Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Budowa wzmacniacza pseudo-complementar na N-MOSFET

04 Sty 2004 23:30 8121 19
  • Poziom 13  
    Witam
    Właśnie buduję wzmacniacz na N-MOSFET'ach IRF640 w układzie tzw quasicomplementarnym, czyli obie gałęzie (+/-) na N-kanałowych.
    Moc ok 150-200W.
    Jest to końcówka do hybrydowego pieca gitarowego z preampem lampowym.
    Oparłem się na schemacie z czaspoisma "Nowy Elektronik", występuje on również jako kit NE 107-K.
    Niestety pojawiły się problemy z uzyskaniem pełnej mocy na wyjściu i nierównomiernym wysterowaniem obu gałęzi.
    Chętnie przeczytam opinie i sugestie na jego temat.
    Podobny układ jest w piśmie "ELEKTOR" nr 9 z 1996r, tyle, że na BUZ23
  • Poziom 23  
    witam zainteresowanych tematem -zajmuję sie sprzętem nagłośnieniowym i troszkę mnie przeraża ta konstrukcja (hehehehe - pod kątem pseudo-rozwiązań) ale też sie skusiłem na zakup gotowego kitu (miałem zamiar wmontować ten wzmacniacz na podmiankę zamiast spalonej końcówki w aktywnym odsłuchu scenicznym) na razie jestem na etapie "doskakiwania" w wolnym czasie do montażu elementów. ogólnie mówiąc - nie zabardzo podoba mi sie podwójny stopień wejściowy (dziwnie połączone dwa wzmacniacze różnicowe co niewrózy dobrych parametrów) oraz sterowanie wzmocnieniem wzmacniacza poprzez termistory (krótko mówiąc - spodziewać sie można wprowadzenia szumów poprzez niestabilny element) oraz tranzystor polowy BF245 jako źródło pradowe (przecież one mają duże szumy !) - on sobie może być jako "zawór" sygnału wejściowego w miarę postępu prac będę relacjonował .Natomiast kilka dni temu rozmawiałem z facetem, który też wykonał ten układ (zmontowany z kit-u) i miał poważne problemy z uruchomieniem - ale zapewniał że producent zestawu udzielił mu wystarczającej pomocy (kilkadziesiąt maili tygodniowo - hehehehe) osobiście proponuję zliwidowac te układy zabezpieczeń i zastąpić je osobnym układem limitera (komparator porównujący sygnał wyjściowy i odpowiednio zmniejszający sygnał na wejściu i tak samo działający układ z termistorem
  • Poziom 19  
    W związku z tematem mam pytanie do szanownych kolegów, planuje zbudować końcówkę mocy na MOSFET-ach ale z tylko z kanełem N i mam takie pytanko: czy w zamieszczonym schemacie tranzystory typu P można zamienić na N? Kolega elektronik powiedział mi że tak lecz na WY trzeba dać dren a na zasilanie żródło i sterowanie wziąść (chyba) z emitera T7. Co wy na to :?: Podany schemat pochodzi z PE podobny był również w EP.
  • Poziom 37  
    Jeśli są dostępne tranzystory komplementarne to po co robić quasi?Takie konstrukcje były koniecznością w latach kiedy nie było dobrych tranzystorów mocy PNP i p-kanałowych.Teraz mija się to z celem bo jeden pracuje jako wtórnik ze wspólnym drenem a drugi jako wzmacniacz ze wspólnym źródłem.Ten z załacznika który dał jehowy przekonuje bardziej niż ten n-kanałowy.
  • Poziom 26  
    jehowy: nie można ich zamienić w tym układzie bo w najlepszym razie nie zadziała.
    Pi-Vo: O ile żadnym problemem nie jest wyprodukowanie i dobranie dyskretnej pary tranzystorów komplementarnych, o tyle w dalszym ciągu są duże problemy z wytworzeniem tranzystora pnp o akceptowalnych parametrach w układach scalonych (i tam długo jeszcze będą stosowane stopnie quasikomplementarne). Obecna technika nie pozwala też jeszcze wyprodukować tranzystora polowego MOSFET z kanałem p o dobrych parametrach tzn porównywalnych z jego "komplementarnym" odpowiednikiem z kanałem n. Chodzi tu o inny typ przewodnictwa (kanał n - elektrony, kanał p - "dziury").
    Marcus: NE107K ma błąd polegający na tym że stopień wejściowy i sterujący powinien być zasilany napięciem dodatnim wyższym o kilka-kilkanaście voltów od stopnia mocy (ujemne bez zmian). Zasilanie tym samym napięciem nie pozwala na pełne wysterowanie "górnych" tranzystorów z kanałem n gdyż na ich bramki trzeba przyłożyć napięcie o 6-8 V wyższe niż występujące na źródle, a więc również na drenie kiedy tranzystor jest otwarty.
  • Poziom 19  
    Pi-Vo chodzi mi przede wszystkim o koszt. Mos-y z kanełem N są tańsze - to po pierwsze, po 2 mają lepsze parametry, tj. większy prąd drenu, są szybsze itd. Po za tym trudno skompletować parę o tych samych parametrach (nie chodzi mi o parowanie), oczywiście są Mos-y komplementarne o tych samych parametrach ale troszkę dużo kosztują. :( No chyba że wiesz gdzie takowe można kupić. Albo może wiesz skąd można ściągnąć schemat końcówki mocy na MOSFET-ach z kanełem N w stopniu końcowym? Chodzi mi o mocy około 300-400W na 4omach tak żeby gral również na 2omach. :D
  • Poziom 42  
    Jeżeli można to ja też dorzucę swoje trzy grosze, przejrzałem obydwa schematy i jeżeli miałbym się podjąć budowy to ten drugi od kolegi jehowy bardziej by mi się widział, ale ja osobiście wprowadził bym pewne zmiany.
    Tranzystor T1 i T2 wymieniłbym na egzemplarze o wyższym napięciu, ponieważ na ich złączach odłoży się napięcie bliskie zasilaniu, a one mają 80V jest to pierwszy powód do usterki, po drugie kondensator C8 18pF zlikwidowałbym, teoretycznie on jest wskazany, ale w praktyce często i gęsto jest powodem wzbudzania i to na niskich częstotliwościach, największym niedopatrzeniem konstruktora jest wstawienie regulacji prądu spoczynkowego między bazę a kolektor tranzystora, gdy w procesie starzenia się, nastąpi przerwa, to z powodu nagłego zwrostu maksymalnego prądu w jednej sekundzie wszystkie tranzystory mocy ulegną uszkodzeniu pociągając za sobą układ napięciowy, dlatego regulacja ta powinna być między bazą a emiterem.
    Sprawa samych mosfetów, jeżeli wzmacniacz miałby przeznaczenie domowe, to niech sobie tam będą, ale jeżeli miało by to poważniejsze przeznaczenie, to na pewno bym się zdecydował na tranzystory, mają one za mała powierzchnię chłodzenia, jest to tylko układ prądowy i nie wiele ma on wspólnego z jakością, decydujący wpływ na parametry ma cały układ napięciowy, a wstawiając tam tranzystory nap. 2N5200 i 2SA1943 200V 15A 150W 30MHz uzyskamy w sumie 1200W w końcówce, podnosząc o parę woltów do 2x80V uzyskamy 400W sinus przy 4oHm, a przy 2 oHm 800W i 400W jeszcze zapasu przy dobrym chłodzeniu, i byłbym o wiele spokojniejszy niż przy tych małych mosfetach.
    Pozdrawiam.
  • Poziom 40  
    Co do tego schamatu z PE to niestety jest kiepski. Jest to co prawda klasyczny schemat ukladu wzmacniacza z tranzystorami N-Mosfet i takie rozwiazanie wymusza zastosowanie wlasnie dwoch stopni roznicowych. Wada rozwiazania PE jest niesymetrycznosc w wysterowaniu dwoch polowek sygnalu. Po prostu ujemne napiecie wyjsciowe moze osiagnac wartosci bliskie napieciu zasilania za to dodatnie duzo mniejsze ze wzgledu na zrodlo pradowe i stopien roznicowy pracujacy w nasyceniu. Taka wade ma juz ta konstrukcja. Ja rozwiazalem ja porzez dodanie bootstrapu napieciowego w gornej galazi ktory podnosi napiecie zasilania stopnia napieciowego w chwili gornych polowek napiecia. Do tego zastosowalem bardzo mocne IRFP250 z pary ktorych spokojnie wyciskam 200W mocy przy nasyceniu ok +-2V!!! Dodalem do tego zabezpieczenia zwarciowe na rezystorach zrodlowych tylko 0,05oma! Ostatnia i najwazniejsza wada tego wzmaka. Mosfety pracuja tu w ukladzie wspolnego zrodla gdzie maja ogromna pojemnosc wejsciowa znaczy to tyle ze taki wzmak nadaje sie tylko do subwofera!!!! Przy czestotliwosciach wiekszych od 1khz zaczyna rosnac prad spoczynkowy (wzmak sie grzeje) i drastycznie spada sprawnosc wzmacniacza. Polecam cos na bipolarnych jak pisze kolega wyzej Toshiby 5200 i 1943 sa wysmienite spokojnie wycisnac mozna 200W/pare. Jesli mosfety to np ADS stosuje IRFP240 i IRFP9240 ale ten ostatni ma tak duza rezystancje kanalu ze trudno wycisnac z nich jakas pozadna moc.
  • Poziom 23  
    no to sie zrobił temat .... moje uwagi na gorąco z pierwszej linii ognia - wyszperałem kilka schematów z netu - i moja ogólna konkluzja - proponowane schematy - konstrukcje są projektowane pod produkty konkretnych roducentów - np wzmacniacz proponowany przez "Wellemana" posiadał oporniki bramka-źródło - natomiast konstrukcja firmowana przez biuro konstrukcyjne producenta International Rectifield czyli IRF (posiadają zastrzeżoną nazwę dla swoich tranzystorów HEXFET) takowych nie posiada ... skutek - w mojej konstrukcji po podłaczeniu obciażęnia 8 om tranzystor w dodatniej gałęzi był w stanie pełnego przewodzenia - bez sygnału wejściowego .... czyli - poełna zwara !!!! po dodaniu oporniczków ok 1 kilooma - wszystko ok - czyli pełni to rolę "zaworu" blokującego bramkę ... czyli jednym słowem - o kant d.... można roztrasnąć wszelkie schematy jeżeli nei posiadamy oryginalnych części a nie tranzystorki ze sklepu za 2 złote, praktycznei nadająće sie tylko do sterowania silniczków w zabawkach ....
    jesze tylko n akoniec dodam że mam problem ze sygnałęm wyjściowym - wzmacniacz ma problemy ze złożeneim pełnej sinusoidy z dwóch połówek - każdej gałęzi - tranzystory stopnia mocy są w rózny sposób wysterowane - to jest minus tych prostych konstrukcji ....
    dorzucam skrót do opisu wzmacniacza http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-948.pdf dorzucam jeszcze schemacik firmowego wzmacniacza - końcówka mmocy do piecyka basowego - producenta tutaj celowo nie wymienę ale oryginał dobrze brzmi - zaznaczam - tranzystorki chyba też musza być oryginalne bo napięcie zasilania jest wysokie i uzyskiwana moc to 250 W (RMS), i moim skromnym zdaniem - na wzmacniacze domowe - audiofilskie to sie MOSFETy nie nadają już lepsze jest cieplejsze brzmienie nowoczesnych bipolarnych nie wspominająć o lampiakach ;-))))
  • Poziom 42  
    Jak to mówią cudze chwalicie a swego nie znacie; nie wiem dlaczego tak wielu chwali te misfety, jest to chyba sprawa dobrej reklamy, jakby tak dobrze zareklamować J35 to pewnie z niego byłby najlepszy wzmacniacz, a pro po kolego tego linku, to nic innego jak J35 tylko na mosfetach, zdaje mi się że rezystor R11 powinien być 1K a nie 10K spróbuj go wymienić i uruchamiaj to bez tranzystorów mocy.
  • Poziom 28  
    Co do Mosfetow N, to na stronie Holtona, jest calkiem ladny wzmacniacz. Gra calkiem ladnie jak na taka prosta konstrukcje. Znacznie latwiej jest sparowac mosfety tego samego typu.
    Jezeli ma to byc amp na estrady, to mysle, ze dobry bylby na mosfetach z kanalem N. Jezeli ktos mialby jakis pomysl, to by bylo fajnie. Mozna zastosowac IRFP360 i mamy calkiem mocny wzmacniacz.

    Sam mam zamiar zmontowac wzmacniacz o mocy 800W RMS, ale nie moge znalezc takiego schematu. Zawsze sa koncowki koimplementarne :(
  • Poziom 23  
    szanowni koledzy - mam tylko taki mały postulacik .... aby nie żądać punktów za pobieranie plików w momencie gdy pytamy o dany układ i jest on , ze tak powiem "problemem" - uważam iż takie coś można robić w momencie gdy autor postu/tematu jest konstruktorem danego układu lub wyszperał schemacik w necie lub zeskanował i podaje "do publicznej wiadomości" jako ciekawostkę ..... w tym momencie robi sie z tego prawie że komercyjne źródło punktów ...
  • Poziom 19  
    oki, sorki tylko jak umieścić plik tak aby go pobierać bez punktów :?: wg opisów prowizje zostawiam na 0 ale i tak punkty nalicza :!:
  • Poziom 40  
    janek11389 W schemacie ktory opisujesz maksymalne napiecie na T1, T2 bedzie wynosic ok 15V wiec wcale nie sa potrzebne wysokonapieciowe tranzystory. Pozostale uwagi sa sluszne.
    radiomechanik rezystor bramka zrodlo jest potrzebny w konstrukcji z PE czyli z tranzystorami N-kanalowymi. Jesli stopien wyjsciowy jest zrobiony na tranzystorach komplementarnych te rezystory nie sa konieczne.
    Musicie odrozniac konstrukcje ukladowe. Jesli wyjsciowy wtornik mocy jest w postaci komplementarnej to mozna dac tam tranzystory mosfet, bipolarne czy IGBT i wzmacniacz bedzie dzialal prawidlowo moze okazac sie tylko konieczna niewielka korekta kompensacji czestotliwosci. kiedys w radioelektroniku poruwnywali wlasnie rozne tranzystory mocy podlaczajac je do tego samego ukladu wzmacniacza.
    Wzmacniacz na tranzystorach mosfet tylko typu N ma specjalna konstrukcje ukladowa opisana w PE jego klopoty to jak napisalem kiepskie pasmo bo mosfety duzej mocy maja ogromne pojemnosci bramek. Jedyna zaleta mosfetow jest tylko to ze nie potrzebuja tranzystorow sterujacych ktore sa wymagane przy konstrukcjach bipolarnych. Jednak konstruujac wzmak o mocy 1kW dajemy 5par 2SA1943/2SC5200 i dwa male sterujace. Ceny tych tranzystorow nie sa wysokie i porownywalne z mosfetami a nawet nizsze wiec po co meczyc sie z mosfetami? Szal na nie juz minal i teraz wszyscy wracaja do bipolarnych.
  • Poziom 11  
    panie "kociątko" proszę podaj link do strony" holtona "na ten wzmacniacz na mosfetach typu n bo te komplementarne mnie wkurzają niemożna dorwać parowanych tranzystorów abym se taki zrobił mam irf540 to trochę znich wycisnę łącze pozdrowienia arturo29