Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Samsung chassis KS7A - temperatura Q801 IRF620 (EW-Drive)

06 Lis 2007 19:45 2752 3
  • Poziom 12  
    Mam pytanie odnośnie temperatury pracy tranzystora Q801 IRF620, który pracuje w układzie końcowym EW. W moim przypadku radiator osiągał dość wysoką temperaturę w bardzo krótkim czasie. W odbiorniku uszkodzony był klucz H. Nie udało mi się ustalić przyczyny jego uszkodzenia i po wstawieniu nowego telewizor gra. Jedynie co mnie niepokoi to właśnie tytułowy Q801. Zaznaczam, że geometria jest bez zarzutu. Być może tak ma być i szukam dziury w całym ale wolę się upewnić.
  • Poziom 27  
    Przegrzewanie tranzystora w EW często jest powodowane zwarciem zwojowym cewki dołączonej między tranzystorem, a diodami szeregowymi wiszącymi na kolektorze klucza H (tutaj L405). Może też być przyczyną ubytek pojemności równoległej do diod, lub przerwą samej diody (tutaj D404) . Proponowałbym podmianę diod i pojemności nanofaradowych przy tych diodach i tranzystorze.
  • Poziom 12  
    Spotkałem się z nagrzewaniem radiatora do ok 68st C
    w podobnego typu tv (Pom. dokonany sondą -termoparą-przyłożoną z pastą przewodzącą)-Ale należy sprawdzić elementy wymienione przez robertamel
  • Poziom 12  
    No dobrze, ale czy w w przypadku uszkodzenia któregoś z wymienionych wyżej elementów nie powinno coś się dziać z geometrią?