Badanie tranzystora + MicroCap

Witam,

Pyt1:

Zaczalem badac podstawowe wlasciwosci tranzystora przy pomocy programu MicroCap, najpierw postanowiłem obliczyć B tranzystora, jako stosunek Ic do Ib. Więc wyliczyłem B = 113,5 . Wydaje mi sie ze nie popelnilem bledu przy liczeniu, ale chciałem sprawdzić czy ten tranzystor w MC jest opisany tym parametrem. Jedyne co wydaje mi sie tutaj godne uwagi, to Forward Beta, ktora jednak jest równa 200 :/ I teraz nie wiem, czy po prostu nie da sie ustawić tego parametru, czy może ja tą betę źle liczę? Model tranzystora to 2N4123 . Poniżej przedstawiam schemat:



Pyt2:

Dlaczego prąd emitera ma przeciwny znak niż prąd kolektora?! czy nie plyna w tym samym kierunku?!

Ad1 Beta nie jest stała i zależy od prądu kolektora
zobacz rys 9 na stronie czwartej
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N4123-D.PDF

Ad2
Tak prąd kolektora płynie w tym samym kierunku co prąd emitera. Ale jakoś tak sie przyjęło ze prąd wypływający z danej nóżki traktuje sie w symulacjach jako ujemny.

W takim razie dlaczego w pewnym artykule (http://www.eres.alpha.pl/elektronika/readarticle.php?article_id=16) obliczaja B jako stosunek Ic/Ib? Czy w takim razie to nie ma wiekszego sensu i B jest zawsze zmienne? Czy to moze jest tylko dla tego tranzystora?

Wszystko sie zgadza β=hfe=h21=Ic/Ib.
I w każdym tranzystorze bipolarnym hfe zależy od prądu kolektora i nic na to nie da sie poradzić.
Układy na tranzystorach powinny być tak projektowane by zmiany Hfe nie miały dużego wpływu na prace układu.

No dobrze, jest zależna, ale nie widze w tym pdfie, żeby tam hFE osiagalo wartość 113 dla pradu Ic o wartosci z rysunku, tylko 1.0 :/ i jeszcze co oznacza h21?

No tak bo akurat ten wykres pokazuje wartosci znormalizowane. Zobacz rys 5 tam masz konkretne liczby dla 10mA hfe typowo wyniesie 150[A/A]
Zresztą katalog podaje ze "DC Current Gain" Hfe może wynieść od 50 do 150 dla Ic=2mA.
A symulacja to tylko symulacja. No i do obliczeń przyjmujemy najmniejszą wartosc Hfe.
A H21 to też Ic/Ib.
I jeśli dopiero zaczynasz przygodę z tranzystorami nie przejmuj się tym zbytnio

Po prostu musisz pogodzić się że elementów idealnych (liniowych w całym zakresie prądów kolektora)-nie ma. Dla małych i dla dużych (bliskich prądowi nasycenia) ch-ka się zagina. Jedynie środkowy obszar jest ze stałym hFE