Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Wzmocnienie prądowe tranzystorem BUZ11 - zmiana polaryzacji

Mihó 04 Paź 2006 14:17 6410 24
  • #1 04 Paź 2006 14:17
    Mihó
    Poziom 27  

    W zasadzie chodzi mi o wymianę tranzystora na jakiś inaczej spolaryzowany. Na schemacie
    Wzmocnienie prądowe tranzystorem BUZ11 - zmiana polaryzacji
    Jest taki tranzystor - BUZ11. Układ - regulator PWM steruje dowolnym urządzeniem MOT1 (tu silnikiem). Chciałbym jednak, aby sterowanie odbywało się przez generowanie impulsów dodatnich - tu jest teraz tak, że masa jest "dołączana" do odbiornika w funkcji czasu. Chciałbym stałą masę, a dołączane zasilanie.

    Zależałoby mi na tym, by nie odbywało się to przez włączanie dodatkowego tranzystora - najlepiej wymienić ten na inny, ale nie wiem jaki.

    0 24
  • #2 04 Paź 2006 15:09
    tkoras
    Poziom 16  

    nie znam sie jeszcze dobrze na elektronice, ale czy nie wystarczylo by wrzucic traznystora bipolarnego, zamiast uni polarnego? Cos gdzies kidys otym slyszalem...

    0
  • #3 04 Paź 2006 15:15
    Anonymous
    Użytkownik usunął konto  
  • #4 04 Paź 2006 15:18
    Mihó
    Poziom 27  

    Chodzi mi o możliwie małą ingerencję w układ, a chętnie wymienię BUZ11 na jakiś łatwiej dostępny tranzystor. Proszę rozwińcie ten temat o tranzystorze bipolarnym - jak go wstawić, jak zmieni się układ

    0
  • #5 04 Paź 2006 16:03
    trol.six
    Poziom 30  

    zamiast buz wstaw irf5305, G jak było, S na + , a D na silnik

    Dioda na silniku zostać musi, oczywiście.

    opornik do bramki wypadłoby dac może 20-30om jakby sie grzał tranzystor
    Albo wzmocnić układ wyjściowy dając dwa tranzystorki npn i pnp, do sterowania mosem, jakby 555 miał problem z wysterowaniem.

    Ale to tylko jak ci sie będzie mosfet grzał.

    0
  • #6 04 Paź 2006 16:09
    Mihó
    Poziom 27  

    trol.six napisał:
    zamiast buz wstaw irf5305, G jak było, S na + , a D na silnik

    choć dla lepszego sterowania można wrzucić jeszce pomiędzy 555 a tranzystorkiem sterownik mosowy, albo wzmocnić układ wyjściowy dając dwa tranzystorki npn i pnp, do sterowania mosem, co jest tańsze i tutaj wystarczy.


    Chodzi o regulację mocy, do 120W, a może płynąć max. prąd 10A. Zaletą tego układu było to że nie wydziela ciepła na tym tranzystorze. Czy po wprowadzeniu zwykłych NPN i PNP pozostanie ta cecha ?

    0
  • #7 04 Paź 2006 16:12
    trol.six
    Poziom 30  

    Tranzystor sie nie grzeje dlatego że działa na zasadzie przełączania.

    Jeżeli sam 555 sobie poradzi z przełączaniem, to nie trzeba nic robić, jeżeli tranzystor się będzie za zbytnio nagrzewał, to trza dorobić mocniejsze sterowanie.

    Najtaniej dwa tranzystory, jeden npn drugi pnp.

    Acha tylko trzeba dodać, że jak dasz tego mosa, to sterowanie masz odwrócone, czyli sterujesz ujemnymi impulsami z 555

    0
  • #8 04 Paź 2006 16:24
    Mihó
    Poziom 27  

    Przy cenie 2,5zł za IRF5305 nie wiem czy warto kombinować, aczkolwiek chętnie usłyszę Twoją propozycję z dwoma tranzystorami. Mówisz o układzie Darlingtona ?

    Dodano po 3 [minuty]:

    Przychylę się do tego pomysłu z IFR5305. Czy jeśli na drenie pojawi się z jakiegoś względu "+" (napięcie między źródłem a drenem będzie równe 0V i będzie to stan ciągły), czy doprowadzi to do uszkodzenia tranzystora ?

    0
  • Pomocny post
    #9 04 Paź 2006 17:13
    trol.six
    Poziom 30  

    Te dodatkowe tranzystory dodajesz tylko gdy masz problem z grzaniem IRF5305. Bazy razem na wyjście 555, emitery razem przez rezystor 20 om do bramki G IRF5305, a kolektory pnp do masy a npn do plusa.
    Chodzi o samo sterowanie mosem za pomocą 555.

    IRF5305 ma diode wewnętrzna, wiec jak powstanie plus na Drenie to popłynie prąd do zasilania (przynajmniej w teorii).

    Mosem sterujesz między G a S.

    Napisałem ze układ będzie włączony jak masz '0' na bramce. Dlatego odwrotnie będzie sie układ zachowywał regulując podkówką P1, w stosunku do układu na mosfecie BUZ11.

    0
  • #10 26 Lip 2008 10:20
    Mihó
    Poziom 27  

    Mam problem. Zarówno NE555 jak i IRF są nowe, a układ nie działa. Na oscyloskopie podłączając się na wyjście 555 uzyskuję b.ładny przebieg, tj. występuje modulacja szerokości pulsu oraz wartości 0 i 1 ze zmiennym wypełnieniem. Jednak przy badaniu wyjścia układu - na drenie mam jakby ciągle napięcie zasilania, jedynie ze szpilkami - nie pojawiają się dłuższe stany 0 logicznego. Dalej mogę obserwować zmiany szerokości impulsów. IRF sprawny, 555 również. Ze zmian naniesionych do układu - opornik pomiędzy wyjściem a bramką ma 39Ω

    0
  • Pomocny post
    #11 26 Lip 2008 11:35
    trol.six
    Poziom 30  

    No, a obciążyłeś układ silnikiem? Daj jakiś opornik pomiędzy dren a mase albo zasilanie, w zależności w jakiej konfiguracji to tam masz, i dopiero patrz.

    Inaczej na drenie nie pojawi ci się przebieg, bo nie ma skąd. Bramka w mosfetach jest izolowana.

    0
  • #12 28 Lip 2008 19:30
    Mihó
    Poziom 27  

    Układ rzeczywiście był nieobciążony i dlatego nie miałem przebiegu na wyjściu. Dziękuję

    0
  • #13 02 Sie 2008 13:30
    Mihó
    Poziom 27  

    Pojawił się problem - po trzech minutach testowania.

    Obciążenie to 2x60W przy 14V - dwie żarówki H4. Więc prąd nie przekracza 10A. Tranzystor bardzo się grzeje - a jest przykręcony do kawałka blachy aluminiowej - 3x7cm

    0
  • #15 02 Sie 2008 14:43
    yego666
    Specjalista PLD

    Przy Rds(on) = 60mOhm ( tak jak ma IRF5305 ) i przy pradzie drenu 10A moc tracona wyniesie okolo 6W, a wiec tranzystor i tak bedzie sie niezle grzal nawet jesli na bramce bedzie mial idealny prostokat.
    Z mojego doswiadczenia wynka, ze NE555 calkiem niezle radzi sobie ze sterowaniem MOSami i nie w tym zwykle lezy przyczyna grzania sie tranzystorow mocy.
    Na Twoim miejscu poszukalbym jakiegos tranzystora, ktory bedzie mial wartosc Rds(on) o rzad wielkosci mniejsza i mala wartosc Ugs(th).
    Dla tranzystorow MOS z kanalem N nie jest to problem, natomiast dla P-MOS'ow zwykle jest duzo gorzej.
    Oczywiscie dobrze jest tez zapewnic skuteczne sterowanie bramki poprzez dodanie silnego bufora, ale byc moze przy odpowiednim tranzystorze nie bedzie to konieczne.
    Nie przychodzi mi na razie do glowy zaden konkretny typ takiego tranzystora, ale moze inni koledzy podpowiedza.
    Proponowany powyzej tranzystor IRF5305 ma Rds(on) = 60 mOhm, a wiec bardzo duza, stad nic dziwnego ze sie mocno grzeje.

    0
  • #16 02 Sie 2008 14:47
    Anonymous
    Użytkownik usunął konto  
  • #17 02 Sie 2008 15:34
    yego666
    Specjalista PLD

    Nie wiem jak jest z dostepnoscia w sklepach tranzystorow firmy Fairchild,
    ale znalazlem typ FQPF47P06 , ktory ma Rds(on) na poziomie 25 mOhm.
    Wciaz sporo, ale pewnie z lepszymi bedzie duzy problem.
    To co kolega powyzej zaproponowal jest mniej wiecej na tym samym poziomie, wiec chyba nie ma wiekszej roznicy. Ktory sie trafi, bedzie OK, ale radiator i tak trzeba dac bo moc bedzie rzedu przynajmniej 3W dla pradu drenu na poziomie 10A.

    0
  • #18 02 Sie 2008 16:26
    Anonymous
    Użytkownik usunął konto  
  • #19 03 Sie 2008 00:01
    trol.six
    Poziom 30  

    O wtórnikach już pisałem w tym temacie, choć tak sobie.
    Nie wiem jaką częstotliwość ma tutaj ten 555, można zwiększyć C1 z 1nF do 4n7, a potem ewentualnie dodać drugi tranzystor równolegle, jak już zostało to napisane.
    10A to jest całkiem sporawo już. Jak bardzo chcesz zlikwidować grzanie to możesz dać dwa jeszcze lepsze np IRF4905, ale tutaj wtórnik albo driwer może okazać się niezbędny bo mają już całkiem sporą pojemność bramki.

    0
  • #20 03 Sie 2008 09:47
    Anonymous
    Użytkownik usunął konto  
  • #21 03 Sie 2008 12:35
    yego666
    Specjalista PLD

    Fajnie, tylko ze napiecie Vce(sat) dla tego tranzystora przy pradzie kolektora 10A wynosi okolo 3V, zatem moc w nim wydzielana bedzie wynosic 30W, a to i duza strata i problem z chlodzeniem.
    Dobry MOS bedzie wydzielal w tym ukladzie pietnastokrotnie mniej mocy, i sprawnosc ukladu bedzie duzo wieksza, a wiec bipolarne tranzystory odpadaja.

    Nie wspomne juz, ze BDW83 jest tranzystorem NPN, a chodziloby raczej o polaryzacje przeciwna, choc niekoniecznie jesliby go wlaczyc jako wtornik emiterowy, ale wtedy ciezko by bylo dostarczyc odpowiedni prad do jego bazy.

    0
  • #22 03 Sie 2008 12:51
    Anonymous
    Użytkownik usunął konto  
  • #24 03 Sie 2008 14:24
    lechoo
    Poziom 39  

    Użyj tranzystora MOSFET z kanałem N i odpowiedniego drivera, np. IR2117/18.

    0
  • #25 03 Sie 2008 14:29
    Anonymous
    Użytkownik usunął konto