Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Find the latest content on electronic components. Datasheets.com
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Projektowanie wzmacniaczy IGBT ew MOSFET

skywalker 24 Dec 2003 13:55 1573 6
Altium Designer Computer Controls
  • #1
    skywalker
    Level 22  
    Witam
    Czy ktoś z was zajmował się tym chodzi mi poprostu o założenie jakie nalezy przyjąć niby to tranzystory sterowane napięciem ale mosfety mają duza pojemnośc bramki wiec muszą być sterowane wydajnym źródeł prądowym...
    Chciałbym poprostu więcej rozumieć bo raczej nie będe projektował bo i tak jest mnóstwo takich schematów w sieci...
    Pozdrawiam i Wesołych Świąt
    ---------------------------------------------------------------------------------
    Poprawiłem tytuł sorry za literówkę było IGTB ....


    Przeniesiony z "Akustyka" Regulamin!!! (za)
  • Altium Designer Computer Controls
  • Altium Designer Computer Controls
  • #3
    candle
    Monitors specialist
    mosfety steruje sie para komplementarna aby szybko przeladowywac te ich pojemnosci, spojz tez na specyfikacje tranzystorow hex-fet
  • #4
    gm
    Level 13  
    zależy do czego chcesz wykożystać taki tranzystor. W układachcyfrowych wystarczy sterowanie z wyjścia bramki typu AC i masz problem z głowy.We wzmacniacza gdzie ważna jest liniowość sprawa się już niestety komlikuje zwłaszcza gdy chcesz połączyć równolegle tranzystory mos albo gdy pojawia sie dodatkowy biegun.
  • #5
    skywalker
    Level 22  
    Widzę ze nikt się tym konkretnie nie zajmuje a szkoda...
    gdy będe miał za duzo czasu ,to będe miał się czym zająć ....
  • #6
    arturo29
    Level 11  
    nieprojektuj tylko sprawdż gotowe poco wywarzać otwarte dzwi,pewniejakbyśbodmienil wyjściowe bipolarne na igbt lub mosfet toby chodzilo masz gotowe artykuły zelektora: 10/95 i 1/94 sorry żeniemam skanera bobym rzucił na forum łącze pozdrowienia arturo29
  • #7
    irek2
    Level 40  
    W praktyce pojemnosci te nie sa takie duze i wynosza ok 100pF w ukladzie wtornika zrodlowego. W ukladzie wzmacniacza ze wspolnym zrodlem sa niestety duze i osiagaja 1-3nF/tranzystor. W praktyce zmiana tranzystorow w stopniu wyjsciowym z bipolarnych na mosfety nic nie spowoduje wzmacniacz bedzie dzialal prawidlowo. Moze bedzie trzeba zmienic kompensacje.