Witam
Postanowiłem odświeżyć ten temat bo nie potrafiłem znaleźć odpowiedzi na moje pytania.
Ostatnio przetestowałem parę driverów na tranzystorach w połączeniu z bramką 74HCT08 i BUZ11 pod obciążeniem do 1A.
Pierwszy z nich to układ zbudowany na tranzystorze działającym jako wzmacniacz odwracający. W tym przypadku działa w systemie binarnym. Podstawowa wada tego układu jest to żeby utrzymać zero na bramce MOSFET’a BUZ11 przez tranzystor musi płynąć prąd . A to mi strasznie nie odpowiada rys 1
Zastosowanie PNP rozwiązuje ten problem ale to wymaga dodatkowego rezystora podciągającego do plusa bo bramka daje tylko 5V rys 2.
Można też zastosować MOSFET z kanałem P co rozwiąże problem przepływu prądu jest to chyba zdecydowanie najlepsze rowiazanie
Próbowałem tez zastosować tranzystor w układzie wtórnika NPN ale 5V nie otwierało do końca BUZa i układ strasznie się grzał rys.3
Drugim układem jaki przetestowałem to wtórnik symetryczny przedstawiony na rysunku poniżej, do sterowania tym wtórnikiem musiałem wykorzystać dodatkowy tranzystor aby zasilić wtórnik napięciem 12V.
Nie zauważyłem znacznego obniżenia temperatury mosfeta miedzy wtórnikiem a pierwszym rozwiązaniem
Moje pytania to:
1. Jaki wpływ maja dedykowane drivery na obniżenie temperatury tranzystora w pracy zmiennej w porównaniu z wtórnikiem symetrycznym?
2. Czy różnice miedzy wtórnikiem symetrycznym a dedykowanymi driverami są na tyle duże żeby warto było je zastosować przy obciążeniu na mosfecie 2A?
Moim zdaniem dodatkowa zaletą dedykowanych układów jest zaoszczędzone miejsce na płytce na tym też mi dość zależy.
3. Powyżej jakiej częstotliwości MOSFET będzie się grzał niezależnie od zastosowanego drivera?
4. Jakie tranzystory najlepiej dobrać na wtórnik symetryczny i co można w nim poprawić żeby działał szybciej?
Potrzebuje driver do regulatora prądu i bardzo zależy mi na tym aby MOSFET nie wymagał jakiegokolwiek chłodzenia.
Niestety nie wiem dokładnie z jaką częstotliwością działa mój układ mogę przepuszczać że częstotliwość dochodzi do 100kHz bo sprawdzałem to na dość starym oscyloskopie. Czas w którym przewodzi mosfet jest dość krótki w porównaniu z całym okresem.
Częstotliwość tą mogę regulować za pomocą C1 przy pojemności 330pF mosfet sterowany wtórnikiem symetrycznym przy obciążeniu 1A strasznie się nagrzewał. Po zwiększeniu pojemności do 2nF MOSFET dalej się grzeje ale układ już może pracować bez radiatora. Natomiast przy 220nF układ jest całkowicie zimny. Brak C1 powoduje że z MOSFETA robi się grzałka
Może ktoś wie jak w przybliżeniu policzyć częstotliwość pracy układu?
Chciałbym aby układ działał z jak największą częstotliwości dlatego potrzebny mi dobry driver. Jak dowiem sie coś więcej na temat wymaganej częstotliwości to napisze posta.
Okazało się że nie potrzebuje dużej częstotliwości i gdy układ pracuje ze zwykłym rezystorem MOSFET jest zimny, ale gdy podłącze cewkę tranzystor strasznie sie grzeje.
Może ktoś mi wyjaśnić dlaczego? i jak sie pozbyć tego efektu ?
Może ktoś zaproponuje dział gdzie będzie większe zainteresowanie moim probleme?