Witam.
manfed
Betę zakładamy, gdyż przy produkcji "seryjnej" nikt nie bedzie selekcjonował tranzystorów ,nawet w danej grupie wzmocnień. W projektach zawsze korzysta się z Metody Najgorszych Okoliczności. Po drugie betę mierzysz "przy danym prądzie" , co nie znaczy ,że jest ona taka sama dla prądu 1 mA i 10mA. Katalogi podają warunki pomiaru przy tabeli hfe.
Warunki nasycenia odnosisz do prądu obciążenia.Katalogi podają wartości średnie lub max.
Zakładając, że na wyjściu masz pełne 5V, to
Ib = 5V - 0.7V / 2.3k = 1. 87mA
dla bety = 50 prąd kolektora maksymalnie może wynosić 93mA. Jeśli będzie większy to tranzystor nie będzie nasycvony i różnica Uce > 0.2V.
Jeśli chcemy zmniejszyć obciążenie źródła ( w tym wypadku LPT) to stosujemy tranzystory darlingtona. Mają one bardzo dużą betę , będącą iloczynem wzmocnień tranzystorów składowych.
Jeśli włączysz obciążenie pomiędzy emiter i masę (dla tranzystora NPN) to prąd obciażenia będzie " podnosił" potencjał emitera względem masy ,co doprowadzi do przytkania tranzystora i ustaleniu się nowych warunków równowagi ( zakładam stałość wysterowania bazy). Napięcie zasilania podzieli sie na Uo i Uce.
Wcześniej ( dla R = 2,3k) prawdopodobnie występowało przeciążenie portu i napięcie wyjsciowe było nizsze , co w konsekwencji zmniejszało prąd bazy.
Układ pracy tranzystora to wspólny emiter. Analizując od strony napięć to jest inwerter.
Pzdr.
) )
)
