Badanie tranzystorów mocy mosfet

Witam. proszę o podanie prostej technicznej metody, jak zbadać tranzystory
mocy mosfet, czy są sprawne. Pozdrawiam- Zygmunt.

Dodano po 58 [sekundy]:

Dodam, że przeszukałem rózne działy bez rezultatu.

Z tego co wiem to nie ma konkretnej metody na sprowdzenie tranzystorów MOSFET ze wzgledów na ich budowe złącz.

Witam

Ja sprawdzam omomierzem/miernikiem diod. Mierzysz złącze Dren-Źródło, jeśli nie ma przebicia to dobrze (niektóre mają wbudowaną diodę ale to łatwo wychwycić na mierniku), potem sprawdzam złącze Bramka-Dren/Źródło, oporność będzie rosła (ładowanie pojemności bramki), potem zamieniam miejscami sondy miernika i powinno być tak samo (rozładowanie pojemności bramki oraz ładowanie z przeciwną biegunowością).

Nie wiem czy to poprawna metoda ale wiem, że nadaje się tylko do mosfetów dużej mocy, te małej mocy można łatwo w ten sposób uszkodzić.

Jak na razie trafność mam ok. 95%, więc chyba nie jest źle

Pozdrawiam

Witam. Dziękuję za odpowiedzi i zadałem to pytanie, bo zapodziała się
kartka ze schematem badania tranzystorów mocy mosfet i jednoczesnie ich
sprawnosci. Znalazłem tą informację i działa to tak: między bramkę i żródło
podłaczamy rezystor 10 kom a do bramki rezystor 20 kom, jedną końcówką.
W obwód drenu właczamy miliamperomierz do 1A i zasilamy tranzystor
zgodnie z jego polaryzacją, napięciem ok. 10 V. Następnie dołaczamy
wolną końcówkę rezystora 20 kom do drenu i mierzymy prąd. W ten sposób
mozna dobierać w pary tranzystory do wzmacniacza. Dobrze jest umieścić
tranzystor na małym radiatorze, bo moc tracona w czasie pomiaru to ok.
kilka watów i tranzystor bez radiatora może się szybko dość mocno nagrzać. Mam nadzieję, że opisana metoda przyda się kolegom w budowaniu wzmacniaczy. Pozdrawiam- Zygmunt.

Troszkę mocno odkopie temat.
Mam mały problem z tranzystorem 11N80C3. Po naładowaniu bramki badam przejście między źródłem a drenem i spadek napięcia nie stoi w miejscu tylko rośnie w średnim tempie aż do pozycji wyjściowej, czyli ok. 500 mV (po około pół minuty). Gdy badam przejście między źródłem a nieizolowaną ścianką, która de facto jest połączona z drenem wszystko jest ok tzn. spadek napięcia 65 mV i tak trzyma.
Zrobiłem mały eksperyment. Zwarłem drutem ściankę z drenem i ponowiłem pomiar. Teraz również trzyma ok. 65 mV. Czy mogę zrobić taką prowizorkę? Wydaje mi się, że coś nie gra, dlatego się pytam. Jak nie mogę tak zrobić to tranzystor idzie na śmietnik.

Dziękuje i pozdrawiam

Jeśli mowa o tym:
http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-SPA11N8...f053b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec

To tam jest napisane "Fully Isolated", a więc należy wnioskować dren nie jest połączony z jak to nazywasz "nieizolowaną ścianką".

Trzeba byłoby sprawdzić jak to jest w nowym tranzystorze.

To jest akurat wersja nieizolowana. Nie pamiętam do końca jak było wcześniej, ale czy mogę zrobić taką prowizorkę? Może to nic nie da i po prostu kupić nowy tranzystor?

A skąd wiesz że jest nieizolowana? Bo ma metal z tyłu? To nic nie znaczy.
Nie możesz zrobić żadnej prowizorki, bo nie wiadomo czy takie połączenie być powinno czy nie. Pomiary tranzystora których dokonałeś nie wskazują jednoznacznie na jego uszkodzenie, wskazują raczej na to że źle mierzysz dlatego wskazanie miernika rośnie do ok. 500mV i na tym koniec.

Każdy tranzystor MOSFET ma wbudowaną diodą między drenem a źródłem.

Tranzystory mogą się uszkodzić na zwarcie lub przerwę. Aby sprawdzić czy tranzystor nie jest uszkodzony należy go wylutować. Ja zawsze zaczynam od rozładowania pojemności między bramką a źródłem. Następnie sprawdzam czy dioda między drenem a źródłem przewodzi (plus na źródło, minus na dren). Później należy zamienić przewody i sprawdzić czy tranzystor nie jest przebity między drenem a źródłem. Na koniec należy zmierzyć rezystancję między bramką, a źródłem. Wszystkie pomiary wykonuję miernikiem uniwersalnym.

Mam dokładnie taki tranzystor jak na zdjęciu 11N80C3
Badać dobrze badam bo przy innych tranzystorach np. 20N65C3 oraz K3264 jest tak jak być powinno, czyli ok 500 mV między źródłem (+), a drenem (-), a po naładowaniu bramki dużo mniej i nie wzrasta wartość napięcia w trakcie pomiaru tak jak ma miejsce tu. Cóż, może czas zbudować sobie jakiś prosty tester. Nie zaszkodzi a zawsze może coś pomóc. Mimo wszystko dziękuję za odpowiedzi.

Pozdrawiam

PS: Oczywiście wszystkie badania na wylutowanych elementach robiłem.

Do każdego pomiaru tych tranzystorów należy zbudować układ pomiarowy. Zabawa z miernikiem uniwersalnym nie jest miarodajna.

Niektóre mosfety się rozładowują i dlatego wskazanie miernika rośnie. Nie oznacza to jednak że są uszkodzone.

W wolnej chwili zbuduje sobie prosty tester np. ten FET tester. Ciekawi mnie też taki wynalazek od chińczyka M168 Tester, czy jest miarodajny. Czytałem na angielskich forach, że nie zawsze mierzy to co by się chciało, ale mało jeszcze o tym testerze się dowiadywałem.

Pozdrawiam

https://www.youtube.com/watch?v=3EwtIatXyr8 mniej, więcej od połowy są mosfety.

Filmik widziałem już wcześniej. Bardzo fajny filmik, ale tak jak pisałem, ten mój tranzystor nie "trzyma" tego napięcia jak przytrzymam sondy, dlatego zbuduje ten prosty tester i będę wszystko wiedział.

Edit:
Tester zbudowany i wg niego wszystko jest w porządku z tym podejrzanym tranzystorem.
Dla przykładu wrzuciłem do niego też zepsutego mosfeta, no i rzeczywiście wskazał, że tranzystor jest do kitu. Więc koniec kombinowania z badaniem mosfetów.
Co prawda bada on tylko ten typ tranzystorów, ale zawsze jakaś to satysfakcja, że zbudowało się takie coś.

Dziękuję i pozdrawiam