- prosta technologia wytworzenia (mniejsza liczba operacji technologicznych)
- większa gęstość upakowania, gdyż tranzystor MOS zajmuje powierzchnię mniejszą niż tranzystor bipolarny (a więc tym mniejszą niż rezystor lub kondensator w układzie bipolarnym) oraz istnieje samoizolacja tranzystorów, czyli zbędne są wyspy izolacyjne, które zajmują dużo miejsca w układach bipolarnych (wyspy izolacyjne stosuje się tylko w technologii CMOS).
- charakteryzują się mniejszym poborem mocy niż układy bipolarne (różnic kilku rzędów wartości),
- duża odporność na zakłócenia, poziom przełączania jest w nich równy w przybliżeniu połowie wartości napięcia zasilania, a więc impulsy zakłócające muszą tę wartość przekroczyć, aby mogły wpływać na pracę układu
- szeroki zakres napięć zasilania, układy CMOS pracują przy napięciach 3...15 V
- wadą logicznych układów CMOS jest mała obciążalność ich układu wyjściowego
- ustępują układom bipolarnym pod względem szybkości działania, która jest kilkakrotnie mniejsza