W tranzystorze polowym jego kanał jest sterowanym opornikiem
z półprzewodnika, którego oporność przy stałej długośći i współczynniku
materiałowym (odpowiednik oporności właściwej dla metali) zależy głównie
od pola przekroju poprzecznego. Właśnie na ten przekrój ma wpływ
wartość napięcia przyłożonego między bramkę G, a źródło S
Czyli zgodnie z prawem Ohma, prąd między żródłem S, a drenem D
zależy zarówno od napięcia D-S (mniej), jak i od napięcia G-S (bardziej)
W tranzystorze polowym J-FET przez bramkę płynie niewielki prąd
wsteczny złącza P-N, natomiast w tranzystorze polowym MOS-FET
prawie nie płynie prąd bramki, ponieważ taki tranzystor jest właściwie
kondensatorem, w którym pole elektryczne "otwiera/przymyka"
kanał prądowy - działanie jest bardzo podobne np. do triody próżniowej
