Cześć.
Możecie mi pomóc "wyprstowac" pewne pojęcie. Co to jest tranzystor DMOS. Dlaczego tak się nazywa, i czy rózni sie od innych. Spotkałem takie określenie w stosunku do wzmacniacza na TDA7294 ze posiada koncówke mocy na DMOSach
Naprawde aż przykro mówić, ale czy w ogóle patrzyłeś do tego linka który mi podałeś. Chyba nie? A szkoda bo bys wtedy nie nazywał mnie jakim tam chrbią.
Ważne że znalazłem odpowiedź na swoje pytanie. Jest to opisane w którymś (nie mam tego przed sobą więc nie moge odac numeru) wydaniu archwalnego Praktycznego Elektronika.
Naprawde aż przykro mówić, ale czy w ogóle patrzyłeś do tego linka który mi podałeś. Chyba nie? A szkoda bo bys wtedy nie nazywał mnie jakim tam chrbią.
I tego też nie znalazłeś:
http://www.sciaga.pl/tekst/7419-8-energoelektronika_rozne_pytania "
W tranzystorach polowych mocy jest najczęściej stosowana struktura DMOS (ang. Double-diffused MOS), w której na podłożu o przewodnictwie
n tworzącym dren przez podwójną dyfuzję naniesione są obszary
o przewodnictwie p+ i n+, przy czym te ostatnie są elektrodami źródła S tranzystora (rysunek 1a). Grubość obszaru p+ i koncentracja zawartych w nim domieszek określa wytrzymałość napięciową struktury. Doprowadzenie dodatniego napięcia do bramki umieszczonej na warstwie izolacyjnej
z dwutlenku krzemu powoduje wyciąganie przez pole elektryczne elektronów, które tworzą połączenie między obszarami n+ źródła i n- drenu. Przewodnictwo tego kanału zależy od wartości napięcia bramki.
Tranzystory polowe mocy są złożonymi strukturami monolitycznymi wykonanymi w technice scalonej, zawierającymi wielką liczbę (ponad 1000) pojedynczych elementów połączonych równolegle. Bramka wspólna dla tych wszystkich elementów, izolowana od struktury przez warstwę Si02, ma dużą rezystancję (rzędu 109 W) i w stanie ustalonym praktycznie nie pobiera prądu. Impulsy napięciowe o dużej stromości wywołują prąd przejściowy przeładowywania pojemności między obszarami elektrod (rysunek 1c).
Rysunek 1. Tranzystor polowy mocy: a) struktura uproszczona; b) symbol graficzny; c) model
z uwzględnieniem pojemności wewnętrznych i obwodu obciążenia; d) statyczne charakterystyki prądowo-napięciowe.
W przebiegu charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora polowego mocy można wyróżnić dwa przedziały (rysunek 1d): przedział
o stałej rezystancji (RDS = UDS/ID = const) i przedział drugi, w którym prąd drenu ma wartość stałą (ID = const). Przy napięciach bramki 2¸4 V występuje zjawisko progowe i wtedy prąd drenu jest bardzo mały. Rezystancja RDS jest związana z napięciem znamionowym tranzystora. W tranzystorach polowych
o wyższych napięciach znamionowych może osiągać znaczne wartości, np. RDS»2W w tranzystorze o danych znamionowych UDS=50 V, ID=50 A. Rezystancja ta zwiększa się wraz z temperaturą - wzrost temperatury struktury od 25°C do 100°C może powodować nawet dwukrotne zwiększenie rezystancji tranzystora.
Jeżeli pominąć pojemności międzyelektrodowe, to w tak wyidealizowanym procesie włączania tranzystora polowego prąd drenu zaczyna zwiększać się od chwili t1 (rysunek 2a), w której napięcie bramki przekroczy wartość progową, i dąży do wartości prądu obciążenia, którą osiąga w chwili t2. Od tej chwili rozpoczyna się szybkie obniżanie się napięcia uDS tranzystora.
W warunkach rzeczywistych pojemności międzyelektrodowe, zaznaczone na rysunku 2c powodują, że przebiegi zarówno prądu iD, jak i napięcia uDS ulegają znacznym deformacjom (rysunek 2a).
Proces wyłączania (rysunek 2b) tranzystora polowego mocy rozpoczyna się od chwili, w której wskutek obniżenia się napięcia bramki nastąpi rozładowanie pojemności wejściowych. Napięcie uDS szybko podwyższa się do wartości napięcia zasilania osiąganego w chwili t8, po czym prąd drenu zmniejsza się z dużą stromością do zera. Oddziaływanie pojemności międzyelektrodowych i indukcyjności rozproszenia obwodów drenu i „źródła" S deformuje te wyidealizowane przebiegi, zwłaszcza przebieg napięcia na tranzystorze.
Czasy przełączeń tranzystorów polowych są bardzo krótkie - rzędu dziesiątków nanosekund. Powstające w tych procesach straty mocy są pomijalne w porównaniu ze stratami przewodzenia.
Graniczne parametry techniczne współcześnie wytwarzanych tranzystorów polowych mocy: ID=20¸100 A, UDS=200¸50 V (większe wartości prądów odpowiadają niższym napięciom znamionowym), ton>0,09 ms, toffł0,14 ms, dopuszczalne stromości narastania napięcia >20 kV/ms i narastania prądu >10 kA/ms.
"
Koniec cytata ...
Powyższe pozostawię bez komentarza, nawet napisać poprawnie nie potrafisz...
