Charakterystyki i wzory tranzystorów: drugie przebicie, polaryzacja, wzmocnienie

Question

witam Mam pare pytan 1. Potrzebuje wyjasnic co to jest to drugie przebicie w charakterystyce wyjsciowej tranzystora. 2. czy wzor jest poprawny alfa= (IC-IC0)/IE i co on okresla (wspolczynnik wzmocnienia pradowego???) 3.jakie sa znaki napiec w polaryzacji tranzystora (zatkanie,przewodzenie...

jony · Answer

Ad1 jest to kolejne ograniczenie mocy traconej w tranzystorze zobacz tu Ad2 chyba tak Ic/Ie, to jest wzmocnienie prądowe tranzystora w układzie wspólnej bazy. Nie musisz się w ogóle tą alfa przejmować zapomnij o niej. Ad3 co?? Ad4 h21 Ad5 co?? Moze to

dwpl · Answer

W materiałach podanych przez jony nie piszę zbyt wiele na temat second breakdown.
W http://www.edw.com.pl/pdf/k01/30_10.pdf znajdujemy coś takiego:
"[...] Wystąpienie zjawiska drugiego przebicia doprowadza do uszkodzenia tranzystora. Szczegóły na temat możesz znaleźć w książkach. Nie będę ich tłumaczył, bo nie jest to teraz niezbędne. [...]"

Nic nie mogę znaleźć na ten temat w języku Polskim.

Proszę o pomoc.

Quarz · Answer

Witam, o podziale i o rodzajach tranzystorów polowych pisałem tam: Pozdrawiam

jony · Answer

Powiedz mi jedno w czym fizyczne wytłumaczenie czym jest wtórne przebicie pomoże ci ??
Każdy tranzystor ma swój bezpieczny obszar prący (SOA) i trzeba w tym obszarze pracować.
A wtórne przebicie ogranicza ten obszar wystarczy porównać dwa rysunki z tego linku
http://www.edw.com.pl/pdf/k01/30_10.pdf
Na rys 46 w SOA nie uwzględniono wtórnego przebicia
A na 47 jest zaznaczony obszar wtórnego przebicia (niebieski linia)

W mojej książce na temat tranzystorów napisane jest tak:

W tranzystorach dużej mocy i częstotliwości występuje niekiedy zjawisko tzw. przebicie wtórne, które powoduje nieodwracalne zniszczenie tranzystora. Istota fizyczna tego zjawiska nie jest do końca wyjaśniona. Najprawdopodobniej jest ono spowodowane nierównomiernym rozkładem gęstością prądu emitera i lokalnym zachwianie równowagi cieplnej.
Inaczej mówiąc, w niewielkim o obszarze złącza płynie nadmierny prąd i wydziela się za dużo ciepła (tzw. gorące plama), co prowadzi do lokalnej generacji dodatkowej liczby nośników, a więc do dalszego wzrostu prądu. Ostatecznie bardzo wysoka temperatura lokalna powoduje wytopienie aluminium z pola kontaktowego i zwarcie złącza czyli uszkodzenie tranzystora.

A tu masz to napisane po angielsku
http://www.eetkorea.com/ARTICLES/2004MAY/2004MAY18_AMD_POW_PD_AN02.PDF

dwpl · Answer

Ciekawi mnie istota tego drugiego przebicia, skąd to się bierze. To zjawisko występuje dla dużych napięć Uce, dlaczego dla dużych? Dzięki jony

jony · Answer

No to pytanie bardzo dobrze odpowiada rysunek 47 Kolorem zielonym zaznaczone jest ograniczenie wynikające z Icmax a konkretnie wypaleniem wewnętrznych przewodów doprowadzających prąd. Kolorem czerwonym zaznaczono ograniczenie wynikające z maksymalną temperaturą złącza. No i na niebieska nasze wtórne przebicie. Czyli powstaniu tych gorących punktów o większej gęstości prądu , co powoduje wzrost temperatury a to z kolei powoduje dalszy wzrost prądu. Bo tranzystory bipolarne mają dodatni współczynnik temperaturowy prądu kolektora.

dwpl · Answer

Wydawało mi się, że zrozumialne napisałem pytanie, jednak się myliłem.

Dlaczego przy wyższym napięciu Uce moc max spada kilkukrotnie?
Chodzi mi o istotę tego. Wg mnie temperatura ogólna całego tranzystora nie może mieć większego znaczenia, wynika to z moich obserwacji chociażby zasilaczy AT. To wygląda tak jakby przepływający prąd pogarszał parametry napięć przebicia złącz PN w tranzystorze, ale dlaczego się tak dzieje?

To, że się tak dzieje i że wynika to z tego wykresu to wiem, nietrudno to zauważyć.

Dzieki za ang pdf, ale narazie jest dla mnie mało zrozumiały. Przypuszczam, że w tych 18 stronach jest to dokładnie wyjaśnione.

jony · Answer

Uwieź mi wszystkiemu jest wina temperatura czyli maksymalna moc jaką można rozprószyć w strukturze. I oczywiście występowanie zjawiska wtórne przebicie
Zobacz tu na rys 5 na stronie 2 gdzie pokazana jest zależność mocy strat od temperatury tranzystora.
http://www.elenota.pl/pdf/Fairchild/bd139.pdf

dwpl · Answer

Wszystko co piszesz jest ok, tylko ja szukam odpowiedzi dlaczego przy wyższym Uce to zjawisko występuje, a przy np 20V nic takiego nie ma.

Sam sobie to tłumacze tym, że w momencie tego lokalnego podgrzania w wyniku traconej mocy pogarsza się parametr napięcia przebicia (ale jak dlaczego i co chodzi) i tranzystor "wylatuje w powietrze".
Dobrze myśle?

BUT12:

1 przykład: Uce=20V Ic=3A (P=60W) czasie 30sec - tranzystorowi nic się nie dzieje

2 przykład: Uce=300V Ic=0,2A (P=60W) po czasie kilka us wiadomo co się dzieje

Jaką polską literaturę mogłbyś mi polecić gdzie to jest solidnie wyjaśnione?

Jakoś się tak uwziąłem na ten SOAR.

Jeszcze się zastanawiam dlaczego w mosfetach to zjawisko nie występuje?

jony · Answer

Może dlatego że zbliżamy się już do napięcia przebicia złącz.
Zresztą zwróć uwagę co jest napisane w książce
„Istota fizyczna tego zjawiska nie jest do końca wyjaśniona”
Co do tranzystorów MOSFET to chyba dlatego ze ona nie mają złącz PN i nie można mówić o przebiciu złącza .
Jest tylko jeden rodzaj przewodnictwa albo N albo P.

Quarz · Answer

Witam,
zjawisko drugiego przebicia występuje tylko w tranzystorach produkowanych w technologii potrójnej dyfuzji.
Dlatego też nie ma tego zjawiska w we wszystkich tranzystorach polowych.
Nie ma tego zjawiska też w tranzystorach produkowanych w starszej technologii stopowej, jak np. w bardzo popularnym tranzystorze 2N3055.
Pozdrawiam

Mam na sprzedaż:
20.09.2007 2SK1940

Charakterystyki i wzory tranzystorów: drugie przebicie, polaryzacja, wzmocnienie

Post #1

Post #2

Post #3

Post #4

Post #5

Post #6

Post #7

Post #8

Post #9

Post #10

Post #11

Post #12

Podsumowanie tematu