logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

Jak sprawdzić tranzystory MOSFET IRFP250N i IRFP9240 krok po kroku?

Krzysiek007 27 Lut 2004 21:15 3567 7
REKLAMA
  • #1 522403
    Krzysiek007
    Poziom 20  
    Posty: 528
    Pomógł: 13
    Ocena: 53
    Witam.

    Mam pytanko jak się sprawdza krok po kroku tranzystory MOSFET :
    IRFP250N i IRFP9240 bo sprawdzam za pomocą diody na mierniku tak jak przy zwykłych tranzystorach ale w MOSFET'ach nie umiem :cry: ich sprawdzać jeśli ktoś byłby skory mi to opisać kro po kroku byłbym bardzo wdzięczny :) bo spędzamito sen z powiek :( .


    Z gury był bym BAAAAARDZO wdzięczny.

    Pozdro.
  • REKLAMA
  • #2 522484
    januszc
    Poziom 15  
    Posty: 215
    Pomógł: 8
    Ocena: 17
    Zewrzyj wszystkie nózki. Potem podlacz do omomierza D i S - nie powinien wskazywac mierzalnego oporu. Naladuj bramke poprzed chwilowe dotkniecienp dodatnim lub ujemnym biegunem z miernika. Teraz dren - zrodlo powinien wskazywac kilkuomowy opór . Dopóki bramka sie nie rozladuje to nadal tak bedzie. Oczywiscie polaryzacja podlaczenia omomierza zalezy od typu trazystora n czy p. Zazwyczaj w uszkodzonym tranzystorze D i S sa zwarte niezaleznie od polaryzacji bramki.
  • REKLAMA
  • #3 522494
    GrzesieG
    Poziom 16  
    Posty: 245
    Pomógł: 8
    Ocena: 11
    Omomierzem: G-S, G-D, D-S - nieskończoność
    test złącza pn: S-D - jak dioda pn, dla P-feta odwrotnie
    w obwodzie napięcia 12V: S do masy, D do żarówki 12V, żarówka do +12V, G do masy -> żarówka nie świeci, G do +12V żarówka świeci.
    Dla P-feta odwrotnie...
  • REKLAMA
  • #4 522990
    Marekzenio
    Poziom 20  
    Posty: 494
    Pomógł: 12
    Ocena: 22
    Omomierzem: G-S, G-D, D-S - nieskończoność
    test złącza pn: S-D - jak dioda pn, dla P-feta odwrotnie
    w obwodzie napięcia 12V: S do masy, D do żarówki 12V, żarówka do +12V, G do masy -> żarówka nie świeci, G do +12V żarówka świeci.
    a jak fet sie grzeje w rękach typu -N wtym opisie co jest podany
    to co jest zepsuty? typ IRFZ46N(bez podawania napiecia na bramke?) lub
    zarowka swieci tez bez zadnego napiecia na bramce?
  • REKLAMA
  • #5 524255
    GrzesieG
    Poziom 16  
    Posty: 245
    Pomógł: 8
    Ocena: 11
    Bramkę musisz podłączyć do masy albo do napięcia +12V (w tym obwodzie). Inaczej nie wiesz jaki potencjał ma bramka względem źródła, więc nie możesz twierdzić, że tranzystor jest zepsuty.
    Tranzystor może się grzać, przecież to wynika z jego parametów. Jak przez nieg płynie prąd 1,75A (żarówka 21W) a rezystancja kanału MOSa to 1om więc wydziela się w nim 3W mocy, itp.
  • #6 524389
    Nemo
    Poziom 31  
    Posty: 2078
    Pomógł: 9
    Ocena: 72
    Mała uwaga... Równolegle do S i D podłączona jest dioda zabezpieczająca. Pomiar spadku na S i D w rzeczywistości mierzy tę diodę. FET'a można sprawdzić w układzie, jak piszą poprzednicy.
    Pozdrawiam.
  • #7 525374
    GrzesieG
    Poziom 16  
    Posty: 245
    Pomógł: 8
    Ocena: 11
    Mała uwaga...
    Dioda (w MOSach) pomiędzy S i D jest wynikiem procesu technologicznego - podłoże typu p jest fizycznie podłączone do źródła. To dla kanału N, dla P-feta jest podłoże typu n.
  • #8 528403
    Nemo
    Poziom 31  
    Posty: 2078
    Pomógł: 9
    Ocena: 72
    Faktycznie. Nie pomyślałem o tym. :) Do tej pory myślałem, że jest tam specjalna dioda, która służy do zabezpieczania lub np. jako zerowa przy zasilaczach z dławikiem. Przyjmuję do wiadomości.
    Pozdrawiam.

Podsumowanie tematu

LABEL_AI_GENERATED
Omówiono metody sprawdzania tranzystorów MOSFET IRFP250N i IRFP9240 za pomocą omomierza i prostych testów w układzie z żarówką 12V. Zaleca się zwarcie wszystkich nóżek, a następnie pomiar rezystancji między drenem (D) a źródłem (S), która powinna być bardzo wysoka (nieskończoność) bez naładowanej bramki (G). Bramkę należy naładować chwilowym dotknięciem dodatniego lub ujemnego bieguna miernika, co powinno spowodować zmianę rezystancji D-S na niską, dopóki bramka się nie rozładuje. Polaryzacja pomiarów zależy od typu tranzystora (N lub P). W układzie testowym z żarówką 12V podłączenie źródła do masy, drenu do żarówki, a żarówki do +12V oraz sterowanie bramką napięciem +12V lub masą pozwala ocenić przewodzenie tranzystora. Zwrócono uwagę, że pomiar między drenem a źródłem może wskazywać spadek napięcia na wbudowanej diodzie zabezpieczającej, która jest integralną częścią struktury MOSFET, a nie osobnym elementem ochronnym. Grzanie się tranzystora może wynikać z jego parametrów i przepływającego prądu, a niekoniecznie z uszkodzenia.
Podsumowanie AI na podstawie dyskusji. Może zawierać błędy.
REKLAMA