalby sie bardzo, wtedy moglbym praktycznie wyprobowac poszczegolne sposoby sterowania oraz mosfety...ale niestety w tej chwili posiadam bardziej wskaznik oscyloskopowy. Tak poza tym jaki oscyloskop warto zakupic? Mysle o czyms dobrym za rozsadna cene, czy np Polski DT516A sprawdzi sie przy badaniu parametrow, albo rosyjski C1-93, szczegolnie jesli chodzi np o badanie parametrow przelaczania mosfetow. Nie jestem pewien ale wydaje mi sie ze duze znaczenie w badaniu czasow narastania itp podstawa czasu tych oscyloskopow bedzie za mala? Czy mam racje?
Pozdrawiam i zycze Wszystkim Zdrowych i Wesolych Swiat (a moze mi sie poszczesci i dostane od Gwiazdora porzadny oscyloskop....zeby to bylo takie latwe hehe) Pogodnych przede wszystkim zycze
