Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Wyszukiwarki naszych partnerów

Wyszukaj w ofercie 200 tys. produktów TME
Europejski lider sprzedaży techniki i elektroniki.
Proszę, dodaj wyjątek elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

HP G7000 - wymiana procesora

wsaderman 08 Gru 2013 13:20 702 0
  • #1 08 Gru 2013 13:20
    wsaderman
    Poziom 8  

    Witam,
    posiadam laptop HP G7000 w którym mam teraz procesor Celeron 540. Z inneggo laptopa Asus F3S z53 sv posiadam procesor Core Duo T5250. Czy mogę do HP włożyć procesor Core Duo??
    Parametry Celerona:

    Spoiler:
    SPECYFIKACJA
    Essentials
    Status EOIS
    Data rozpoczęcia Q3'07
    Numer procesora 540
    Liczba rdzeni 1
    Szybkość zegara 1.86 GHz
    Pamięć podręczna L2 1 MB
    Szybkość FSB 533 MHz
    Parzystość FSB No
    Zestaw instrukcji 64-bit
    Dostępne opcje rozwiązań wbudowanych No
    Litografia 65 nm
    Maks. TDP 30 W
    Zakres napięcia VID 0.95V-1.30V
    Rekomendowana cena klienta N/A
    Package Specifications
    TCASE 100°C
    TJUNCTION 100°C
    Wymiary obudowy 35mm x 35mm
    Rozmiar płytki półprzewodnikowej 143 mm2
    Liczba tranzystorów płytki półprzewodnikowej 291 million
    Obsługiwane gniazda PPGA478
    Dostępne opcje obniżonej zawartości halogenków Patrz MDDS
    Advanced Technologies
    Technologia IntelŸ Turbo Boost ‡ No
    Technologia IntelŸ Hyper-Threading ‡ No
    Technologia IntelŸ Virtualization (VT-x) ‡ No
    IntelŸ 64 ‡ Yes
    Stany bezczynności No
    Udoskonalona technologia Intel SpeedStepŸ No
    IntelŸ Demand Based Switching No
    IntelŸ Platform Protection Technology
    Technologia Trusted Execution ‡ No
    Funkcje Execute Disable Bit ‡ Yes


    Parametry Core Duo
    Spoiler:
    SPECYFIKACJA
    Essentials
    Status EOIS
    Numer procesora T5250
    Liczba rdzeni 2
    Szybkość zegara 1.5 GHz
    Pamięć podręczna L2 2 MB
    Szybkość FSB 667 MHz
    Parzystość FSB No
    Zestaw instrukcji 64-bit
    Dostępne opcje rozwiązań wbudowanych No
    Litografia 65 nm
    Maks. TDP 35 W
    Zakres napięcia VID 1.075V-1.250V
    Rekomendowana cena klienta N/A
    Package Specifications
    TJUNCTION 100°C
    Wymiary obudowy 35mm x 35mm
    Rozmiar płytki półprzewodnikowej 143 mm2
    Liczba tranzystorów płytki półprzewodnikowej 291 million
    Obsługiwane gniazda PPGA478
    Dostępne opcje obniżonej zawartości halogenków Patrz MDDS
    Advanced Technologies
    Technologia IntelŸ Turbo Boost ‡ No
    Technologia IntelŸ Hyper-Threading ‡ No
    Technologia IntelŸ Virtualization (VT-x) ‡ No
    IntelŸ 64 ‡ Yes
    Udoskonalona technologia Intel SpeedStepŸ Yes
    IntelŸ Demand Based Switching No
    IntelŸ Platform Protection Technology
    Technologia Trusted Execution ‡ No
    Funkcje Execute Disable Bit ‡ Yes


    Z góry dziękuję za pomoc

    0 0
TME logo Szukaj w ofercie
Zamknij 
Wyszukaj w ofercie 200 tys. produktów TME
TME Logo