Witam wszystkich kolegow forumowiczow.
Chcialbym poznac wasze zdanie na temat sposobu sterowania i separacji
stopni mocy w spawarkach inverterowych. Mianowicie:
Uklady jest typowy( pelny mostek H ), czyli tranzystory IGBT steruja transformatorem, na kolektorze IGBT panuje napiecie ok. +300V. Transformator przeksztalca napiecie do ok. +-70V po czym sygnal zostaje poddany prostowaniu dalej dlawik i na elektrody.
Tranzystory IGBT chcialbym sterowac przez TC4422,
te natomiast sa sterowane bezposrednio 4 kanalami PWM uP.
Zastanawiam sie nad obwodem separacji na drodze:
uP-> 1 -> TC4422 -> 2 -> IGBT.
Separacja na miejscu 2 jest najkorzystniejsza poniewaz chroni tez
drivery IGBT lecz nie moze byc zrealizowana przy pomocy samej optoizolacji ( dyze wartosci wymaganych pradow ). Pozostaje wiec
separacja galwaniczna ( elektromagnetyczna ). Czy mozecie naswietlic wszystkie skutki uboczne tego rodzaju podejscia, takie male zetawienie wady/zalety. Czy mozna uzyc rdzeni z zasilaczy ATX do wykonania
takich transformatorkow, pragne przypomniec ze kazdy klucz musi miec
mozliwosc sterowania calkowicie osobno, czyli potrzeba by bylo 4 transformatorkow. Jakie rdzenie wchodziliby w rachube? poniewaz
sprawnosc jest dosc wazna aby jaknajszybciej wysterowac IGBT zeby
uniknac strat w postaci ciepla.
Czy ktos probowal sterowanie bez jakiejkolwiek separacji? na ukladach typu MC34151, IR2101.
Co do separacji opto, wydaje sie byc malo korzystna, popularne
optoizolatory dzialaja poprawnie przy kilkudzeisieciu kHz,
wiec wykorzystanie optoizolatorow z zasilacza ATX raczej odpada.
W gre wchodza produkty podobne do HCPL ktore dzialaja do kilku MHz.
Pozdrawiam.
Chcialbym poznac wasze zdanie na temat sposobu sterowania i separacji
stopni mocy w spawarkach inverterowych. Mianowicie:
Uklady jest typowy( pelny mostek H ), czyli tranzystory IGBT steruja transformatorem, na kolektorze IGBT panuje napiecie ok. +300V. Transformator przeksztalca napiecie do ok. +-70V po czym sygnal zostaje poddany prostowaniu dalej dlawik i na elektrody.
Tranzystory IGBT chcialbym sterowac przez TC4422,
te natomiast sa sterowane bezposrednio 4 kanalami PWM uP.
Zastanawiam sie nad obwodem separacji na drodze:
uP-> 1 -> TC4422 -> 2 -> IGBT.
Separacja na miejscu 2 jest najkorzystniejsza poniewaz chroni tez
drivery IGBT lecz nie moze byc zrealizowana przy pomocy samej optoizolacji ( dyze wartosci wymaganych pradow ). Pozostaje wiec
separacja galwaniczna ( elektromagnetyczna ). Czy mozecie naswietlic wszystkie skutki uboczne tego rodzaju podejscia, takie male zetawienie wady/zalety. Czy mozna uzyc rdzeni z zasilaczy ATX do wykonania
takich transformatorkow, pragne przypomniec ze kazdy klucz musi miec
mozliwosc sterowania calkowicie osobno, czyli potrzeba by bylo 4 transformatorkow. Jakie rdzenie wchodziliby w rachube? poniewaz
sprawnosc jest dosc wazna aby jaknajszybciej wysterowac IGBT zeby
uniknac strat w postaci ciepla.
Czy ktos probowal sterowanie bez jakiejkolwiek separacji? na ukladach typu MC34151, IR2101.
Co do separacji opto, wydaje sie byc malo korzystna, popularne
optoizolatory dzialaja poprawnie przy kilkudzeisieciu kHz,
wiec wykorzystanie optoizolatorow z zasilacza ATX raczej odpada.
W gre wchodza produkty podobne do HCPL ktore dzialaja do kilku MHz.
Pozdrawiam.