logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

Sterowanie mosfetami P przy dużych prądach 40V/50A - jakie elementy?

gryzlly 27 Lut 2020 10:55 1971 15
REKLAMA
  • #1 18496642
    gryzlly
    Poziom 13  
    Posty: 108
    Pomógł: 3
    Ocena: 16
    Witajcie.

    Pojawił się u mnie problem ze sterowaniem mosfetami z kanałem P.
    Do tej pory udawało się bez problemu korzystać z mosfetów N, do tego Logic Level, a wiec problemy = 0.

    Ale tym razem muszę rozłączać + zasilania układów, do tego stosunkowo duże prądy i napięcia (40V i nawet 40-50A).

    Sterowanie atmegą8 lub 64, i załączanie 3-5 osobnych układów.
    Teoretycznie można by sterować mosfetem N, ale musiałbym użyć po 2 tranzystory na moduł (odłączyć obie strony masy)+ przekaźnik rozłączający + zasilania - sporo dodatkowych zupełnie niepotrzebnych elementów...
    I tak dochodzimy do sedna:

    Przy tranzystorach logiclevel nie byłoby większego problemu, ale ze zwykłym P schemat się ciut komplikuje.
    Proszę doświadczonych w dziedzinie mosfet P o weryfikację - głównie wartości elementów dla wyższego napięcia. Czy będzie tutaj problem z poprawną praca mosfetów dla szerokiego zakresu napięć tj. od 10-40V ?

    Sterowanie mosfetami P przy dużych prądach 40V/50A - jakie elementy?P-mos_c...png (29.21 kB)Musisz być zalogowany, aby pobrać ten załącznik.
  • REKLAMA
  • #2 18496677
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 49109
    Pomógł: 3212
    Ocena: 4254
    W takim układzie włączenie tranzystora BC847 poda zbyt wysokie napięcie na bramkę - trzeba je jakoś ograniczyć, np. diodą Zenera, ale z kondensatorem i opornikiem 47R niepotrzebnie popłynie duży prąd, może się przepalić BC847, albo dioda. No i włączanie będzie szybkie (duży prąd BC847 szybko naładuje bramkę), a wyłączanie powolne (rozładowanie bramki poprzez opornik 47k).
  • #3 18496756
    krzysiek_krm
    Poziom 40  
    Posty: 4612
    Pomógł: 716
    Ocena: 599
    Jeżeli nie są potrzebne krótkie czasy przełączania możesz zastosować sterownik typu "photovoltaic mosfet driver", możesz wówczas użyć jednego lub dwóch (back-to-back) tranzystorów z kanałem N.
  • REKLAMA
  • #5 18496924
    yego666
    Poziom 33  
    Posty: 2175
    Pomógł: 239
    Ocena: 564
    Typowo przyspieszenie wyłączenia robi się tak jak na schemacie.
    Sprawdza się w praktyce bez problemów.
    Dioda może być typu 1N4148 a npn typu n.p. 2Ń2222.
    Załączniki:
    • Sterowanie mosfetami P przy dużych prądach 40V/50A - jakie elementy? 0_Pmos drv.png (14.46 KB) Musisz być zalogowany, aby pobrać ten załącznik.
  • REKLAMA
  • #6 18497262
    gryzlly
    Poziom 13  
    Posty: 108
    Pomógł: 3
    Ocena: 16
    Czas przełączania nie ma większego znaczenia - myślę że poszczególne mosfety będą max kilkanaście razy na dobę zmieniały stan, więc szybkość przełączanie ma drugorzędne znaczenie.
    Jednak dobrze by było żeby sam proces załączania i wyłączanie nie trwał zbyt długo - powiedzmy max 100-200ms - z uwagi na możliwe spore prądy i niepotrzebne grzanie się tranzystorów - nie będę na pewno niepotrzebnie schematu komplikować żeby tranzystor mógł się w pełni otwierać i zamykać kilkadziesiąt razy na sekundę.

    _jta_ napisał:
    W takim układzie włączenie tranzystora BC847 poda zbyt wysokie napięcie na bramkę - trzeba je jakoś ograniczyć, np. diodą Zenera, ale z kondensatorem i opornikiem 47R niepotrzebnie popłynie duży prąd, może się przepalić BC847, albo dioda. No i włączanie będzie szybkie (duży prąd BC847 szybko naładuje bramkę), a wyłączanie powolne (rozładowanie bramki poprzez opornik 47k).


    Czyli wg Ciebie zrezygnować całkowicie z kondensatora? Czy ewentualnie go zmniejszyć np do 10nF albo 1nF? W jakim czasie mosfet się otworzy/zamknie bez niego, lub z takim o małej pojemności?

    Jeśli zastosuję zenerkę ograniczającą na bramce, to muszę ją dobrać do max napięcia jakie może wystąpić na źródle, a więc 40V - IRL4904 ma max napięcie GS 20V, a więc zenerka na 15V powinna załatwić sprawę - bobrze myślę?

    Sterowanie mosfetami P przy dużych prądach 40V/50A - jakie elementy?P-mos_..png (19.46 kB)Musisz być zalogowany, aby pobrać ten załącznik.

    _jta_ napisał:
    Jeśli czas włączenia nigdy nie jest długi, można zastosować MOSFET-y z kanałem N i układ bootstrap. Ale to bardziej złożony układ...


    Jak taki układ by wyglądał? I czy sprawdzi się on w tym przypadku?
  • #7 18497352
    yego666
    Poziom 33  
    Posty: 2175
    Pomógł: 239
    Ocena: 564
    Układ z bootstrapem się nadaje tam, gdzie czas włączenia nmosa jest krótki, rzędu najwyżej milisekund, stąd nawet nie warto go rozważać jeśli Twój układ ma załączać obciążenie na dłuższy czas. Musiałbyś dysponować źródłem napięcia do solidnego wysterowania bramki nmosa przez ten czas, a to już znacznie większa komplikacja niż użycie dodatkowej diody i tranzystora npn.
  • #8 18497540
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 49109
    Pomógł: 3212
    Ocena: 4254
    R13 powinien być znacznie większy - może np. 3k9 zamiast 47r; może R14 nieco mniejszy (nie 47k, a 10k); przy proponowanych wartościach w każdym wydzieli się około 0,16W, więc mogą być 0,25W.

    Co do czasu otwierania/zamykania MOSFET-a: przy zamykaniu ten kondensator niewiele pomaga (a ono trwa kilka razy dłużej, będzie szybsze, jak zmniejszysz R14, ale wtedy musi być np. 0,5W; można też użyć zenerki nie 15V, a 12V, i nieco większego R13, np. 4k7, żeby zmniejszyć opóźnienie wyłączania, ale samo zamykanie będzie wtedy wolniejsze); żeby go wyliczyć, trzeba by sprawdzić w nocie katalogowej ładunek bramki i napięcie bramki przy przełączaniu (można przyjąć Vgs-th) - orientacyjnie, czas wyłączania = ładunek bramki * (R13+R14) / Vgs; ten MOSFET to chyba IRF4905, nie IRL - ma ładunek bramki do 180nC, Vgs-th jest co najmniej 2V, więc wyjdzie 180nC*13,9k/2V=1,25ms. Jaka może być maksymalna moc tracona podczas wyłączania? Przy prądzie np. 20A, napięciu 40V i obciążeniu oporowym może być 200W (10A, 20V), przez 1,25ms wydzieli się 0,25J, to mu nie powinno zaszkodzić (ale ze 4x więcej mogłoby).
  • #9 18497655
    gryzlly
    Poziom 13  
    Posty: 108
    Pomógł: 3
    Ocena: 16
    Tak, oczywiście to IRF a nie IRL - myślę ciągle o stosunkowo prostych w sterowaniu logiclevel :)

    Zamykanie tranzystora i odłączanie poszczególnych modułów będzie się odbywało przy stosunkowo małym prądzie 1 - 4A i raczej napięciu grubo poniżej 40V, jedynie otwieranie może być przy dużym prądzie, ale nie przewiduje więcej niż 10-15A na tranzystor ( w praktyce może i nawet w okolicy 10A) - po to jest kilka takich samych modułów, aby moc rozłożyć.

    Jak w takim wypadku to widzisz? Może dobrze by było zachować szybkość przy otwieraniu mosfeta (przy dużej mocy), kosztem szybkości przy zamykaniu tranzystora?


    Idealnie byłoby wysterować zwykły przekaźnik małym tranzystorkiem i po problemie, ale iskrzenie na stykach przy rozłączaniu DC zabije przekaźnik zbyt szybko - poza tym to takie mało eleganckie ;)

    Dodano po 8 [minuty]:

    yego666 napisał:
    Typowo przyspieszenie wyłączenia robi się tak jak na schemacie.
    Sprawdza się w praktyce bez problemów.
    Dioda może być typu 1N4148 a npn typu n.p. 2Ń2222.


    qrde, zastanawiam się co to za tranzystor na schemacie - ten najbardziej po prawej. Ani to mosfet, ani fet... pierwsze taki symbol widzę - wyjaśnisz proszę o co chodzi?
    Czy to tylko na szybko narysowany mosfet P/N czy jakieś inne nieznane mi ustrojstwo?
    Jeśli chodzi o resztę to zasilanie główne (20-30V) na kolektorze trazystora npn górnego - i to ten tranzystor razem z diodą 4148 służy do szybkiego wyłączania mosfeta?), masa wspólna - wiadomo, sterowanie 0V/5V na rezystor 1k, a 5ohm to obciążenie (wyjście?) Dobrze rozumiem czy coś namieszałem? ;-)

    A układ z bootstrapem to rozumiem że niepotrzebna komplikacja dość prostej rzeczy - przyjałem do wiadomości :)
  • Pomocny post
    #10 18497892
    yego666
    Poziom 33  
    Posty: 2175
    Pomógł: 239
    Ocena: 564
    Dobrze to pojąłeś 😊
    A to po prawej to pmos. Źródło u góry, dren u dołu. Edytor schematów na smarkfonie ma tylko taki archaiczny symbol.
    Zamiast rezystora 1k - tego po lewj, można dać n.p. 4.7k. Procesor to doceni.
  • #11 18498880
    krzysiek_krm
    Poziom 40  
    Posty: 4612
    Pomógł: 716
    Ocena: 599
    yego666 napisał:
    Układ z bootstrapem się nadaje tam, gdzie czas włączenia nmosa jest krótki, rzędu najwyżej milisekund, stąd nawet nie warto go rozważać jeśli Twój układ ma załączać obciążenie na dłuższy czas. Musiałbyś dysponować źródłem napięcia do solidnego wysterowania bramki nmosa przez ten czas, a to już znacznie większa komplikacja niż użycie dodatkowej diody i tranzystora npn.

    Coś tam w sumie już w tej sprawie wymyślono
    http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt92-4.pdf
    http://www.ti.com/lit/an/slva444/slva444.pdf
  • REKLAMA
  • Pomocny post
    #12 18499040
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 49109
    Pomógł: 3212
    Ocena: 4254
    Ale są to dość złożone układy. Wymyślono coś innego: 4-pinowy układ scalony ProFET, który steruje się niskim napięciem (TTL), a przełącza na plusie, i w zasadzie mógłby działać samodzielnie, jakkolwiek zwykle dodaje się jeszcze parę elementów dla zabezpieczenia np. przed uszkodzeniem przez odwrotne podłączenie zasilania (z tymi elementami on to przeżywa!), ale jakoś nie zauważyłem takich, które by się nadawały do 50A przy 40V - są na prądy 50A i niskie napięcia, są na wyższe napięcia, ale znacznie mniejsze prądy (np. jest taki, że ma opór 0R022, moc 1,6W, czyli prąd 8,4A). Może trzeba lepiej poszukać, może nie ma.
  • #13 18499196
    gryzlly
    Poziom 13  
    Posty: 108
    Pomógł: 3
    Ocena: 16
    NIE! Nie idźmy ta drogą! Znam ludzi który do załączania paska ledów używają mikrokontrolera i kupy elementów, zamiast przełącznika - choć i tak w procku jest obsługa TYLKO i wyłącznie przycisku i przekaźnika - ON/OFF - dla mnie bezsens!

    To ma być jak najprostsze i działać dobrze - tyle ;)

    W ciągu 2tyg powstanie prototyp sterownika - jako że potrzebuję 4 układów - wykorzystam 2 różne schematy - z kondensatorem (myślę że zostawię 100n, a w przypadku grzania przy wyłączaniu zmniejszę go lub całkowicie wywalę jeśli samo załączanie nie będzie powodowało grzania tranzystora), oraz drugi od kolegi
    yego666 z dodatkowym tranzystorem i diodą do szybkiego wyłączania mosfeta. Oba stosunkowo proste, a na etapie projektowania pcb nie ma znaczenia czy zrobię tak czy inaczej.
    Wnioski i schemat użyty w ostatecznej wersji wstawię w odpowiednim czasie.

    yego666 czy tranzystory npn mogą być np BC847? Czy ich prąd nie będzie zbyt mały? wg noty mają 100mA a 2N2222 które podałeś aż 600-800mA. Jeśli będzie mało, to może nada się BC817 - 500mA ? Chodzi o to że mam je u siebie i fajnie byłoby wykorzystać coś co już leży i śniedzieje :D
  • #15 18499282
    yego666
    Poziom 33  
    Posty: 2175
    Pomógł: 239
    Ocena: 564
    BC817 będzie też ok. 2N2222 podałem jako przykład, a prąd kolektora musi być trochę większy niż 100mA bo od tego zależy szybkość rozładowania bramki. Jeśli będzie wciąż za wolno, to opornik 10k zamieniłbym na 4.7k, a 4.7k na 2.2k, ale dopiero gdy się okaże że pmos się grzeje.
  • #16 18499328
    gryzlly
    Poziom 13  
    Posty: 108
    Pomógł: 3
    Ocena: 16
    krzysiek_krm napisał:
    Nie chcę być złośliwy, ale rozwiązanie, o którym pisałem w
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3664515.html#18496756
    to są dwa elementy.


    Ale żadnej złośliwości tutaj nie widzę - wręcz przeciwnie - dowiedziałem się że takie układy istnieją - zawsze to dodatkowa wiedza na przyszłość. Na tme kosztują około 4-8zł za szt (na aliexpres pewnie połowe tego), do tego mosfet(y) i pewnie kilka elementów dodatkowych.
    Chodzi o to że te główne mosfety typu P już mam - 45gr/szt, a reszta elementów w pudełkach też leży i czeka. Gdybym nic nie miał, to zapewne prostota wykorzystania takiego drivera i niska cena mosfeta N z rezystancją na poziomie kilku mohm przemawiałaby za takim rozwiązaniem.

    W takim razie montuje do tego 2x BC817 i po uruchomieniu będę patrzył co się dzieje. Na tą chwilę dzięki za pomoc i napisze jak wszystko uruchomię i jakie będa efekty.

Podsumowanie tematu

✨ W dyskusji poruszono problem sterowania mosfetami P przy dużych prądach (40V/50A) w układach z mikrokontrolerami Atmega8 i Atmega64. Użytkownik wskazał na trudności związane z używaniem mosfetów P w porównaniu do N, które wcześniej działały bez problemów. Zasugerowano różne podejścia, w tym zastosowanie sterowników typu "photovoltaic mosfet driver" oraz układów bootstrap, jednak podkreślono, że są one bardziej skomplikowane. Wskazano na konieczność ograniczenia napięcia na bramce mosfeta P, co można osiągnąć za pomocą diody Zenera. Użytkownik rozważał różne wartości rezystorów i kondensatorów w celu optymalizacji czasów przełączania, a także poruszył kwestie związane z grzaniem się tranzystorów. Ostatecznie zdecydowano się na prostsze rozwiązanie z wykorzystaniem tranzystorów NPN, takich jak BC817, do sterowania mosfetami P.
Podsumowanie AI na podstawie dyskusji. Może zawierać błędy.
REKLAMA