Wiatam mam problem mam zbudowany nadajnik IR i odbiornik IR. Odbiornik dziala bo sprawdzalem z pilota philipsa na analizatorze logicznym przebiegi. tu odbiornik
Jednak problem mam z nadajnikiem w postaci.
Odbiornik odbiera jak nadajnik i odbiornik sa w odleglosci 5cm. wszystko podlaczone jest at89s52 ktorego port p1 jak wyczytalem daje 10mA pradu czy jest to odpowiednia wielkosc do pelnego wysterowania tranzystora bc337. Rezystancja R2 sluzy do ograniczenia pradu plynacego przez diody IR i byla zmieniana nawet do 2ohm spadek na jednej diodzie jest ok 1,2V na kazdej przy przewodzeniu. Rezystor R1 na bazie zostal nawet wywalony i podlaczony bezposrednio na uC.
W ksiazce wydawnictwa btc mikrokontrolery w systemach zdalnego sterowania. autor napisal:" jako tranzystor kluczujacy diodę IR moze byc wykorzystany tranzystor polowy lub bipolarny. W przypadku tr bipolarnego pewnym problemem jest stosunkowo duzy prad bazy 10-20mA potrzebny do wprowadzenia tranzystora w stan sasycenia uzyskanie pradu z ukladow uc nie zawsze jest mozliwe."
Autor proponuje tr mtp3055el. parametry tranzystora N-CHANNEL 60V - 0.1 OHM - 12A TO-220 STRIPFET POWER MOSFET. Dla moich potrzeb wystarczyl by 1A w porywach 1,5A. Jestem ze ślaska i nie mam czasu kupowac przez neta tranzystora i czekac na niego. Zaopratruje sie w takich sklepach jak scalak zabrze nikomp katowice seguro gliwice.
Czy ktos moze mi cos zaproponowac z tranzystorow mosfet.
Jednak problem mam z nadajnikiem w postaci.
Odbiornik odbiera jak nadajnik i odbiornik sa w odleglosci 5cm. wszystko podlaczone jest at89s52 ktorego port p1 jak wyczytalem daje 10mA pradu czy jest to odpowiednia wielkosc do pelnego wysterowania tranzystora bc337. Rezystancja R2 sluzy do ograniczenia pradu plynacego przez diody IR i byla zmieniana nawet do 2ohm spadek na jednej diodzie jest ok 1,2V na kazdej przy przewodzeniu. Rezystor R1 na bazie zostal nawet wywalony i podlaczony bezposrednio na uC.
W ksiazce wydawnictwa btc mikrokontrolery w systemach zdalnego sterowania. autor napisal:" jako tranzystor kluczujacy diodę IR moze byc wykorzystany tranzystor polowy lub bipolarny. W przypadku tr bipolarnego pewnym problemem jest stosunkowo duzy prad bazy 10-20mA potrzebny do wprowadzenia tranzystora w stan sasycenia uzyskanie pradu z ukladow uc nie zawsze jest mozliwe."
Autor proponuje tr mtp3055el. parametry tranzystora N-CHANNEL 60V - 0.1 OHM - 12A TO-220 STRIPFET POWER MOSFET. Dla moich potrzeb wystarczyl by 1A w porywach 1,5A. Jestem ze ślaska i nie mam czasu kupowac przez neta tranzystora i czekac na niego. Zaopratruje sie w takich sklepach jak scalak zabrze nikomp katowice seguro gliwice.
Czy ktos moze mi cos zaproponowac z tranzystorow mosfet.
przyda sie ta informajca.
