Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
TermopastyTermopasty
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Łączenie równoległe tranzystorów MOSFET.

08 Paź 2007 18:45 9627 8
  • Poziom 12  
    Witam.

    Czy można połączyć równolegle 10 sztuk identycznych tranzystorów MOSFET w celu uzyskania łącznego prądu 10 razy większego niż w przypadku pojedynczego MOSFET-a ??

    Pytam, ponieważ cena 10 sztuk tranzystora MOSFET o średnim prądzie drenu jest wielokrotnie niższa od ceny pojedynczego tranzystora MOSFET o dużym prądzie drenu...

    Proszę o pomoc.

    Dziękuję i pozdrawiam.

    Łukasz Kiełbowicz
    Darmowe szkolenie: Ethernet w przemyśle dziś i jutro. Zarejestruj się za darmo.
  • TermopastyTermopasty
  • Poziom 19  
    witam , teoretycznie jest to możliwe , lecz praktyka pewnie powie nie ze względu na różne parametry nawet w tej samej grupie , chyba że będzie to układ dwu stanowy ,.... to jest tylko moje skromne zdane i nie stanowi wzorca pozdrawiam
  • Poziom 12  
    Witam.

    Te 10 tranzystorów MOSFET ma pracować jako klucze w przetwornicy DC/DC, więc będą pracować w stanie całkowitego przewodzenia lub całkowitego odcięcia...

    Pytanie moje sprowadza się do tego, czy przy jednakowych tranzystorach prąd prąd płynący przez każdy MOSFET będzie w przybliżeniu chociaż równy...


    Czy nie będzie tak, że przy jednakowym sygnale sterującym bramki MOSFET o maksymalnym prądzie 30A zacznie przewodzić prąd 40A a sąsiedni MOSFET zamiast 30A będzie przewodzić 20A... ??

    Proszę o odpowiedź.

    Dziękuję i pozdrawiam.

    Łukasz Kiełbowicz
  • TermopastyTermopasty
  • Poziom 42  
    W przetwornicach można bezpiecznie łączyć MOSFETy równolegle. Nawet jeśli początkowo prąd nie będzie równy, to dodatni współczynnik temperaturowy Rdson spowoduje, że prąd będzie dążył do wyrównania, szczególnie, gdy MOSFETy _nie_ będą termicznie sprzężone (w odróżnieniu od bipolarnych, gdzie termiczne sprzężenie jest konieczne ze względu na ujemny współczynnik temperaturowy Ube i dodatni dla h21e).

    Jednak nie należy przesadzać z ilością równolegle łączonych MOSFETów - zanim całość się termicznie ustabilizuje, może dojść do przeciążenia tranzystorów o mniejszej Rdson.
  • Poziom 23  
    Witam! J.w.-można. Uwaga tylko na szczegóły. Tranzystorki powinny być z jednej serii. W przetwornicy mniej newralgicznym jest stan przewodzenia. Największym "kilerem" jest przełączanie. Żeby trochę pochodziły, musisz zadbać o jednakowe reaktancje w obwodach tranzystorów. Tajemnica tkwi w projekcie druku.
  • Poziom 14  
    Naprawiałem kiedyś układ do napędu wózka widłowego aku 80V i silnik 10kW, był to sterownik PWM i ze 40 połączonych równolegle mosfetów. Sterownik był wykonany „chałupniczo” totalna lipa w wykonaniu, samoróba bez żadnych zabezpieczeń itp. Mimo to działał bez zastrzeżeń przez wiele lat.
  • Poziom 39  
    Bardzo ważny jest driver, aby nadążał przeładować pojemności bramek w czasie <100ns. Przy równoległym łączeniu mosfetów niezbędna jest także separacja bramek za pomocą rezystorów o wartości kilka - kilkanaście ohm.
    Czy to będzie jakaś spawarka??
  • Poziom 12  
    Witam.

    Na wiosnę planuję zbudować spawarkę do aluminium o prądzie spawania 250A i chcę ją zbudować na tranzystorach MOSFET IRFPS59N60C.

    Spawarka ta będzie zbudowana w topologii mostka H, czyli potrzebuję 4 sztuki łączników mocy o prądzie 250A każdy...

    Mostek H będzie zasilany z dwóch trójfazowych mostków prostowniczych o wydajności 160A każdy...

    Mostek H będzie sterował szeregowo połączoną cewką magazynującą i łukiem elektrycznym...

    Poprzez sterowanie PWM o wartości około 0.1 chcę uzyskać napięcie łuku około 30V przy zasilaniu 300VC, czyli chcę zbudować dużą przetwornicę obniżającą...

    W przypadku okresowej zmiany polaryzacji elektrody spawalniczej względem aluminium, wystarczy, że odpowiednio przełączę tranzystory w mostku H...

    I tu mam inne pytanie...

    Jeżeli przez 0.1 okresu przewodzić będą dwa z czerech łączników mostka H prąd 250A, to w sumie będą przewodzić średni prąd o wartości 25A. Czy starczy użyć 2 sztuki tranzystorów IRFPS59N60C połączonych równolegle??

    Jest jeszcze jeden problem, ponieważ przez 0.9 okresu będą przewodzić dwie diody zawarte w dwóch łącznikach przeciwnych do tych, które przewodziły podczas 0.1 okresu i tutaj prąd średni będzie już na poziomie 225A. W katalogu opisano, że spadek napięcia na diodzie wynosi 1.2V..

    Czy biorąc pod uwagę te dwa stany opisane powyżej można zastosować po 2 sztuki tranzystorów IRFPS59N60C połączonych równolegle na każdy z 4 łączników mostka H ?

    Łukasz Kiełbowicz
  • Poziom 2  
    lechoo napisał:
    Bardzo ważny jest driver, aby nadążał przeładować pojemności bramek w czasie <100ns. Przy równoległym łączeniu mosfetów niezbędna jest także separacja bramek za pomocą rezystorów o wartości kilka - kilkanaście ohm.
    Czy to będzie jakaś spawarka??


    Witam
    Znalazłem sposób łączenia :

    Rys. 4b. Sposób równoległego łączenia tranzystorów MOSFET

    Przy łączeniu równoległym wymaga się, aby tranzystory T1 i T2 były sterowane tym samym napięciem, przy zapewnieniu dopływu do bramek tego samego prądu. Nie wskazane jest bezpośrednie łączenie bramek. Należy skorzystać z osobnych tranzystorów. Dodatkowo trzeba pamiętać o symetrii doprowadzeń. Rezystory o niewielkiej wartości powinny zostać przyłączone szeregowo z bramką każdego z tranzystorów, aby zmniejszyć ryzyko powstania szkodliwych oscylacji.
    http://www.bezel.com.pl/index.php/urzadzenia-energoelektroniczne/energoelektronika

    Mam pytanie .
    W jaki sposób dobrać rezystory do tego układu ?????