logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.
REKLAMA
  • Fujitsu Microeletronics powiadomiło, iż Tokijska Politechnika, razem z Fujitsu Laboratories i Fujitsu Limited opracowały nowy materiał, z którego można tworzyć moduły FeRAM czyli Ferroelectric RAM w procesie produkcyjnym 65 nm. FeRAM jak można się domyśleć po nazwie, jest dalekim kuzynem MRAMu, czyli Magnetic RAMu.

    Tak jak pamięć magnetyczna, pamięć ferroelektryczna łączy w sobie zalety pamięci dynamicznej (DRAM), statycznej (SRAM) oraz pamięci flash – jest bardzo szybka, ale nie potrzebuje odświeżania komórek, a co za tym idzie jest energooszczędna i w pewnym stopniu niezależna od źródła zasilania, ponieważ nie traci zawartości po odcięciu dopływu prądu. Dane znikają dopiero w momencie procedury odczytu i wtedy muszą zostać odświeżone.

    Idea pamięci FeRAM nie jest nowa, ale związek bizmutu, żelaza i tlenu wynaleziony przez Fujitsu, pozwala tworzyć kości o 5-krotnie wiekszej pojemności niż dotychczas, z uwagi na możliwość produkowania ich w procesie technologicznym 65 nm zamiast dotychczasowych 180 nm.

    Fujitsu produkuje FeRAM w starej technologii od 1999 roku, zaś próbki pamięci korzystających z nowego materiału pojawią się równo 10 lat później, czyli w 2009.


    Żródło: CHIP Newsroom

    Fajne? Ranking DIY
    O autorze
    LEM
    Spoczywaj w Pokoju
    Offline 
    LEM napisał 2981 postów o ocenie 20, pomógł 58 razy. Mieszka w mieście N 50° 02' 25.36", E 22° 00' 24.47". Jest z nami od 2002 roku.
  • REKLAMA
REKLAMA