logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

sterowanie mosfetów P-MOS w układzie napięcia 200V

mototest 12 Maj 2006 17:29 2936 17
REKLAMA
  • #1 2618623
    mototest
    Poziom 19  
    Posty: 440
    Ocena: 4
    Witam kolegów

    mam problem ze sterowaniem mosfetów tego typu dokładnie IRF9240
    do N-Mosów widzę gotowe drivery np IR2121 natomiast co jest do P-channel ? może jakieś przykłady, linki ?
    potrzebuję sterować mosfeta z procesora 5V a na wyjściu mosfeta załączanie 200V z niską częstotliwością

    dzięki
    Bogdan
  • REKLAMA
  • #2 2618722
    Tomasz.W
    Poziom 35  
    Posty: 2315
    Pomógł: 263
    Ocena: 161
    A dlaczego musi to być właśnie z kanałem P ? Przecież można użyć mosfeta z kanałem N i sterownika IR2117 . Jak nie dostaniesz takiego to można zastosować "górną" połówkę popularnego sterownika IR2110 . A na dobrą sprawę to nawet specjalizowany sterownik nie będzie potrzebny .
  • #3 2618764
    mototest
    Poziom 19  
    Posty: 440
    Ocena: 4
    Właśnie problem w tym że to już jest gotowe urządzenie i musze sterować zasilaniem a nie masą ze względu na bezpieczeństwo, ponieważ mam dwa gniazda bananowe które można dotykać palcami a ja potrzebuję na 1ms podawać to napięcie 200V na jeden banan (drugi to masa) co jakiś czas i nie wiem jak to rozwiązać

    B.
  • #4 2618837
    Tomasz.W
    Poziom 35  
    Posty: 2315
    Pomógł: 263
    Ocena: 161
    To co napisałem to jest właśnie sterowanie w plusie zasilania . Mosfet będzie załączał i wyłączał plus zasilania , a jak często i na jak długo to już tylko od Ciebie zależy . Zerknij na noty katalogowe podanych układów .
  • REKLAMA
  • #5 2618950
    mototest
    Poziom 19  
    Posty: 440
    Ocena: 4
    zastosowałem układ który załączam i niby klasyczne sterowanie a pali mi tranzystor końcowy nawet bez obciążenia nie wiem dlaczego ??moze ten tranzystor nie wytrzymuje na pramce takiego napięcia ??
    (oczywiście pomyliłem na rysunku dren ze źródłem)

    czy mógłbyś naszkicować jakiś rysunek jakbyś to podłączył na N-mosfecie ?
    Załączniki:
    • sterowanie mosfetów P-MOS w układzie napięcia 200V PS0020.jpg (14.97 KB) Musisz być zalogowany, aby pobrać ten załącznik.
  • #7 2619041
    Tomasz.W
    Poziom 35  
    Posty: 2315
    Pomógł: 263
    Ocena: 161
    Tranzystor leci bo na bramkę dajesz za duże napięcie , z tego co widać na schemaciku będzie spooopro ponad dane katalogowe . Rysunek za chwil kilka zamieszczę tylko muszę narysować .

    No i nabazgrałem . Ale lepiej zrobić to na układzie sterownika .
    Załączniki:
    • 77.pdf (11.19 KB) Musisz być zalogowany, aby pobrać ten załącznik.
  • REKLAMA
  • #8 2619088
    mototest
    Poziom 19  
    Posty: 440
    Ocena: 4
    w nocie katalogowej pisze że Vgs = 20V, czy to znaczy że tranzystor się zamknie w pełni przy tym napięciu ? bo jak podam mu 12V to się otwiera tak jakbym dołożył masę zamiast zamykać
  • #9 2619295
    piotrekk
    Poziom 17  
    Posty: 313
    Pomógł: 5
    Ocena: 25
    sorry że tak piszę, ale chcę cię zmusić do czytania not katalogowych.

    na początku pisze:
    Absolute Maximum Ratings

    pozdrawiam
  • #10 2619336
    mototest
    Poziom 19  
    Posty: 440
    Ocena: 4
    tą notę czytałem kilka razy i nic nie wnioskuję , tam jest przykład na 10V na bramce ,ale nic nie pisze o napięciu na zasilaniu i stosunku napięcia zasilania do napięcia na bramce, chyba że za mało czytałem ??
  • REKLAMA
  • #11 2619369
    piotrekk
    Poziom 17  
    Posty: 313
    Pomógł: 5
    Ocena: 25
    Vgs = maksymalne napiecie miedzy bramką a źródłem które wynosi +20V lub -20V. i do tego trzeba się przede wszystkim zastosować. ty w przypadku nie przewodzącego tranzystora sterującego aplikujesz mu 200V na bramkę względem źródła.

    mototest napisał:
    w nocie katalogowej pisze że Vgs = 20V, czy to znaczy że tranzystor się zamknie w pełni przy tym napięciu ? bo jak podam mu 12V to się otwiera tak jakbym dołożył masę zamiast zamykać


    hm.... zamknie? moja szkoła to otworzy. ale są różne szkoły. nieważne

    idąc dalej 20V to jest max napięcie które możesz podać na bramkę względem źródła.
  • #12 2619438
    mototest
    Poziom 19  
    Posty: 440
    Ocena: 4
    czy w takim razie mając na źródle 150V na bramce ma być 130V max ?
    czy to jest właściwy tok rozumowania ?
  • #13 2619478
    piotrekk
    Poziom 17  
    Posty: 313
    Pomógł: 5
    Ocena: 25
    względem źródła, czyli tego ze strzałką możesz mieć max +/- 20V żeby nie uszkodzić tranzystora
  • #14 2619604
    mototest
    Poziom 19  
    Posty: 440
    Ocena: 4
    no to tak jak napisałem 150V na źródle - 130V na bramce daje różnicę 20V , czyli muszę zrobić jakiś zwykły dzielnik napięcia obniżający zasilanie bramki ? załączam schemat, czy to ma być tak ?
    Załączniki:
    • sterowanie mosfetów P-MOS w układzie napięcia 200V PS0021.jpg (17.75 KB) Musisz być zalogowany, aby pobrać ten załącznik.
  • #15 2619653
    Tomasz.W
    Poziom 35  
    Posty: 2315
    Pomógł: 263
    Ocena: 161
    Maksymalne napięcie jakie możesz podać na bramkę to -20V ( minus 20 Volt czyli napięcie ujemne ) względem źródła . Na bramce nie ma się odłożyć różnica napięć tylko na bramkę musimy podać tyle ile jest podane w nicie katalogowej . Z powodu konieczności stosowania napięć ujemnych tranzystory z kanałem P są raczej rzadko wykorzystywane . Zamiast tranzystora z kanałem P stosuje się tranzystor z kanałem N i drobny układ dopasowujący .
  • #16 2620626
    piotrekk
    Poziom 17  
    Posty: 313
    Pomógł: 5
    Ocena: 25
    witam

    minus lub plus 20V. wdrugą stronę też można uszkodzić. dlatego między G a S dobrze jest założyć diodę zenera.

    mototest to jaki ty masz w końcu ten tranzystor?
  • #17 2625260
    romoo
    Użytkownik obserwowany
    Posty: 6492
    Pomógł: 242
    Ocena: 1377
    Trzeba zenerkę 15V między gate a source. Bo inaczej ubijesz na zwarcie gate. A nie lepiej dać 2sa1940?
  • #18 2625398
    KaW
    Poziom 34  
    Posty: 2616
    Pomógł: 170
    Ocena: 306
    trzeba dac tranzystor pnp -od strony plusa emiter.Bramke polowego zablokowac na mase np przez 10 k ohmow .
    KOLEKTOR pnp powinien pracowac na te 10kohmow. w bazie pnp dac
    4,7k miedzy emiter a baze . A TERAZ DALEJ to jakiegos npn powiazac z normalnym steroawaniem z uP..i s tym tworkiem na pnp ...

    W kazdym razie jedna negacja zostala wlozona .... moze to cos pomoze.

    NA poczatek lepiej usiasc i troche porysowac .

    Dodano po 2 [minuty]:

    z ogladaniem obrazkow mam klopot bo mi KODAK sie wtraca i pisze cuda -a to nie moj komputer-i musze robic plasy ,zeby zobaczyc te schematy

Podsumowanie tematu

✨ Dyskusja dotyczy problemu sterowania tranzystorami MOSFET typu P-channel, konkretnie IRF9240, w układzie zasilanym napięciem 200V, sterowanym z procesora 5V przy niskiej częstotliwości. Poruszono kwestię braku dedykowanych driverów dla P-MOS, w przeciwieństwie do N-MOS, gdzie dostępne są układy takie jak IR2121 czy IR2117. Zwrócono uwagę, że sterowanie tranzystorem P-MOS wymaga zachowania maksymalnego napięcia bramka-źródło (Vgs) w granicach ±20V, co jest trudne przy wysokim napięciu zasilania, gdyż bramka musi być sterowana napięciem ujemnym względem źródła. Wskazano, że stosowanie tranzystorów N-MOS z odpowiednimi driverami i układami dopasowującymi jest częściej praktykowane ze względu na łatwiejsze sterowanie. Podkreślono konieczność stosowania zabezpieczeń, takich jak diody Zenera między bramką a źródłem, aby nie przekroczyć dopuszczalnego Vgs i uniknąć uszkodzenia tranzystora. Wskazano również na problem uszkodzeń tranzystora wynikających z przekroczenia napięcia na bramce oraz błędów w podłączeniu dren-źródło. Zaproponowano rozważenie użycia tranzystorów PNP lub alternatywnych rozwiązań oraz dokładne czytanie not katalogowych, zwłaszcza sekcji Absolute Maximum Ratings. W dyskusji pojawiły się sugestie dotyczące schematów i układów sterowania, jednak brak jednoznacznego schematu rozwiązującego problem wprost.
Podsumowanie AI na podstawie dyskusji. Może zawierać błędy.
REKLAMA