logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

[ALL] SRAM z automatycznym inkrementowaniem adresu, 1MB/2MB, <1us czas zapisu?

Petros 08 Gru 2009 18:41 2136 6
REKLAMA
  • #1 7362489
    Petros
    Poziom 20  
    Posty: 571
    Pomógł: 4
    Ocena: 355
    Witam

    Szukam pamięci Sram która nie wymaga podawania adresu do zapisu/odczytu. Czytałem kiedyś o takim układzie i zapomniałem jgo nazwy...
    działała następująco:

    Na 8 równoległych liniach danych ustawiało się dane. Dane zostały zapisywane do pamięci po zmianie Lini CS na wysoką. Adres pamięci zwiększał się samoczynnie.

    Do sterowania wystarczył piny danych (8) oraz pin CS/SCL i WR (odczyt lub zapis)
    Pamięć miała pojemość 1MB lub 2MB a czasz zapisu 1 bajta poniżej 1us
    Ktoś zna nazwy takich układów?
  • REKLAMA
  • #2 7363841
    gothye
    Poziom 33  
    Posty: 2421
    Pomógł: 183
    Ocena: 60
    DataFlash ?! np AT45DB... , jest jedynie po 3 liniach + CS , pamięci EEPROM nie mają takej szybkości zapisu
  • REKLAMA
  • #3 7364139
    Petros
    Poziom 20  
    Posty: 571
    Pomógł: 4
    Ocena: 355
    szukam czegoś z zpisem równoległym gdzie do sterowania starczy 12 lini io. Wysłanie jednej strony zajmnie około 0,3ms i w tym czasie mikrokontroler nie może robić nic innego
  • REKLAMA
  • Pomocny post
    #4 7364520
    gothye
    Poziom 33  
    Posty: 2421
    Pomógł: 183
    Ocena: 60
    kiedyś w sieci trafiłem na taki projekt Atmela ,opis jest bardzo dobry więc myślę że Ci sie przyda ;)
    Załączniki:
    • DN_028_AVR+SRAM.pdf (124.78 KB) Musisz być zalogowany, aby pobrać ten załącznik.
  • #5 7364800
    marekos
    Poziom 16  
    Posty: 140
    Pomógł: 14
    Ocena: 4
    NANDFlash tylko trzeba 13 linii.
  • REKLAMA
  • #7 7367569
    marekos
    Poziom 16  
    Posty: 140
    Pomógł: 14
    Ocena: 4
    Petros napisał:
    marekos napisał:
    NANDFlash tylko trzeba 13 linii.


    mogę prosić o nazwę jakiegoś przykładowego scalaka?



    Samsung K9F4G08U0A

Podsumowanie tematu

LABEL_AI_GENERATED
Użytkownik poszukuje pamięci SRAM, która automatycznie inkrementuje adres przy zapisie/odczycie, wymagając jedynie 8 linii danych oraz pinów CS/SCL i WR. Wskazano, że pamięć powinna mieć pojemność 1MB lub 2MB oraz czas zapisu poniżej 1µs. W odpowiedziach zasugerowano różne typy pamięci, w tym DataFlash (np. AT45DB) oraz NAND Flash, które wymagają więcej linii do sterowania. Użytkownik prosił o konkretne przykłady układów, na co podano model Samsung K9F4G08U0A.
Podsumowanie AI na podstawie dyskusji. Może zawierać błędy.
REKLAMA