Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Find the latest content on electronic components. Datasheets.com
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

[Solved] Sterowanie pracą odbiornika - dobór tranzystora MOFET

K_7730 17 Jul 2019 08:56 324 7
Altium Designer Computer Controls
  • #1
    K_7730
    Level 3  
    Witam
    Pewnie niektórych rozśmieszy mój problem ale mimo to proszę o pomoc.
    Mam odbiornik który jest zasilany napięciem 40V DC i pobiera 40A prądu.
    Chcę włączać i wyłączać jego zasilanie procesorem który ma zasilanie 5V.
    Pomyślałem że dobry do tego będzie tranzystor P-MOSFET.
    Zamieszczam ogólny schemat obrazujący o co mi chodzi.
    Odbiornik włączany i wyłączny będzie z częstotliwością max 100Hz
    Nie wiem czy pomiędzy procesorem a bramką tranzystora musi być jeszcze jakiś układ sterujący - jeśli tak to proszę o wskazówki.
    Proszę też o podanie tranzystora który byłby dobry by zrealizować ten układ.
    Z góry dzięki
    Sterowanie pracą odbiornika - dobór tranzystora MOFET
    [28-30.06.2022, targi] PowerUP EXPO 2022 - zasilanie w elektronice. Zarejestruj się za darmo
  • Altium Designer Computer Controls
  • #2
    krzysiek_krm
    Level 40  
    K_7730 wrote:
    napięciem 40V DC i pobiera 40A prądu

    Moim zdaniem, przy tych założeniach, najlepiej zrobisz używając odpowiednio dobranego, gotowego SSR.
    Chłodzenie modułu zgodnie z zaleceniami producenta, rzecz jasna.
  • Altium Designer Computer Controls
  • #3
    andrzej lukaszewicz
    Level 40  
    K_7730 wrote:
    Pomyślałem że dobry do tego będzie tranzystor P-MOSFET.

    Znacznie lepszy będzie N MOSFET. tańszy i z lepszymi parametrami Rdson.
  • #4
    jarek_lnx
    Level 43  
    W przypadku P-MOSFETa wymagane napięcia:
    w stanie wyłączonym Ugs=0 Us=40V -> Ug=40V
    w stanie włączonym Ugs=-10V Us=40V ->Ug=30V

    W przypadku N-MOSFETa wymagane napięcia:
    w stanie wyłączonym Ugs=0 Us=0V -> Ug=0V
    w stanie włączonym Ugs=10V Us=40V -> Ug=50V

    Jak widać nie wystarczy do tego podłączyć 5V z uC trzeba dodać jakiś układ wzmacniający lub przesuwający poziom, na tranzystorze albo dwóch, w przypadku NMOS trzeba jeszcze dysponować napięciem większym niż zasilanie albo sobie je wytworzyć.

    Dodano po 8 [minuty]:

    krzysiek_krm wrote:
    Moim zdaniem, przy tych założeniach, najlepiej zrobisz używając odpowiednio dobranego, gotowego SSR.
    Lepszych właściwości to nie będzie miało, ale autor będzie miał prostszy schemat.

    Ciekawą opcją są MOSFETy z wbudowanym układem sterującym i zabezpieczeniami prądowym i termicznym.
  • #5
    K_7730
    Level 3  
    jarek_lnx wrote:
    Ciekawą opcją są MOSFETy z wbudowanym układem sterującym i zabezpieczeniami prądowym i termicznym.

    Możesz podać przykład jakiegoś takiego MOSFETa - chciałbym ich poszukać
  • #7
    krzysiek_krm
    Level 40  
    jarek_lnx wrote:
    Ciekawą opcją są MOSFETy z wbudowanym układem sterującym i zabezpieczeniami prądowym i termicznym.

    Myślę sobie, że przy tych parametrach (głównie prąd) to gotowy IPS raczej nie występuje.
    andrzej lukaszewicz wrote:
    Znacznie lepszy będzie N MOSFET. tańszy i z lepszymi parametrami Rdson.

    Przy tym, dość niskim napięciu to zarówno tranzystory z kanałem N jak i P mają równie niskie rezystancje kanału, tranzystory N mają natomiast dużo niższe ładunki bramki.
    K_7730 wrote:
    z częstotliwością max 100Hz

    Częstotliwość nie jest zawrotna, można spróbować użyć tranzystora sterowanego za pomocą "photovoltaic mosfet driver", w tym przypadku jednak n-mosfet, z powodów wcześniej wspomnianych będzie się szybciej przełączał.
    jarek_lnx wrote:
    Lepszych właściwości to nie będzie miało, ale autor będzie miał prostszy schemat.

    Jednak w tym przypadku autor nic nie będzie musiał projektować, dobierze sobie odpowiedni SSR i radiator do niego - zgodnie z zaleceniem producenta.
  • #8
    K_7730
    Level 3  
    Dzięki wszystkim za rady