Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Wyszukiwarki naszych partnerów

Wyszukaj w ofercie 200 tys. produktów TME
Europejski lider sprzedaży techniki i elektroniki.
Proszę, dodaj wyjątek elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Umierajace MOSFETy. Co może być nie tak?

fred117 02 Sie 2007 17:06 4203 25
  • #1 02 Sie 2007 17:06
    fred117
    Poziom 21  

    Witam wszystkich forowiczow...
    Wlasnie rozpoczolem praktyki w ramach ktorych mam wykonac i wprowadzic w zycie uklad automatyzacji formatowania akumlatorow.
    Dokladniej chodzi o uklad odcinajacy obciazenie (czyt. halogeny), gdy napiecie spadnie do 102V.
    Pomiarem napiecia i sterowaniem zajmuje sie uklad mikrokontrolerowy. Wykonalem dzis pierwszy uklad jednak podczas testow MOSFETy zaczely jeden po drugim przechodzic do historii.. :/
    Wyczytalem ze za sprawa pojemnosci Cgs przy przelaczaniu duzych pradow (docelowo 15A) moze zmienic sie napiecie na bramce oraz ze dopuszczalna jego wartosc Ugs wynosi -15 do -20V.
    Sumaryczna pojemnosc Cgs w tym ukladzie wynosi kilka nF.
    Prosze o sugestie co moze byc nie tak i czy wplyw owej pojemnosci moze byc na tyle duzy aby uszkodzic tranzystor ??
    A oto schemat:
    Umierajace MOSFETy. Co może być nie tak?
    Za wszystkie podpowiedzi bardzo dziekuje...

    Pozdrawiam...

  • #2 02 Sie 2007 17:23
    Jerzy Węglorz
    Poziom 38  

    Witam!
    Wstępna uwaga: akumulatorów się nie formatuje (formatuje sie dyski), akumulatory się FORMUJE (również nie formułuje, bo formułować można np. myśl).
    Przyczyna utrupiania tranzystorów jest prosta: oporność żarówki (również halogenowej) jest w stanie "zimnym" ok. 10 razy niższa, niż "na goraco". Podane na schemacie obciążenie 2x600W=1200W odnosi się do sytuacji, kiedy halogeny już świecą. W momencie ZAŁĄCZENIA płynie jednak prąd nie 8A, tylko ok. 80A, co znacznie przekracza wytrzymałość tranzystora.
    Sugeruję zastosowanie stycznika na prąd conajmniej 25A (DC).

  • #3 02 Sie 2007 17:57
    jozefg
    VIP Zasłużony dla elektroda

    Albo zastosować tranzystor MOSFET o odpowiednio dużym prądzie albo lepiej IGBT o prądzie min. 120A

  • #4 02 Sie 2007 18:25
    nemo07
    Poziom 36  

    jozefg napisał:
    Albo zastosować tranzystor MOSFET o odpowiednio dużym prądzie albo lepiej IGBT o prądzie min. 120A

    Lepiej jednak MOSFET. Struktury bipolarne, w przeciwienstwie do MOS, nie toleruja krotkotrwalych znacznych przeciazen.
    Powazny (a moze glowny) mankament tego schematu: zbyt niskie napiecie podawane na bramke; powinno byc min. 10V!
    Nalezy zmienic opory 100k i 4,7k odpowiednio na 10k/3W oraz 1k/0,25W.
    Uzyty Power MOS powinien miec ekstremalnie niska wartosc Rds-on (parametr katalogowy), rzedu kilku mΩ oraz skuteczny radiator ... inaczej odplynie do krainy wiecznych marzen.
    Memento: Ptot = I² * Rds-on
    Rzecz druga: Z przyczyn technologicznych roznic (wartosci Rds-on wlasnie) lepiej nadalby sie do tego zadania Power MOS z kanalem typu N, niz typ P, jak tu mamy. Wystarczy prosta modyfikacja ukladu.
    Pozdrawiam

  • #5 03 Sie 2007 03:48
    fred117
    Poziom 21  

    Witam...
    Niestety ale uwaga co do pradow startowych jest malo celna gdyz tranzystor IRF9640 wytrzymuje w impulsie 44A a na dodatek jest ich 4 (polaczone rownolegle) w ukladzie co daje wytrzymalosc 176A w impulsie...
    Co do napiecia na bramce: wlasnie zauwazylem blad w schemacie (opornik 4,7k w dzielniku napiecia ma 10k). Samo napiecie wynosi okolo 10V
    PS stosuje sie rowniez termin formatowania baterii czy akumlatorow.
    Tak czy owak dziekuje za uwagi i prosze o dalsze sugestie...


    Pozdrawiam...

  • #6 03 Sie 2007 10:22
    twazny
    Poziom 26  

    Witam. Najlepiej zrezygnuj z mosfetów i daj przekaźnik. Będzie działać bezproblemowo.
    O ile w obszarach liniowych i oscylacyjnych można je stosować bez większych kłopotów, to jako przełącznik już nie są takie dobre.
    Dla dużych prądów musi być bardzo sztywno sterowany i prądy przełączane powinne być co najmniej rząd wielkości mniejsze od dopuszczalnych dla danego typu.
    Krótkotrwałe oscylacje na bramce powodują wybuchową śmierć elementu, nawet z układem zabezpieczenia nadprądowego.
    Nie mam dobrych doświadczeń z tym elementem w większej mocy zasilaczach czy ładowarkach.
    Owszem to sie da zrobić ale kosztem komplikacji układu co kasuje zalety mosfeta jako elementu sterowanego napięciowo.
    Jeśli już koniecznie chcesz, to trzeba zrobić to jak pisze nemo07.
    Dać kilka z kanałem typu N w ujemną gałąź zasilania i niska rezystancja w bramkach - kilkaset omów sterowana wtórnikiem.
    Jeszcze jedno, przy zimnych halogenach prądy mogą osiągnąć naprawdę wielkie wartości jak pisał poprzednik, czyli stosujemy wszelkie zasady przy równoległym łączeniu tranzystorów mocy. Zalecane zabezpieczenie nadprądowe.
    Podsumowując - najlepiej przekaźnik.

  • #7 03 Sie 2007 10:28
    Jerzy Węglorz
    Poziom 38  

    Witam!

    Nie bardzo się orientuję, jak wyglada "format" baterii lub akumulatora, pewnie to jakiś nowy wynalazek, a ja już stary jestem, pamietam czasy, gdy karabin niektórzy próbowali czyścić logarytmem, chociaż lepiej było wyciorem ...

    Pewnie obecnie też już nie ma zbyt dużych różnic, miedzy sandaczem, a sandwiczem, a ci, co czytają Kanta to kanciarze ...
    Czy kantata to żona Kanta?

    A mosfety zdychaja dlatego, że się na tym nie znają!

  • #8 03 Sie 2007 12:09
    fred117
    Poziom 21  

    Witam...
    Niestety na rynku jest bardzo niewiele przekaznikow ktore potrafilyby przeniec 15A przy napieciu 150V DC a na dodatek ich cena jest astronomiczna.
    Dlatego wlasnie stosuje mosfety.
    Mam kolejne pytanie.
    Czy zastosowanie dodatkowej pojemnosci miedzy bramka i zdodlem mogloby spowodowac "miekki" start ukladu ??
    Wtedy prad rozruchowy spadlby znacznie a chwilowy wzrost mocy tranzystorki jakos przelkna...
    Czy moglbym prosic kolege twazny'ego o przytoczenie zasad laczenia rownolegle bo mozliwe ze ktoras pominolem...
    PS Kolege Jerzego prosilbym jednak o pomoc a nie lapanie za slowka...

    Pozdrawiam...

  • #9 03 Sie 2007 13:34
    Jerzy Węglorz
    Poziom 38  

    "Miekki start" byłby mozliwy raczej przy zastosowaniu szeregowej indukcyjności, wówczas prąd w obwodzie głównym narasta wolniej, nie ma uderzenia. Niestety, indukcyjnosci na tak duże prady też są duże i drogie.
    Powolne załaczanie mosfeta powoduje z kolei, ze podczas takiego załączania wydziela się zbójecka moc w elemencie przełączajacym - w tym przypadku w mosfecie, jeżeli np. w jakimś momencie prąd wyniesie nominalne 8A przy napieciu na obciążeniu równym 60V, to drugie 60V razy 8A daje 480W, to naprawde dużo!
    Jeżeli sposób pracy układu nie polega na częstym i szybkim załączaniu i wyłączaniu, to rozwiązanie z przekaźnikiem nie ma sobie równych.
    Cena przekaźników nie jest aż tak astronomiczna (2.- zł?), zobacz tu:
    http://www.allegro.pl/search.php?string=przeka%C5%BAnik+

  • #10 03 Sie 2007 13:51
    fred117
    Poziom 21  

    Witam...
    nawet jezeli moc chwilowa osiagnie ponad 500W na tranzystorach to przez 1-2 s raz na pare giodzin...
    Co do samych przekaznikow:
    Chodzi o to ze sa to przekazniki na prad zmienny ktory duzo latwiej "przerwac". Przy pradzie stalym powstaja duze iskrzenia ktore (przez "oweglanie" stykow) moga prowadzic do spieczen stycznika.
    I dlatego upieram sie przy tych nieszczesnych mosfetach...
    PS a co Panowie/Panie sadzicie na temat owego napiecia pojawiajacago sie na bramce przy przalaczaniu pradow ???

    Pozdrawiam...

  • #11 03 Sie 2007 14:10
    Jerzy Węglorz
    Poziom 38  

    Przekaźniki "samochodowe" sa właśnie na prąd stały. Problemy z obwodami DC są wtedy, jeżeli obwód ma indukcyjność, u Ciebie tego nie ma, wiec nie będzie "ciągnięcia" łuku. Dla pewności można ewentualnie uzyć np. 2 przekaźników, o cewkach połączonych równolegle, a stykach połączonych szeregowo.
    A jak nie, to weź stycznik, np. SM0 lub SM1.

  • #12 03 Sie 2007 20:08
    mariuz
    Poziom 32  

    a może po prostu spróbować ograniczyć prąd początkowy halogenom? Co prawda zupełnie się nie znam na elektronice "wysokoprądowej" (wiem, że wysokoprądowa to kA), ale mam 3 luźne pomysły ;)

    1: http://indel.pl/ums.htm Indelowskie fabryczne ukłądy miękkiego startu. Nigdy nie korzystałem, nawet nei widziałem na oczy

    2: Indukcyjność w szereg z żarówkami (po namyśle na zasadzie wiedzy po 2 klasach technikum)

    3: Wg mnie najlepszy, to termistor NTC do silników.
    Tylko nie wiem, gdzie taki konkretny dostać :(
    Za to wiem jak działa: zimny ma rezystancję kilku-kilkunastu omów, a pod wpływem prądu przepływającego podgrzewa się on, aż osiągnie rezystancję rzędu od ułamka do kilku miliomów.
    Wiem , że te termistory(przynajmniej kiedyś) były produkowane z oznaczeniami pod konkretną moc silnika - Młody technik z lat osiemdziesiątych informował o czymś takim na 6kW. Niestety ta gazetka zaginęła razem z kilkunastoma innymi podczas remontu pokoju :(

  • #13 03 Sie 2007 21:13
    nemo07
    Poziom 36  

    schnelltot napisał:
    a może po prostu spróbować ograniczyć prąd początkowy halogenom? ...
    3: Wg mnie najlepszy, to termistor NTC ...
    Pomysl jest dobry, ale przy pradach jakie tu wchodza w gre wystarcza warunki:
    a) odpowiednie Power MOS i
    b) uklad ich nalezytego sterowania.
    Jesli przyjac prad znamionowy rzedu 10A i dwudziestokrotnie wyzszy prad "zimny" halogenow w szczycie, wystarczyloby kilka porzadnych Power MOS z kanalem N (lub jeden na ca. 200A).
    Tymczasem kolega fred117 uparl sie, ze bedzie formatowac kilkuamperowe egzemplarze.

    fred117 napisał:
    Witam...
    nawet jezeli moc chwilowa osiagnie ponad 500W na tranzystorach to przez 1-2 s raz na pare giodzin...
    Slabo sie starasz.
    W tym ukladzie mozna formatowac co najmniej 240 sztuk Power MOS w ciagu jednej godziny, leciutko. Ale trzeba przewidziec podstawki dla tranzystorow, a nie babrac sie z lutownica dla kazdej jednej czworki. :idea:
    fred117, bez urazy: Ten temat daleko przerasta Twoj aktualny stan wiedzy. Nie potrafisz nawet kojarzyc tak prostych spraw jak dyskrepancja miedzy tym, jakie napiecie na bramce "mierzysz praktycznie" ("9 volt cos tam"), a tym jakie wynikaloby z ukladu, a mianowicie 4,2.... 6,3V.
    A jest to proste zadanie rachunkowe.
    Nie czytasz, a jesli nawet czytasz, to nie rozumiesz podstawowych specyfikacji uzywanych elementow elektronicznych. Przy tym "wiesz lepiej", niz koledzy, ktorych czas i cierpliwosc nadwerezasz bezsensownie.
    Zaadresuj swoje "bolaczki" do dzialu 27 - "Poczatkujacy, laborki etc. - tam jest bardziej stosowne dla nich miejsce.
    fred117 napisał:
    Co do samych przekaznikow:
    Chodzi o to ze sa to przekazniki na prad zmienny ktory duzo latwiej "przerwac". Przy pradzie stalym powstaja duze iskrzenia ktore (przez "oweglanie" stykow) moga prowadzic do spieczen stycznika.
    Genialne: Wkladasz przekaznik na prad zmienny i w ukladzie pradu stalego zaczyna plynac prad zmienny.
    Mam juz pierwszy pomysl z tej beczki:
    Wlewasz diesel do silnika benzynowego i masz silnik diesel ... itd.
    Pozdrawiam

  • #14 03 Sie 2007 21:17
    twazny
    Poziom 26  

    500W przy powolnym narastaniu napięcia i zimnych halogenach to myślę bardzo optymistyczne założenie.
    Równoległe łączenie to rezystory wyrównawcze w źródłach - w tym przypadku ze względu na prąd, odpowiednio dobrane odcinki drutu np. ze spirali.
    Modulacja napięcia na bramce jest związana z millerowską pojemnością dren-bramka. Przy szybkiej zmianie napięcia o dużej amplitudzie w obszarze dren-źródło, bramka poprzez pojemność jest po prostu fałszywie sterowana. Problem jest jeszcze bardziej skomplikowany gdyż ze względu na budowe półprzewodnika mosfet wzbudzony w taki sposób potrafi błyskawicznie się rozpędzić do wielu megaherców i puf. Sprawa szeroko opisywana w literaturze. Nawet na elektrodzie jakbyś zerknął na posty o przetwornicach dużych mocy, było wiele opisów i linków na te tematy.
    To tak silnie upraszczając i w skrócie, bo jak wnioskuję po pytaniach, chyba na razie stosowanie mosfetów w odpowiedzialnych aplikacjach, wybacz, ale jest poza Twoim zasięgiem.
    Też stary już jestem, ale nie dla tego polecam jak kolega przekaźnik. Prostota,skuteczność, wysoka bezawaryjność,koszt, tyle zalet nie wystarczy?

  • #15 03 Sie 2007 21:40
    fred117
    Poziom 21  

    Witam...
    Na wstepie prosze kolege nemo o dokladne czytanie postow gdzie znajdzie on iz jeden z rezystorow na schemacie jest zle oznaczony. Jezeli sobie podstawi 10k zamiast 4,7k wynik bedzie poprawny.Co do 9,cos tam- nie mam pamieci fotograficznej i nie pamietam dokladnego wyniku ale jestem pewien iz byl on wiekszy od 9V.
    Skoro przekazniki sa tak cudne to czy moglbym Panow prosic o podanie paru modeli z duzym amperazem i napieciem pradu stalego (nie zmiennego bo to duza roznica).

    Dziekuje i pozdrawiam...

    PS koledze nemo podziekuje za wysilki gdyz widze iz nie pojmuje Pan mojego toku rozumowania...

  • #16 03 Sie 2007 22:02
    skywalker
    Poziom 22  

    Witam
    chciałbym zauważyć że jednak (mimo kłopotów przy projektowaniu i to nie małych) lepszy jest układ tranzystorowy niż przekaźnik np teraz w motoryzacji do włączania świec żarowych (prądy równie duże) stosowane są właśnie tranzystory mos a nie przekaźniki które rozlatują się po pewnym czasie albo co gorsza "zapiekają" tworząc piękne zwarcie co przy ciągłym grzaniu świeć żarowych powoduje ciekawe efekty.
    Sam mam zamiar zbudować taki sterownik świec dla kolegi ,ale narazie posiadam zbyt małą wiedzę.
    Oczywiście spalony tranzystor może dać ten sam efekt co "zapieczony" styk.

    a może tak ? bo N-MOSY są tańsze
    Umierajace MOSFETy. Co może być nie tak?

    pozdrawiam Łukasz

  • #17 03 Sie 2007 23:23
    nemo07
    Poziom 36  

    Jest dokladnie, jak piszesz, skywalker.
    Przekazniki maja skonczony okres cykli (typowo rzedu dzesiatek tysiecy), a prad DC jest ich pieta achillesowa, dlatego nie wchodza w gre w sterownikach do swiec zarowych itp.
    Tranzystory Power MOS sprawiaja problemy w szybkich ukladach, szczegolnie przy indukcyjnym obciazeniu.
    Ale przy niskich czestotliwosciach projekt nie przedstawia wiekszego problemu. Trzeba jedynie zadbac o prace tranzystora MOS w zakresie "safe operating area" (SOA), co oznacza:
    1. Uzyc tranzystora o dostatecznie niskiej Rds-on (praktycznie preferencje maja typy z kanalem N).
    2. Zapewnic wystarczajaco wysokie napiecie wlaczenia Ugs (typowo 15V) dla zapwnienia niskiej Rds-on.
    3. Przelaczac szybko, znaczy niska impedancje drivera (widziana przez bramke), rzedu 100Ω (w obydwu kierunkach!) lub mniej.
    4. Nie przekraczac Idmax (spec "continuous", nie "pulsed" - ten odnosi sie do mikrosekundowych czasow), Uds-max oraz Pmax.
    Przekroczenie Pmax w ulamku sekundy niszczy termicznie strukture ze wzgledu na jej maly volumen i niska pojemnosc cieplna; i najwieksze radiatory nie pomoga!
    Znaczne przekroczenie parametru Idmax natomiast prowadzi do "rozpylenia " bondig (drucika od zrodla do jego metalowej koncowki). Tak rozpylony bonding wyzwala luk, ktory niszczy rowniez cala strukture w czasie milisekund.
    Znaczne przekroczenie Uds-max (typowo dwokrotne) prowadzi do przebicia G-D.
    Prad Idmax wyliczysz z szeregowego polaczenia Rds-on i "zimnej" wartosci opornosci obciazenia, ktora dla wszelkich elementow zarowych moze byc 20...50-krotnie nizsza od nominalnej. Te wartosc mozesz zmierzyc omomierzem i to jest baza wyjsciowa do kluczowych krytycznych obliczen (Pmax, Idmax).
    W Twoim schemacie dokonalbym nastepujacych zmian:
    1. R4 zmniejszyl do wartosci <10k (patrz specs Ton/Toff vs Rbe dla 4N35).
    2. W miejsce T1/R3 wlozyl MOS driver (MC34151 lub tp.) lub uzyl pare komplementarna PNP/NPN ze zwartymi razem bazami i emiterami oraz szeregowym rezystorem z miterow do bramki, rzedu 50...100Ω (chodzi o niska impedancje sterujaca).
    Tyle pokrotce.
    Pozdrawiam

  • #18 04 Sie 2007 09:19
    fred117
    Poziom 21  

    Witam...
    Znalazlem tranzystor kroty wytrzyma 43A (IRF 3415) czyli x4= 172A a w impulsie w sumie do 600A. Jest tylko jeden mankament...
    Sa na 150V i moje pytanie brzmi czy one wytrzymaja to napiecie ???
    Fakt ze w obwodzie nie ma indukcyjnosci ale moze jakies inne rzeczy moga na to wplywac...

    Pozdrawiam...

  • #19 04 Sie 2007 09:57
    submariner
    Poziom 32  

    nie wiem czy dobrze interpretuje schemat ktory zalaczyles , do zdrodla podpioles akumulatory ktore maja dyc rozladowywane poprzez oporniki 600W?
    jesli tak to blad poplynie wtedy prad poprzez diody pasozytnicze mosfeta i to on przy takim obciazeniu byskawicznie zniszczy tranzystor , jesli natomiast jest to dren-ze schematu to nie wynika to na bramke podales ponad 100V(wazna roznica napiec nie ich kieronek)?
    to przy pierwszym wlaczeniu zniszczy tranzystory bramka wytrzymuje max 20 V , proponuje zastosowac N-Mos i zarowki sa calkiem dobrym rozwiazaniem , do + akumulatora zarowka potem dren , zrodlo do masy co do sterowania to max 16V na bramke , zreszta to jest tez max do popularnych transoptorow nie musisz opornika bramka masa bo transoptory i tak maja kilku Mohm opornosc zwierajaca bramke do masy wiec przypadkowego zalaczenia nie bedzie - bramka bedzie rozladowana , napiecie na bramke mozesz podac z dzielnika oporowego (+akumulatora masa) , pamietaj ze taki uklad bedzie odwracal sygnal transoptor wysterowany rozladowanie wylaczone
    oczywiscie mozna to odwrocic w ten sposob , ze na bramki mosfetow opornik do masy a z emitera transoptora sterowac bramki mos , kolektor transoptora do dzielnika- podobnie jak zaproponowal kolega skylwalker.

  • #20 04 Sie 2007 10:10
    r2d2004
    Poziom 31  

    Witam!

    Popieram w całości, to co napisał nemo07. Sterowanie mosfeta mocy bezpośrednio z transoptora to niezbyt dobry pomysł.

    Pozdrawiam
    PS Autor tego tematu ma podobne problemy:

    https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic804642.html

    ... ale tam dodatkowo występują przepięcia na obciążeniu indukcyjnym

  • #21 04 Sie 2007 18:00
    Jerzy Węglorz
    Poziom 38  

    nemo07 !
    Zgadzam sie z Twoimi wywodami, z jednym wyjatkiem: trwałość przekaźników jest określana nie na dziesiatki tysięcy zadziałań, tylko na dziesiątki milionów!
    Tu jest karta katalogowa przekaźników RELPOL :
    http://www.cyfronika.com.pl/p_relpol.htm
    jest podawany parametr ilości przełączeń: 50 000 000, ale myślę, ze w tym konkretnym zastosowaniu trwałość 1000 razy niższa też by nie była przeszkodą.
    Pozdr.!

  • #22 04 Sie 2007 23:05
    nemo07
    Poziom 36  

    Drogi kolego.
    Mowa tu o mechanicznej wytrzymalosci (stoi jak byk). Eletryczna zywotnosc jest typowo o rzad lub kilka mniejsza.
    Zadna szanujaca sie firma nie podaje tak astronomicznych wartosci cykli.
    Poza tym, nie o takich drobiazgach pisalem, lecz o przekaznikach na kilkaset A.
    Typowe sa wartosci 2 mln cykli/100 tys. cykli - ale dla standardowych przkaznikow srednich mocy (do 30A). A "grubsze" trzeba dlugo szukac.
    Pogooglaj "high power relays" i poczytaj uwaznie parametry (praca przy DC vs AC), a zrozumiesz, jakie sa przeszkody.
    Pozdrawiam.

  • #23 07 Sie 2007 11:58
    fred117
    Poziom 21  

    Witam...
    Mam pytanie co do ukladu kolegi skywalkera.
    Czy oporniki 0.1Ω miedzy masa a zrodlem tranzywstorow nie spowoduja (przy duzym pradzie startowym lamp) sporego spadku napiecia na bramce co moze zmniejszyc rezystancje tranzywstorow i przeciazyc je mocowo.
    Czy moge je wstawic za traznystorami (tzn od strony drena).


    Pozdrawiam...

  • #24 07 Sie 2007 13:25
    skywalker
    Poziom 22  

    Ja bym spróbował i tak i tak teoretycznie przy impulsie prądowym np 40A na takim rezystorze pojawi się spadek 40A * 0.1Ω=4V co zmniejszy napięcie UGS o 4V .
    Trudno "zgadnąć" jaki jest ten impuls czy to 120A czy 40A ? Te tranzystory nie są aż tak drogie :). Jeśli rezystory dać w dreny nic nie będzie ograniczało napięcia ugs.
    Jak już koledzy z elektrody wspomnieli należy poprawić sterownie bramką "od dołu"
    albo zamontować parę komplementarną , albo jakiś scalony driver (może coś z serii ULN)

    ps te tranzystory mają sporo większy prąd niż nich odp. z kanałem P może wystarczą nawet 2szt tylko odp. dobrze wysterowane.

    https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic229898.html
    o tu masz temat w którym jest taki prosty driver na tranzystorach możesz go sobie "pożyczyć " i zaadoptować do własnych celów tak aby był włączany optoizolatorem.
    a tu ciekawostka od ST
    http://www.st.com/stonline/products/families/...tors/power_bipolars/related_info/s01dtp06.htm


    Łukasz

  • #25 07 Sie 2007 16:39
    fred117
    Poziom 21  

    Witam...
    Jezlei chodzi o napiecie Ugs to wiekszego niz 12V nie bedzie ze wzgledu na takie zasilenie ukladu od strony "malopradowej". Jednoczesnie pod owy uklad docelowo ma byc podlaczone 6 lamp po 600W a impuls rozruchowy moze siegac 300A. (Rezystancja zimnego halogenu =3Ω).
    Postanowilem zastosowac 6x IRF3415 (43A pradu ciaglegom, 150A w impulsie /szt.) a rezystory chcialem wrzucic w celu wyrownania rozplywajacych sie pradow.
    Dodatkowo jednak Twoje zastosowanie ukladu sterujacego bardziej mi sie podoba ze wzgledu na napiecie na bramce osiagajace 0V a przy driverze bedzie ono mialo minimalnie paredziesiat mV. Niby to nic jednak juz moze spowodowac delikatne otworzenie kanalu a przy takich napieciach i obciarzeniach zniszczy tranzystor w pare sekund. Jedyne co bym zmienil to tranzystor sterujacy w ukladzie WE oraz zminiejszyl rezystor od 1k ze wzgledu na lepsze zdolnosci przelaczajace. Prosze o konsultacje co do tych modyfikacji...

    Pozdrawiam...

  • #26 07 Sie 2007 17:05
    skywalker
    Poziom 22  

    Witam ponownie
    Proszę spojrzeć na kartę katalogową irf640 napięcie otwarcia kanału min 2V.
    Mogę się mylić ale chyba żaden mosfet mocy nie otwiera się przy 0.1V.
    Impuls prądu tranzystora irf640 to 72A przy 4 szt daje to 240A powinno być wystarczające .
    Ja nie pracuje w firmie produkującej urządzenia mocy ,ale wg mnie układ należy robić tanio a irf640 są tanie jedne z tańszych mosfetów na wys. napięcie rezystory wyrównawcze warto dać Ceramiczne może będą potrzebne większe niż 10W (one chyba posiadają sporą indukcyjność )
    driver w konfiguracji NPN PNP jako wtórniki pomoże wyprowadzić ładunek z poj. bramki w sposób b. szybki można dobrać zbliżone tranzystory do bc337/27 tylko z większym prądem kolektora np 1/2A muszą mieć spore wzmocnienie prądowe.

    oczywiście przy 6 lampach te tranzystory nie wystarczą ,ale warto na początek uruchomić
    układ prosty a potem porywać się na Przełączanie mocy kilka KW.
    ps driver można by zmontować z tranzystorów SMD a do bramek mosów należy dodać w szereg małe oporności .
    Łukasz

 Szukaj w ofercie
Zamknij 
Wyszukaj w ofercie 200 tys. produktów TME