Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Find the latest content on electronic components. Datasheets.com
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

sterowanie mosfetów

j96 12 Jul 2007 09:31 3550 10
IGE-XAO
  • #1
    j96
    Level 10  
    powinienem zastosować układ tc4422 (sterownik mosfetów 9A) jak TATAJ.
    Notka katalogowa 4422. Niestety nie mam tego układu; Da się go jakoś zastąić za pomocą prosto dostępnych elementów?
    elementy muszę kupić jeszcze dziś, dlatego proszę o szybka odpowiedź :P
  • IGE-XAO
  • #2
    Quarz
    Level 43  
    Witam,
    nie wiem skąd zaczerpnąłeś załączony schemat, ale jest na nim sporo szkolnych (i dyskwalifikująch go) błędów:
    1. Po co diody Schottky'ego D7 i D8 (te przecież te mają co najwyżej 200V napięcia zaporowego)?
    2. Po co diody D9 i D10 równolegle do niezrozumiałego tandemu tranzystor polowy (Q2, Q5) - dioda Schottky'ego (D7, D8)? skoro po usunięciu diód wymienionych w pkt 1. są wewnętrzne diody odwrotnie równoległe (co zostało narysowane) w tranzystorach Q2, Q5 i one spełnią rolę rzeczonych D9 i D10.
    3. Po co łańcuszek negatorów od IC1A do IC1F, skoro do uformowania sygnału wystarczy jeden negator?
    4. Zaglądając ze zrozumieniem do notki katalogowej (podanej w poście) układu TC4442 (i TC4421) można układ sterujący wykonać za pomocą odpowiedniego połączenia komplementarnych tranzystorów bipolarnych i wykorzystać do ich sterowania odzyskane negatory 74HC14.
    5. Czy induktor L1 ma zapewniony zwrot energii z pola magnetycznego poprzez obciążone, i sprzęgnięte z nim magnetycznie, uzwojenie wtórne?

    Na koniec do czego ma to służyć?

    Pozdrawiam
  • #3
    j96
    Level 10  
    Tu jest opis projektu
    http://c4r0.skrzynka.org/_hv/index.php?page=hv/sstc

    Czy mógłbyś wrzucić jakiś konkretny schemacik (z podpisanymi elementami), jak zastapić 4422? sam obawiam się, nie dam sobie rady; :(

    Oczywiście wystarczy zrobić jeden wzmacniacz. Drugi sie już zrobi tak samo, tylko dodatkowo zaprzeczy na wejściu;
  • IGE-XAO
  • #4
    WojtasJD
    VIP Meritorious for electroda.pl
    Quarz wrote:

    2. Po co diody D9 i D10 równolegle do niezrozumiałego tandemu tranzystor polowy (Q2, Q5) - dioda Schottky'ego (D7, D8)? skoro po usunięciu diód wymienionych w pkt 1. są wewnętrzne diody odwrotnie równoległe (co zostało narysowane) w tranzystorach Q2, Q5 i one spełnią rolę rzeczonych D9 i D10.


    Autorowi zapewne chodziło o 'zastąpienie' wewnętrznej "body diode" zewn. szybszą MUR810

    http://www.richieburnett.co.uk/sstate3.html
  • #5
    Paweł Es.
    VIP Meritorious for electroda.pl
    Czy to jest jakiś KLUB SAMOBÓJCÓW ?

    Osobnik nie wiedzący jak rozwiązać podstawowe problemy układowe łapie się za konstrukcję urządzeń wysokiego napięcia do tego zasilane z sieci energetycznej gdzie po już po stronie pierwotnej występują przepięcia wynikające z rezonansu szeregowego nie licząc samego napięcia z sieci ?

    Do pracy z urządzeniami sieciowymi, do projektowania i uruchamiania takich układów są wymagane uprawnienia, WIEDZA i DOŚWIADCZENIE a tego autorowi brak skoro zadaje tak podstawowe pytania !!

    A kto będzie odpowiedał jak sobie zrobi krzywdę albo nie daj co komuś innemu ? Czy tu nikt nie ma ksztyny wyobraźni ?
  • #6
    Brutus_gsm
    Level 25  
    Do autora tematu: jeśli interesuje cię wysokie napięcie, to polecam zrobić lampę plazmową. Efektowność porównywalna, a jest dużo prostsza i bezpieczniejsza.
  • #7
    j96
    Level 10  
    oej!
    ale się nagonka zrobiła :P
    Pragne was poinformować, iz ani nie jestem samobójcą, ani bynajmniej nie będzie to mój pierwszy układ elektryczny. Pytam, bo nie jestem wszechwiedzący i potrzebuję informacji od fachowców (czy mają jakieś już oklepane rozwiązania), a nie po to by wysłuchać opini o sobie :)
    Dziękuje.
    P.S. Lampę plazmowa mam za sobą (i zyję <wow>);
    do admina -> prosze usunąć temat, bo z takiej gadaniy nikt sie niczego nowego nie dowie, zaśmiecanie forum :(
  • #8
    Dykus
    Level 26  
    Raczej nie zbudujesz takiego układu samodzielnie (tzn. o podobnych parametrach).
    Ale dlaczego uparłeś się akurat na ten układ?

    Tutaj masz inne do wyboru:
    http://www.tme.pl/katalog/szukaj.phtml?f_szuk...&id_g=16&id_p=9&f_radio=&id2=20&id_drzewo=221

    Najprościej możesz sterować MOSFETem za pomocą dwóch tranzystorów np. BC337 i BC307 (wersja nieodwracająca i działająca gorzej wersja odwracająca fazę). Klasyka.

    PS Do czego tam służy ta antena? :)
  • #9
    c4r0
    Level 36  
    Sorry za odkopywanie tematu ale chciałbym się wytłumaczyć.

    Quarz wrote:
    Witam,
    nie wiem skąd zaczerpnąłeś załączony schemat, ale jest na nim sporo szkolnych (i dyskwalifikująch go) błędów
    Schemat pochodzi z mojej strony internetowej. Nie ma na nim błędów, wszystko co uważasz za błędy jest zrobione celowo. Do tego nic układu nie dyskwalifikuje bo on działa i to bardzo dobrze.

    Quarz wrote:
    1. Po co diody Schottky'ego D7 i D8 (te przecież te mają co najwyżej 200V napięcia zaporowego)?
    Na tych diodach nie występuje wysokie napięcie zaporowe, jedynie napięcie spadku diod MUR.

    Quarz wrote:
    2. Po co diody D9 i D10 równolegle do niezrozumiałego tandemu tranzystor polowy (Q2, Q5) - dioda Schottky'ego (D7, D8)? skoro po usunięciu diód wymienionych w pkt 1. są wewnętrzne diody odwrotnie równoległe (co zostało narysowane) w tranzystorach Q2, Q5 i one spełnią rolę rzeczonych D9 i D10.
    Jak słusznie zauważył WojtasJD, diody D7 i D8 blokują wewnętrzne diody tranzystorów, których rolę przejmują diody D9 i D10. Układ pracuje na częstotliwości ponad 200kHz i diody wewnętrzne tranzystorów nie nadążają.

    Quarz wrote:
    3. Po co łańcuszek negatorów od IC1A do IC1F, skoro do uformowania sygnału wystarczy jeden negator?
    Po nic, wystarczyłby jeden (właściwie to dwa), ale pozostałe musiałyby mieć wejścia zwarte do masy. Łatwiej konstrukcyjnie było połączyć je szeregowo, co nie stanowi różnicy dla działania układu.

    Quarz wrote:
    4. Zaglądając ze zrozumieniem do notki katalogowej (podanej w poście) układu TC4442 (i TC4421) można układ sterujący wykonać za pomocą odpowiedniego połączenia komplementarnych tranzystorów bipolarnych i wykorzystać do ich sterowania odzyskane negatory 74HC14.
    Można, ale jest to bardzo trudne zagadnienie. Drivery muszą być bardzo wydajne impulsowo (patrz wysoka czstotliwość pracy), do tego przy zasilaniu 12V muszą mieć możliwość poprawnego przełączania sygnałem TTL. Znacznie łatwiej i pewniej jest użyć fabrycznych driverów, gdyby robić je samemu tak jak napisałeś pewnie byłoby to najtrudniejsze zagadnienie całej konstrukcji.

    Quarz wrote:
    5. Czy induktor L1 ma zapewniony zwrot energii z pola magnetycznego poprzez obciążone, i sprzęgnięte z nim magnetycznie, uzwojenie wtórne?
    To jest transformator Tesli (rezonansowy transformator powietrzny wysokiego napięcia) więc tutaj sprawy tego typu mają się trochę inaczej.

    Pozdrawiam.
  • #10
    Quarz
    Level 43  
    Witam,
    skoro jest odpowiedź na moje uwagi, to mam prawo do repliki.
    c4r0 wrote:
    Sorry za odkopywanie tematu ale chciałbym się wytłumaczyć.

    Quarz wrote:
    Witam,
    nie wiem skąd zaczerpnąłeś załączony schemat, ale jest na nim sporo szkolnych (i dyskwalifikująch go) błędów
    Schemat pochodzi z mojej strony internetowej. Nie ma na nim błędów, wszystko co uważasz za błędy jest zrobione celowo. Do tego nic układu nie dyskwalifikuje bo on działa i to bardzo dobrze.

    Wszystko, to znaczy nic... to nie jest argument.
    To, że działa, to nie znaczy, iż nie można w nim poprawić np. niezawodności działania, czy też zminimalizować ilość zastosowanych podzespołów, co; patrz poprzednie zdanie...
    Przypomnę też znany truizm: "jednego zadawala jazda popularnym Maluchem a drugi uważa, iż musi to być przynajmniej Mercedes..."

    c4r0 wrote:
    Quarz wrote:
    2. Po co diody D9 i D10 równolegle do niezrozumiałego tandemu tranzystor polowy (Q2, Q5) - dioda Schottky'ego (D7, D8)? skoro po usunięciu diód wymienionych w pkt 1. są wewnętrzne diody odwrotnie równoległe (co zostało narysowane) w tranzystorach Q2, Q5 i one spełnią rolę rzeczonych D9 i D10.
    Jak słusznie zauważył WojtasJD, diody D7 i D8 blokują wewnętrzne diody tranzystorów, których rolę przejmują diody D9 i D10. Układ pracuje na częstotliwości ponad 200kHz i diody wewnętrzne tranzystorów nie nadążają.

    Tu mam poważne wątpliwości która z tych diod jest szybsza, czy wewnętrzna w tranzystorze IRF920, czy MUR8xx, dla porównania odsyłam do odpowiednich DataSheet: MUR810, IRF820 i proszę sobie na to pytanie odpowiedzieć samemu.
    Poza tym, to chcę zauważyć, iż dioda typu MUR810 ma dla pracy w przedstawionym tu układzie zbyt małą wartość (100V) napięcia blokowania.

    c4r0 wrote:
    Quarz wrote:
    3. Po co łańcuszek negatorów od IC1A do IC1F, skoro do uformowania sygnału wystarczy jeden negator?
    Po nic, wystarczyłby jeden (właściwie to dwa), ale pozostałe musiałyby mieć wejścia zwarte do masy. Łatwiej konstrukcyjnie było połączyć je szeregowo, co nie stanowi różnicy dla działania układu.

    Z punktu widzenia niezawodności, to jest podstawowy błąd.
    Spodziewany bezawaryjny czas pracy urządzenia jest odwrotnie proporcjonalny do ilości elementów zastosowanych w danym urządzeniu przyjmując (w pierwszym przybliżeniu), iż prawdopodobieństwo uszkodzenia każdego elementu ma rozkład równomierny i czasy bezawaryjnej pracy są porównywalne.
    Poza tym, dwa negatory będą zużywać mniej energii na przełączanie od sześciu, ponieważ cztery negatory niedziałające i prawidłowo podłączone (do jednego z potencjałów zasilania) nie będą jej zużywały praktycznie wcale.

    c4r0 wrote:
    Quarz wrote:
    4. Zaglądając ze zrozumieniem do notki katalogowej (podanej w poście) układu TC4442 (i TC4421) można układ sterujący wykonać za pomocą odpowiedniego połączenia komplementarnych tranzystorów bipolarnych i wykorzystać do ich sterowania odzyskane negatory 74HC14.
    Można, ale jest to bardzo trudne zagadnienie. Drivery muszą być bardzo wydajne impulsowo (patrz wysoka czstotliwość pracy), do tego przy zasilaniu 12V muszą mieć możliwość poprawnego przełączania sygnałem TTL. Znacznie łatwiej i pewniej jest użyć fabrycznych driverów, gdyby robić je samemu tak jak napisałeś pewnie byłoby to najtrudniejsze zagadnienie całej konstrukcji.

    Mam na powyższe usadnienie odmienne zdanie, ponieważ istnieją układy TTL z wyjściem wysokonapięciowym (TotemPole), lub też typu otwarty kolektor, więc wartość napięcia zasilania mostkowego łącznika 12V i współpraca z parą komplementarną tranzystorów bipolarnych nie jest tu przeszkodą.
    O kosztach jednego i drugiego rozwiązania nie wypowiem się, ponieważ nie znam cen przedmiotowych driverów, jak również o łatwości nabycia tychże.
    Poza tym, znanych mi jest szereg innych, produkowanych przez różnych producentów, tego typu driverów (i sterowanych również z jednego wejścia) mogących pracować w łączniku mostkowym.

    c4r0 wrote:
    Quarz wrote:
    5. Czy induktor L1 ma zapewniony zwrot energii z pola magnetycznego poprzez obciążone, i sprzęgnięte z nim magnetycznie, uzwojenie wtórne?

    To jest transformator Tesli (rezonansowy transformator powietrzny wysokiego napięcia) więc tutaj sprawy tego typu mają się trochę inaczej.

    To "trochę inaczej" przekłada się na stronę pierwotną transformatora w postaci szkodliwych przepięć na elementach komutacyjnych w przypadku kiedy po stronie wtórnej brak jest odbioru energii z pola magnetycznego rdzenia, jak również kiedy zachodzi zmiana (i to często skokowa - zgaśnięcie łuku elektrycznego) parametrów obciążenia uzwojenia wtórnego.
    To wszystko nakłada na elementy komutacyjne transformatora dość ostre wymagania odnośnie wytrzymałości przed owymi przepięciami.

    Reasumując, Kolego c4r0, proszę nie pisać, iż ''wszystko jest zrobione celowo", ponieważ, jak widać, nie wytrzymuje to krytyki... :cry:

    Pozdrawiam
  • #11
    c4r0
    Level 36  
    Quarz wrote:
    Tu mam poważne wątpliwości która z tych diod jest szybsza, czy wewnętrzna w tranzystorze IRF920, czy MUR8xx, dla porównania odsyłam do odpowiednich DataSheet: MUR810, IRF820 i proszę sobie na to pytanie odpowiedzieć samemu.

    Z podanych przez Ciebie not katalogowych:
    IRF820 :arrow: Source drain diode Reverse recovery time : Typ. 400ns
    MUR810 :arrow: Maximum Reverse Recovery Time : 35ns
    Warto samemu sprawdzić zanim odsyła siędo lektury not...

    Quarz wrote:
    Z punktu widzenia niezawodności, to jest podstawowy błąd. Spodziewany bezawaryjny czas pracy urządzenia jest odwrotnie proporcjonalny do ilości elementów zastosowanych w danym urządzeniu przyjmując (w pierwszym przybliżeniu), iż prawdopodobieństwo uszkodzenia każdego elementu ma rozkład równomierny i czasy bezawaryjnej pracy są porównywalne.
    Poza tym, dwa negatory będą zużywać mniej energii na przełączanie od sześciu, ponieważ cztery negatory niedziałające i prawidłowo podłączone (do jednego z potencjałów zasilania) nie będą jej zużywały praktycznie wcale.
    Tutaj masz rzeczywiście rację z teoretycznego punktu widzenia. Jednak ja nie jestem szaleńcem i nie przykładam żadnej wagi do zwiększenia prawdopodobieństwa uszkodzenia przez dodanie kilku negatorów, które i tak jest znikome. Łatwiej mi wymienić kostkę w tym szalenie mało prawdopodobnym przypadku że pojedynczy negator padnie, niż prowadzić masę do co drugiej nóżki na płytce uniwersalnej. Zwiększonym zużyciem energii też się zbytnio nie przejmuję w kontekście kilkuset watów pobieranych przez całe urządzenie. Podsumowując - teoretycznie masz rację, jednak mówisz jak profesor czepiający się projektu studenta a nie jak praktyk.

    Quarz wrote:
    Mam na powyższe usadnienie odmienne zdanie, ponieważ istnieją układy TTL z wyjściem wysokonapięciowym (TotemPole), lub też typu otwarty kolektor, więc wartość napięcia zasilania mostkowego łącznika 12V i współpraca z parą komplementarną tranzystorów bipolarnych nie jest tu przeszkodą.
    O kosztach jednego i drugiego rozwiązania nie wypowiem się, ponieważ nie znam cen przedmiotowych driverów, jak również o łatwości nabycia tychże.
    Poza tym, znanych mi jest szereg innych, produkowanych przez różnych producentów, tego typu driverów (i sterowanych również z jednego wejścia) mogących pracować w łączniku mostkowym.
    W porządku, przyznałem Ci rację, że można to zrobić. Jednak dalej uważam że z PRAKTYCZNEGO punktu widzenia lepiej użyć fabrycznych driverów (o ile się ma, bo rzeczywiście trudno je zdobyć), niekoniecznie konkretnie tych co ja użyłem. W przypadku samodzielnego projektowania drivera byłaby to kolejna część urządzenia która nie wiadomo czy dobrze działa co zwiększyło by 2x trudności z uruchomieniem urządzenia, które na 90% nie będzie działać od razu.

    Quarz wrote:
    To "trochę inaczej" przekłada się na stronę pierwotną transformatora w postaci szkodliwych przepięć na elementach komutacyjnych w przypadku kiedy po stronie wtórnej brak jest odbioru energii z pola magnetycznego rdzenia, jak również kiedy zachodzi zmiana (i to często skokowa - zgaśnięcie łuku elektrycznego) parametrów obciążenia uzwojenia wtórnego.
    To wszystko nakłada na elementy komutacyjne transformatora dość ostre wymagania odnośnie wytrzymałości przed owymi przepięciami.
    Niestety taka jest tutaj natura rzeczy, przepięcia wracają i jest to nieuniknione (stąd "wymiana" diod zwrotnych w tranzystorach), układ musi być zaprojektowany tak, żeby to wytrzymać. A rdzenia w tym transformatorze nie ma ...