Czy można łączyć tranzystory MOSFET równolegle ?

Question

Mam pytanie odnośnie łączenia równolegle 2 lub 3 tranzystorów IRF840. Dlaczego nikt nie łączy tych tranzystorów równolegle tylko szuka innego mocniejszego? (zasilanie lampy plazmowej)

Pi-Vo · Accepted Answer

MOSFET-y można łączyć równolegle bezproblemowo ,w odróżnieniu od bipolarnych gdzie trzeba stosować oporniki wyrównawcze w emiterach ,w polowych nie trzeba tych oporników w źródłach.

Pi-Vo · Accepted Answer

Rozumiem że te 100om jest między wyjściem 555 a bramką IRF840.Trzeba dać na każdą bramkę z osobna po 100om i będzie dobrze.Jeśli zrobisz równoległe połączenie IRF840 noga w nogę i zostawisz 100om bez zmian to też będzie działało ale z osobnymi opornikami w bramkach będzie pewniej.MOSFET-y mocy mają to do siebie że pojemność bramka-źródło jest spora i nie można dawać zbyt dużych oporności w bramce a wydajność prądowa stopnia poprzedzającego musi być spora żeby przeładowac tą pojemność.Sięga ona nanofaradów ale NE555 ma wyjście z otwartym kolektorem o sporej wydajności ,spokojnie wysteruje te 3 sztuki IRF820 połaczone równolegle ,nie wiem jaka ma być tam częstotliwość.Ale do tylu ile może NE555 wystarczy.

Connor MacLeod · Accepted Answer

Mniejsze znaczenie ma wydajność prądowa którą może dostarczyć NE555. Ważniejsze jest napięcie sterujące FET-a. Aby był poprawnie napięcie doprowadzone do bramki musi być znacze. Przyjęło się że sterowanie braki to impulsy o amplitudzie 12V. I tym należy się kierować, a nie wydajnością prądową.

Panda02 · Accepted Answer

Ale, żeby przeładować spore pojemności bramek i zachować odpowiednie stromości narastania impulsów sterujących to źródło impulsów musi mieć odpowiednią wydajność prądową. I to również należy brać pod uwagę, a nie tylko amplitudę impulsów sterujących.

RSP · Accepted Answer

Kolega „Panda02” ma rację jeśli będzie mała wydajność prądowa to przy dużej częstotliwości napięcie na bramce nie osiągnie dużej wartości. Pomysł kolegi „Pi-Vo” z opornikami do każdej bramki z osobna jest właściwy.

Panda02 · Accepted Answer

Ponieważ w danych katalogowych jest napisane, że w związku z tym, że w stopniu wyjściowym zastosowano układ Darlingtona to napięcie wyjściowe jest mniejsze o około 1,7V od napięcia zasilającego. Żeby zapewnić odpowiednie napięcie sterujące na bramce mosfeta zastosowano dodatkowy tranzystor. Dzieki temu na bramce jest pelne napiecie zasilania.

caras · Answer

to chyba nie ten dzial... ale z tego co wiem mozna laczyc kazdy tranzystor ale musza byc odpowiednio od siebie odzielone

WojtasJD · Answer

wiecej tranzystorow to wiekszy problem z wysterowaniem (pojemnosc Cgs), wiecej miejsca zajmowanego a moze i wiekszy koszt w stosunku do jednego mocniejszego.

Albert P. · Answer

DO generatora prądu prostokątnego NE555 podłączam tranzystor IRF840 poprzedzając rezystorem 100om - to czy jeśli podłącze 3 takie tranzystory to muszę zmniejszać opór i stosować dodatkowy tranzystor na wzmocnienie czy MOSFET'y tego nie wymagają i będą trzy równolegle działać na oporze 100om od gen.NE555?

Albert P. · Answer

Jestem bardzo wdzięczny za pomoc panie Pi-Vo. pozdro.

Albert P. · Answer

Co myślicie na temat tego schematu? Czy zastosowanie tranzystora 2N2222 jako tłumienie sygnału jest wydajne jeśli chodzi o zasilanie tego MOSFETA ?

ZajecBaX · Answer

Można połączyć równolegle dwa podobne tranzystory np. BUZ11 z IRF640 ??

Panda02 · Answer

Łączyć można bez problemu tranzystory jednego typu, ze względu na bardzo zbliżone charakterystyki. Przy różnych tranzystorach może okazać się, ze charakterystyki są na tyle różne, że ich praca nie będzie prawidłowa. Dla eksperymentu można to zrobić.

Czy można łączyć tranzystory MOSFET równolegle ?

Post #1

Post #2

Post #3

Post #4

Post #5

Post #6

Post #7

Post #8

Post #9

Post #10

Post #11

Post #12

Post #13

Post #14

Podsumowanie tematu