Różnice między MOSFET a bipolarnym tranzystorem - działanie i zastosowania

✨ Tranzystory MOSFET różnią się od bipolarnych głównie tym, że przez bramkę MOSFET-a nie płynie prąd, a napięcie progowe włączenia (Uth) jest wyższe, typowo około 4V. Przy niskich napięciach między drenem a źródłem (Uds) MOSFET zachowuje się jak rezystor sterowany napięciem bramki (Ugs). MOSFET-y są preferowane w przetwornicach napięcia ze względu na brak zjawiska wtórnego przebicia, które w tranzystorach bipolarnych (BJT) może prowadzić do ich uszkodzenia przy jednoczesnym występowaniu dużych prądów i napięć. Zjawisko wtórnego przebicia ogranicza bezpieczny obszar pracy BJT w układach wysokoprądowych i wysokonapięciowych. Dodatkowo MOSFET-y mogą pracować przy znacznie większych prądach, co czyni je bardziej odpowiednimi do zastosowań w przetwornicach. Stosowanie diod szeregowych między kolektorem a emiterem w celu ochrony przed wtórnym przebiciem nie jest skuteczne.
Wygenerowane przez model językowy.