Sprawdzenie schematu wzmacniacza - bipolarny na MOSFET

Cześć!

Jeśli ktoś ma chwilę, to proszę o sprawdzenie poprawności schematu. Zmiana polega na przerobieniu końcówki mocy na tranzystory typu MOSFET.
Układ jest zasilany ± 45 V i 55 V. Nie wiem, jaką funkcję pełnią Q125 oraz Q127, dlatego je zostawiłem.

Specyfikacja tranzystorów:

Dla kanału P:
Maximum drain-source on-state resistance: 1,4 Ω
Coss - input capacitance: 900 pF
Coss - output capacitance: 400 pF
Turn-on time: 230 ns
Turn-off time: 110 ns
Drain-source saturation voltage: -12 V (max)

Najważniejsze to czy prąd spoczynkowy będzie właściwy, należało by przeanalizować też DS scalaka.

Venox napisał:

Dla Kanału P:
Maximum Drain-Source On-State Resistance: 1.4 Ohm
Coss - Inputt Capacitance: 900 pF
Coss - Output Capacitance: 400 pF
Turn On Time: 230 ns
Turn Off Time 110 ns
Drain-Source Saturation Voltage -12V (max)

To nie są istotne parametry dla pracy liniowej. Jaki typ tranzystorów?

Tak pamiętam o prądzie spoczynkowym. Powinien wynosić około 25 mA per mosfet.

jarek_lnx napisał:

Jaki typ tranzystorów?

Sparowane 2SJ50 oraz 2SK175. Nie ma sensu modyfikować gdyby to były teraźniejsze IRFP...

Rzeczywiście scalak PA0016 komplikuje całokształt, odpowiada także za prąd spoczynkowy. Musiałbym zmienić rezystory emiterowe na około 0,8 - 1 Ω aby uzyskać około 25mA.

Venox napisał:

Sparowane 2SJ50 oraz 2SK175. Nie ma sensu modyfikować gdyby to były teraźniejsze IRFP...

To ważna różnica bo lateral MOSFET ma zupełnie inną charakterystykę.
Gdzie takie dostałeś w dzisiejszych czasach? Masz pewność że nie podróby?

Te tranzystory potrzebują niskiego napięcia polaryzacji, niższe można uzyskać bocznikując Q1 własnym mnożnikiem Ube to tylko tranzystor i dwa rezystory, kompensacja termiczna nie potrzebna.

Trochę to dziwne sześć złącz B-E w szeregu i dzielnik przy Q1 820R i 1800R te wartości nie pasują może w rzeczywistości są inne.

Znalazłem odpowiedź.
1.W sekcji wyjściowej (Q1–Q8) zamień BJT na odpowiednie MOSFET-y,
2.Dodaj rezystory bramkowe (100–470 Ω) do każdej bramki MOSFET-a, szeregowo.
3.Usuń rezystory bazy-emiter (R207, R209 itp.) i zastąp je prostym połączeniem bramki z układem sterowania.
4.Dostosuj układ biasu, aby zapewnić odpowiednie Vgs
5.Sprawdź, czy tranzystory sterujące (Q131, Q133 itp.) dostarczają wystarczające napięcie sterujące do MOSFET-ów. Jeśli nie, wzmocnij sygnał lub zmień tranzystory sterujące na mocniejsze.

PA0016 również powinno dać się zaadoptować do owych tranzystorów. AI jest niesamowite!
Po namyślę zamienię magiczny scalak na tradycją regulację prądu spoczynkowego.

Wrzuć schemat po tych przeróbkach to sprawdzę

Venox napisał:

AI jest niesamowite!

Tak, ale trzeba rozumieć jaki jest sens wygenerowanej odpowiedzi. Z którego AI skorzystałeś?

Dodano po 4 [minuty]:

Venox napisał:

3.Usuń rezystory bazy-emiter (R207, R209 itp.) i zastąp je prostym połączeniem bramki z układem sterowania.

Dwuznaczna odpowiedź i raczej złe rozwiązanie. R207 i R209 to nie są rezystory B-E tylko podłączone są do dalszej części schematu. podejrzewam detektor składowej stałej (uszkodzenia tranzystorów)

Proszę wybaczyć za zamieszanie. Trudno znaleźć gotowe rozwiązanie wzmacniacza opartego na tranzystorach MOSFET.

Zazwyczaj pełno DIY „first watt”. Wybór padł na odwzorowanie końcówki mocy z Sansui X1111 MOS. Lub 907 MOS. Chociaż to chyba to samo. Od siebie dodam że aby zbudować owy wzmacniacz wystarczy być w posiadaniu elektroniki z dwóch Pioneerów A757 oraz tranzystorów mocy.

Tranzystory 2SJ50 pozyskałem z NIKKO ALPHA III

Dzięki za pomoc!