Projektowanie wzmacniacza tranzystorowego w układzie OE

✨ Dyskusja dotyczy projektowania wzmacniacza tranzystorowego w układzie OE o wzmocnieniu 30, prądzie kolektora 2mA, napięciu zasilania 14V i obciążeniu 5kΩ. Problemem jest zniekształcenie napięcia wyjściowego przy bardzo małych sygnałach (0,2-0,3 V) oraz niskie wzmocnienie skuteczne (około 4,2 zamiast oczekiwanych 30). Przyczyną mogą być błędy w doborze wartości rezystorów i kondensatorów oraz nieuwzględnienie rezystancji bazowej (Rg) w obliczeniach wzmocnienia. Zalecane jest, aby w stanie spoczynkowym na emiterze było około 1 V, prąd kolektora zgodny z założeniem, a prąd dzielnika polaryzującego bazę około 10 razy większy niż prąd bazy. Napięcie spoczynkowe na kolektorze powinno być w połowie napięcia zasilania, aby zapewnić maksymalny zakres sygnału wyjściowego. Wzmocnienie można regulować przez bocznikowanie rezystora emiterowego rezystorem szeregowym z kondensatorem, co wpływa tylko na składową zmienną sygnału. Wzmocnienie zależy również od dzielników napięcia na wejściu (rezystory bazowe R1, R2, rezystor Rg) oraz od rezystancji obciążenia RL. Wprowadzenie sprzężenia zwrotnego w emiterze zwiększa rezystancję wejściową i pozwala ograniczyć wzmocnienie. Dyskusja podkreśla, że wzmocnienie w układzie OE jest w przybliżeniu równe Ucc/52mV (przy Ucc=14V daje to około 269), jednak w praktyce jest ograniczane przez elementy pasywne i konfigurację układu. Wskazano również, że rezystancja wyjściowa wzmacniacza zależy od rezystora RL oraz dodatkowych rezystorów włączonych w układ, a nie bezpośrednio od rezystancji wejściowej. Schemat wzmacniacza był narzucony, co ograniczało możliwość modyfikacji elementów.
Wygenerowane przez model językowy.