W komplecie czy na jednej z kości, próbowałeś montować w różnych gniazdach czy tylko w jednej parze? Możesz załączyć zdjęcie wyniku testu?
BIOS jest aktualny i po instalacji kości pamięci został wykonany "clear CMOS"? Celem eksperymentu mógłbyś jeszcze uruchomić komputer z odpiętymi kartami rozszerzeń i innymi peryferiami (w tym dyski, napędy optyczne, wewnętrzne złącza USB etc.). Z informacji dostępnych w sieci wynika, że błędy w teście #6 często są spowodowane nieprawidłowym ustawieniem napięć dla kości pamięci. "DRAM Voltage" jest ustawione na auto czy na sztywno? Sprawdzałeś czy timingi są ustawione tak jak jest to napisane na naklejce na opakowaniu i czy pokrywają się z tymi ze specyfikacji na stronie producenta?
Cytat: Test 6 [Block move, 64 moves]
This test stresses memory by using block move (movsl) instructions and is based on Robert Redelmeier's burnBX test. Memory is initialized with shifting patterns that are inverted every 8 bytes. Then 4mb blocks of memory are moved around using the movsl instruction. After the moves are completed the data patterns are checked. Because the data is checked only after the memory moves are completed it is not possible to know where the error occurred. The addresses reported are only for where the bad pattern was found. Since the moves are constrained to a 8mb segment of memory the failing address will always be less than 8mb away from the reported address. Errors from this test are not used to calculate BadRAM patterns.
Jeśli władasz językiem angielskim, możesz poruszyć problem na forum producenta:
http://forum.crucial.com/t5/Crucial-Ballistix-gaming-memory/bd-p/ballistix
