REKLAMA

Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

[Szukam] fdd6680a mosfet zamiennik

uszok · 2007-11-16T14:05:52+01:00

Witam. Padł mi na płycie głównej mosfet fdd6680a w Polsce nie do kupienia [ ] szukam zamiennika... Znalazłem takie coś N-channel logic level TrenchMOS transistor PSMN004-25B, PSMN004-25P [ ] Ale RDS on jest inne - nie wiem czy coś się nie popali. Będę wdzięczny za wszelką pomoc. Dzięki

uszok 16 Lis 2007 14:05 1926 6

REKLAMA

Zgłoś naruszenie prawa

Odpowiedz | Nowy temat

#1 4487485 16 Lis 2007 14:05

uszok uszok

Poziom 14

Posty: 162

Ocena: 8
Autor tematu

Post #1
4487485 16 Lis 2007 14:05

Witam.

Padł mi na płycie głównej mosfet fdd6680a w Polsce nie do kupienia [ http://www.iele.polsl.pl/elenota/Fairchild/fdd6680a.pdf ] szukam zamiennika... Znalazłem takie coś N-channel logic level TrenchMOS transistor PSMN004-25B, PSMN004-25P [ http://www.semiconductors.com.pl/web/pliki/psmn004-25.pdf ] Ale RDS on jest inne - nie wiem czy coś się nie popali.

Będę wdzięczny za wszelką pomoc. Dzięki

REKLAMA
#2 4487599 16 Lis 2007 14:44

jagielonczyk jagielonczyk

Poziom 13

Posty: 31

Pomógł: 7

Ocena: 3
Post #2
4487599 16 Lis 2007 14:44

Witam!
Tranzystory PSMN004-25 mają niższe napięcie Vds (25V) a powinien mieć tak jak FDD6680a 30V.
Proponuję tranzystory VNP35N07 lub 2SK1388.
Dostepne w TME:
http://www.tme.pl/katalog/index.phtml?f_szukaj=&idp=1
http://www.tme.pl/katalog/index.phtml?f_szukaj=&idp=1

Pozdrawiam!
REKLAMA
#3 4487840 16 Lis 2007 16:01

uszok uszok

Poziom 14

Posty: 162

Ocena: 8
Autor tematu

Post #3
4487840 16 Lis 2007 16:01

Dzięki... To poleć mi lepszy do tego rozw... I jeszczed: Rds on jest ok?
#4 4488984 16 Lis 2007 20:57

jagielonczyk jagielonczyk

Poziom 13

Posty: 31

Pomógł: 7

Ocena: 3
Post #4
4488984 16 Lis 2007 20:57

Witam!
Na początku przepraszam bo podałem Ci niewłaściwe tranzystory.
Najlepszy będzie IRL3103 http://www.iele.polsl.pl/elenota/International_Rectifier/irl3103.pdf.
Jego napięcie Uds = 30 V, prąd drenu Id = 64 A, a rezystancja Rdson = 12 m. Tutaj Rdson jest minimalnie wyższe niż Twojego tranzystora ale to nie powinno być problemem. Zakładam, że tranzystor pełni funkcje klucza. Jedynym parametrem, który mnie niepokoi jest maksymalne napięcie Ugs. W Twoim wynosi +/-20V a ten, który ja Ci proponuje ma +/- 16, ale niestety to już najlepiej sprawdzić fizycznie czy wytrzyma. I tak nie masz innego wyjścia, bo innego tranzystora nie znalazłem. Tranzystor ten kosztuje w TME 2,39.

Pozdrawiam!
REKLAMA
#5 4489512 16 Lis 2007 23:16

uszok uszok

Poziom 14

Posty: 162

Ocena: 8
Autor tematu

Post #5
4489512 16 Lis 2007 23:16

A jak w tej obudowie są sygnały G D i S ?? Patrząc od frontu od lewej G na 1 nóżce D na 2 i S na 3??
REKLAMA
#6 4497075 19 Lis 2007 08:48

jagielonczyk jagielonczyk

Poziom 13

Posty: 31

Pomógł: 7

Ocena: 3
Post #6
4497075 19 Lis 2007 08:48

Tak, wyprowadzenia są w dokładnie w takiej kolejności.
#7 4504350 21 Lis 2007 10:56

uszok uszok

Poziom 14

Posty: 162

Ocena: 8
Autor tematu

Post #7
4504350 21 Lis 2007 10:56

Dobra. Zamówione. Dzięki za pomoc. Teraz tylko ciekawe czy to ruszy... Dał bym ci pomógł, ale tu się hcyba nie da...
Zarejestruj konto, Zaloguj się i bądź aktywny na forum, a wtedy reklamy nie będą się pojawiać. Dołącz do dyskusji i otrzymaj punkty za rejestrację oraz odpowiedzi.

Zainstaluj aplikację Elektroda

Odpowiedz | Nowy temat

Zgłoś naruszenie prawa

Podsumowanie tematu

✨ W dyskusji poruszono problem braku dostępności tranzystora MOSFET FDD6680A na rynku polskim, stosowanego na płycie głównej. Zaproponowano zamienniki, zwracając uwagę na parametry takie jak napięcie dren-źródło (Vds), rezystancja w stanie włączenia (Rds(on)) oraz maksymalne napięcie bramka-źródło (Ugs). Tranzystory PSMN004-25B/P mają niższe Vds (25V) niż oryginalny FDD6680A (30V), co może być problematyczne. Jako lepszy zamiennik wskazano IRL3103, który ma odpowiednie napięcie Uds = 30 V, prąd drenu Id = 64 A oraz Rds(on) minimalnie wyższe (12 mΩ), co nie powinno stanowić problemu przy funkcji klucza. Zwrócono uwagę na różnicę w maksymalnym napięciu Ugs (+/-16 V zamiast +/-20 V), co wymaga testów praktycznych. Potwierdzono również kolejność wyprowadzeń w obudowie: G (gate) na nóżce 1, D (drain) na 2, S (source) na 3. Ostatecznie autor zamówił polecany tranzystor i podziękował za pomoc.
Wygenerowane przez model językowy.

REKLAMA