Witam, proszę praktyków o sprawdzenie poprawności poniższego schematu.
Założenia miałem takie że będzie to sterownik tranzystora IGBT załączającego prąd na obciążeniu impulsowo, z możliwością regulacji częstotliwości impulsów w przedziale: 0-120Hz i szerokości tych impulsów: od 70 μs do 3ms.
Jako tranzystor IGBT wybrałem : http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irg4ph50kpbf.pdf
Jest to typ bez diody zwrotnej ale obciążenie tranzystora z mojego schematu będzie miało charakter głównie rezystancyjny, w granicach 10 do 100 Ω. Dojdą tylko niewielkie indukcyjności od okablowania, dodałem więc dosyć mocną szybką diodę DSEI 12-12A
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/D/S/E/I/DSEI12-12A.shtml
Tylko nie wiem czy nie za mocną, może wystarczy szybka dioda np. 3 amperowa ?
Kolejnym problemem to zabezpieczenie tranzystora IGBT na wypadek zwarcia obciążenia, samo źródło napięcia 800V będzie miało wydajność max.0,4A więc tranzystora raczej nie uszkodzi ale jest tam jeszcze bateria dwóch kondensatorów elektrolitycznych filtrujących napięcie, połączonych szeregowo o łącznej pojemności 75 µF a to już jest trochę energii. Nie bardzo wiem czego spodziewać się w tym układzie, dwa szeregowo połączone kondensatory elektrolityczne będą miały jakąś rezystancję która trochę ograniczy prąd zwarcia. Przy dużych prądach IGBT pewnie wyjdzie z nasycenia, czy dobrze rozumiem że wtedy prąd zwarcia też się zmniejszy ? Napięcie podawane na bramkę tranzystora to 15V, czy nie lepiej będzie zwiększyć do 18 ?
Założenia miałem takie że będzie to sterownik tranzystora IGBT załączającego prąd na obciążeniu impulsowo, z możliwością regulacji częstotliwości impulsów w przedziale: 0-120Hz i szerokości tych impulsów: od 70 μs do 3ms.
Jako tranzystor IGBT wybrałem : http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irg4ph50kpbf.pdf
Jest to typ bez diody zwrotnej ale obciążenie tranzystora z mojego schematu będzie miało charakter głównie rezystancyjny, w granicach 10 do 100 Ω. Dojdą tylko niewielkie indukcyjności od okablowania, dodałem więc dosyć mocną szybką diodę DSEI 12-12A
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/D/S/E/I/DSEI12-12A.shtml
Tylko nie wiem czy nie za mocną, może wystarczy szybka dioda np. 3 amperowa ?
Kolejnym problemem to zabezpieczenie tranzystora IGBT na wypadek zwarcia obciążenia, samo źródło napięcia 800V będzie miało wydajność max.0,4A więc tranzystora raczej nie uszkodzi ale jest tam jeszcze bateria dwóch kondensatorów elektrolitycznych filtrujących napięcie, połączonych szeregowo o łącznej pojemności 75 µF a to już jest trochę energii. Nie bardzo wiem czego spodziewać się w tym układzie, dwa szeregowo połączone kondensatory elektrolityczne będą miały jakąś rezystancję która trochę ograniczy prąd zwarcia. Przy dużych prądach IGBT pewnie wyjdzie z nasycenia, czy dobrze rozumiem że wtedy prąd zwarcia też się zmniejszy ? Napięcie podawane na bramkę tranzystora to 15V, czy nie lepiej będzie zwiększyć do 18 ?