logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

Dlaczego wartości CL w nowoczesnych modułach RAM (DDR4) są wyższe?

Guru66 18 Lis 2015 10:04 2691 8
REKLAMA
  • #1 15161653
    Guru66
    Poziom 10  
    Posty: 62
    Ocena: 4
    Dzień dobry wszystkim!

    Od pewnego czasu nurtuje mnie problem z wartościami opóźnień CL w pamięciach RAM. Otóż zaobserwowałem, że czym nowocześniejsze moduły pamięci RAM, typ wartości CL wzrastają. Czy w takim razie mógłby mi ktoś wytłumaczyć od strony technicznej, dlaczego tak się dzieje i czym to jest spowodowane? Pamiętam jak wartości RAM miały opóźnienia 2, 3 ... a teraz w DDR 4 są to wartości 17, 18 itp.

    Proszę o odpowiedź.

    Pozdrawiam.
  • REKLAMA
  • #2 15161702
    Mamut_1984
    Poziom 15  
    Posty: 123
    Pomógł: 10
    Ocena: 8
    Zegar taktowania wzrasta a komórka pamięci od wielu lat ma 'tą samą zasadę działania' musi mieć czas na "zmianę/odświeżenie ładunku" coś jak kondensator.

    Jak pojmiesz zasadę działania pamięci na poziomie poszczególnych bitów (komórek) to zaczniesz rozumieć resztę.
    http://matrix.jasna.tarnow.pl/~jahu/hw-galaxy/ram/budowa.html
  • #3 15161706
    Setel
    Poziom 25  
    Posty: 639
    Pomógł: 76
    Ocena: 141
    CL jest mierzony w cyklach procesora. Im większa częstotliwość odświeżania pamięci tym mniejsze opóźnienie jej odczytu. Szybkie RAM-y mogą mieć mniejsze opóźnienie, mimo większego CL.
  • REKLAMA
  • #4 15161725
    Guru66
    Poziom 10  
    Posty: 62
    Ocena: 4
    No dobrze. Ale z czego wynika, że CL jest większe w nowszych modułach? Z tego że częstotliwość zegara pamięci jest większa?
  • REKLAMA
  • #5 15161989
    Mamut_1984
    Poziom 15  
    Posty: 123
    Pomógł: 10
    Ocena: 8
    Sprecyzuj pytanie z czego wynika ?
    Zasadniczo z zegara pamięci (szyny danych), czyli FSB.
    Parametry pamięci są zapisane w eepromie (spd) płyta podczas uruchamiania w pierwszej kolejności je odczytuje i odpowiednio konfiguruje kontroler pamięci.
    Dlaczego wartości CL w nowoczesnych modułach RAM (DDR4) są wyższe?
  • REKLAMA
  • #6 15162146
    Guru66
    Poziom 10  
    Posty: 62
    Ocena: 4
    Doprecyzuje. Dlaczego parametr CL w nowszych modułach jest coraz większy?
  • #7 15162199
    Mamut_1984
    Poziom 15  
    Posty: 123
    Pomógł: 10
    Ocena: 8
    Guru66 napisał:
    Doprecyzuje. Dlaczego parametr CL w nowszych modułach jest coraz większy?


    Bo jest co raz większy zegar taktowania.
    Większa szybkość przesyłania danych wynika z zegara ale konstrukcja pamięci wymusza zwiększanie CL.
  • #8 15162466
    Guru66
    Poziom 10  
    Posty: 62
    Ocena: 4
    No właśnie o to mi chodzi. Co jest zmieniane w tej konstrukcji pamięci, że wymagane jest podwyższanie parametru CL?
  • #9 15162529
    Mamut_1984
    Poziom 15  
    Posty: 123
    Pomógł: 10
    Ocena: 8
    W konstrukcji nic nie jest zmieniane, generalnie rzecz ujmując.
    Chodzi o dopasowanie szybkości pamięci do magistrali.
    Oczywiście są używane coraz mniejsze i szybsze tranzystory ale to nie ma zasadniczego związku z CL, CL wynika z budowy a nie z szybkości czy rodzaju DDR1,2,3.

Podsumowanie tematu

LABEL_AI_GENERATED
W dyskusji poruszono kwestię wzrastających wartości opóźnień CL w nowoczesnych modułach pamięci RAM DDR4. Uczestnicy wskazali, że wyższe wartości CL są wynikiem zwiększonej częstotliwości zegara pamięci, co wymusza na konstrukcji pamięci dostosowanie do magistrali. Zmiany w technologii, takie jak zastosowanie mniejszych tranzystorów, nie mają bezpośredniego wpływu na wartość CL, która wynika z budowy pamięci. Wartości CL są mierzone w cyklach procesora, a szybsze pamięci mogą mieć mniejsze opóźnienia mimo wyższego CL.
Podsumowanie AI na podstawie dyskusji. Może zawierać błędy.
REKLAMA