logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

Narastanie napięcia sterowania MOSFETÓW (spawarka)

neutronix 10 Sty 2005 09:59 3727 12
REKLAMA
  • #1 1125359
    neutronix
    Poziom 13  
    Posty: 68
    Pomógł: 1
    Ocena: 13
    Ratunku!
    może ktoś się orientuje, jaka powinna być szybkość narastania
    zbocza przy sterowaniu potężnych mosfetów.
    próbuję uruchamiać po kawałku spawarkę z forum (inwertor 7kW/200A)
    i do momentu podłączenia bramek Mosów sygnał na wyjściu BD286
    jest prostokątny, po podłączeniu ok 10V/us (wyrażnie "pochyły").
    Czy to normałne(wiem o przeładowaniu pojemności bramki), czy
    trzeba coś ztym zrobić - co!!!
    Dzięki.
    Aha, na Mosach nie podłączyłem napięcia (żeby nie było "skwarki").
    Czy napięcie rob. Uds spowoduje poprawienie przebiegu prost. Ugs?
    Darek
  • REKLAMA
  • #2 1135053
    janto
    Poziom 24  
    Posty: 472
    Pomógł: 69
    Ocena: 41
    Daj mi namiar na schemat, to cos wymyślę. Jaka jest częstotliwość?
  • REKLAMA
  • #3 1136367
    neutronix
    Poziom 13  
    Posty: 68
    Pomógł: 1
    Ocena: 13
    Hej!
    Schemat jest na elektrodzie. nazywa się "to" spawarka inwertorowa
    7kW/200A - dawcą jest "lechoo". ja nie mogłem dostać kontrolera TDA,
    więc dałem SG3524. chyba to nie problem, bo na nim jest "idealny"
    prostokąt , dalej ,jak na schemacie dopiero za układem TLP250 jak bramki Mosów nie podłączone to ok., a jak podłączone (3xIRFP460 na gałąź), to sygnał się robi "trochę sinosoidalny) :) ok 10v/us. nie wiem ,czy to dużo,bo nie mam dużego doświadczenia w impulsiakach. :oops:

    Dodano po 1 [minuty]:

    Aha, f= około 40 kHz
  • #4 1137147
    gmp
    Poziom 19  
    Posty: 434
    Pomógł: 29
    Ocena: 28
    neutronix napisał:
    Hej!
    7kW/200A - .......(3xIRFP460 na gałąź), to sygnał się robi "trochę sinosoidalny) :) ok 10v/us. nie wiem ,czy to dużo,bo nie mam dużego doświadczenia w impulsiakach. :oops:
    Aha, f= około 40 kHz

    7kW i tylko 3 tranzystory w galezi? to troche za malo, jak naprawilem malenkie spawarki 130A to bylo tam po 4 tranzystory w galezi.
    Sygnal na pewno powinien przypominac prostokat a nie sinusoide. Trzeba dac wzmacniacz i szcegolna uwage zwrocic na opadajace zbocze- musi byz bardzostrome gdyz inaczej tranzystory beda sie bardzo grzalyjak juzzrobsz wzamcniacz ro w szereg z bramka daj rezystor 33R i odwrotnie spolaryzowana diode polaczona rownolegle do rezystora zeby przyspieszyc roladowanie bramki. Poza tym z tego co domyslam to ta spawarka zasialna jest z 400V wiec tranzystory wydaj mi sie za slabe (500V). ALe to jeszzce nic, podlaczysz tranzstory, zrobisz piekny prostokat.... zostanie Ci transformator, nie wiem czy to przeskoczysz- raczej zrob mniejsza spawarke na poczatek cos takigo bylo wEP (ale z tego co wiem to jest tam pare bledow i gosc pisze jakiej pierdoly o ograniczniu pradu po pierwotnej stronie trafa za pomoca indukcyjnosci...)
  • #5 1137244
    neutronix
    Poziom 13  
    Posty: 68
    Pomógł: 1
    Ocena: 13
    Cześć!
    na elektrodzie jest ten schemat w oryginale 7kW/200, tam są
    Mosy 2SK 1489 - 6szt na gałąź- 1000V, mnie wystarczy ok 100-120A na jedną fazę,
    czyli prąd falownika ok 20A/3 tranz. to ok6-7A na Mosa.
    Spawarka z EP 11/99 działa (sam popełniłem), ale tam jest jeden mosfet
    w gałęzi - trochę mało :?:, dzławik rzeczywiście jest zwykle po stronie
    wtórnej w prawie każdym inwertorze, boczniki w szereg z mosami daje
    się po pierwotnej, ale masz rację trochę źle facet rozwiązał driver na
    małych mosach zbocze włącza je w fazie przejścia "na raz" i można
    się poparzy :D.
    odnośnie drivera to powieliłem rozwiązanie z tej spawarki 7kW/200A i
    tam TLP250 z tranzyst. drivem steruje aż 6 mosów, a nie 3!.
    Stąd moje wątpliwości, co schrzaniłem!
    Pozdrawiam
  • #6 1138151
    artibpl
    Poziom 17  
    Posty: 226
    Pomógł: 13
    Ocena: 50
    Impuls sterujący musi przeładować pojemność wejsciową MOSa szybciej niż wynosi jego czas załączenia t(on) do napięcia, przy którym jesteśmy pewni, że tranzystor już nie znajduje się w obszarze pracy liniowej. Jeśli np czas włączenia tranzystora (z noty aplikacyjnej) wynosi 100 ns, to impuls sterujący powinien conajmniej w tym czasie nałądować pojemność bramki do 10-12V. Przy tym napięciu tranzystor na pewno będzie w pełnym nasyceniu. Dodatkowe informacje w załączniku np jak liczyć prąd maksymalny a z niego rezystancję między sterownikiem a bramką MOSa.
    Załączniki:
    • HCPLxxx.pdf (282.58 KB) Musisz być zalogowany, aby pobrać ten załącznik.
  • REKLAMA
  • #7 1138192
    janto
    Poziom 24  
    Posty: 472
    Pomógł: 69
    Ocena: 41
    Oglądnij oscyloskopem napięcie zasilania tranzystorów BDP... , oczywiście z podłączonymi bramkami mosów, wydaje mi się, że może siadać. spróbuj dać większe kondensatory C10 i 11 oraz C36 i37.
  • #8 1139462
    neutronix
    Poziom 13  
    Posty: 68
    Pomógł: 1
    Ocena: 13
    Dzięki wszystkim za inspirujące podpowiedzi!
    szczególnie za wzory z Agilenta - własnie sciągam z TME
    ciegawy gate - driver HCPL3120 2A w impulsie!
    szczególnie dziękuję janto za podpowiedź odnośnie
    przetwornicy pomocniczej, rzeczywiście jeszcze tego nie
    sprawdziłem.
    jednak dalej mnie dręczy, dlaczego tam steruje ten układ
    6 Mosów, a tu nie "wyrabia" przy 3
    Chyba rzeczywiście przetwornica. jutro popróbuję.
    Odnośnie trafa, to zdobyłem ciekawe rdzenie z mat. 3F3
    typu E65, ale nawinięte drutem 2,5mm2 strasznie się grzały!
    (prądy wirowe i naskórkowość).trzeba będzie jednak
    skombinować taśmę miedzianą 0,2x40mm i tym nawinąć :(
    taki rdzeń może podobno przenieść do 3kW!
  • #9 1150839
    neutronix
    Poziom 13  
    Posty: 68
    Pomógł: 1
    Ocena: 13
    No i sam sobie odpowiadam!!
    doczytałem się w ciekawej książce (poradnik inżyniera energoelektronika,
    Nowak, Barlik - polecam!),że pojemność Cgd zależy odwrotnie prop. od
    napięcia Uds i to mocno!
    np. "duży" Mos ma pojemność bramki sięgająca 6nF przu napięcie Uds =0,
    ale już przy napięciu Uds=40-50V pojemnośc ta spada do ok 1 nF!!
    Teraz wszystko jasne
    Dziękuję za podpowiedzi i zamykam temat!
    Darek
  • REKLAMA
  • #10 1153162
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 49148
    Pomógł: 3212
    Ocena: 4260
    Jeszcze nie taka prosta sprawa: mierzyłaś co się dzieje bez napięcia na drenie;
    jak podłączysz napięcie, i obciążenie, to zmiany napięcia dren-bramka prawdopodobnie
    będą wielokrotnie większe, niż napięcia bramka-źródło (nie wiem, jakim napięciem masz
    to zasilać, ale pewnie setki wolt, a nie dziesiątki), dla tranzystora MOSFET podaje się
    w katalogu, jaki ładunek trzeba dać na bramkę, by go włączyć lub wyłączyć, przelicz
    ten ładunek na pojemność, i sprawdź, jak działa układ sterujący z taką pojemnością.
  • #11 1167173
    neutronix
    Poziom 13  
    Posty: 68
    Pomógł: 1
    Ocena: 13
    Cześć
    np. dla tranzystora IRFP450 (14A/500V) jest w katalogu ładunek 90nC,
    ale jest też wykres tzw.capacitance variations i w stanie Uds =25V ma
    Cgs =2nF!!!, a bez napięcia przekracza 4nF!. Oczywiście jta masz rację,
    cały czas "choruję" (na elektrodzie nie tylko ja) na spawarkę TIG i to
    do tego ma służyć - napięcie około 320V=. Jeżeli teraz przyjąć minimum
    3 tranzystory w gałęzi to pojemność Cgs może wynosić około 15nF.
    Nawet nie trzeba liczyć - naładować taką pojemność w czasie kilkuset
    nanosekund, to jest duży problem. Oczywiście pojemność spadnie przy
    napięciu powyżej 40-50V, ale przy wyższm już nie bardzo stabilizuje się
    na poziomie ok 1,5-2nF na 1 tranzystor. Właśnie dostałem HCPL 3210 (2A w impulsie) myślę, że to wystarczy do przeładowania pojemności bramki.
  • #12 1178821
    Smoczy
    Poziom 20  
    Posty: 436
    Pomógł: 26
    Ocena: 67
    A gdzie można kupić rdzenie ferrytowe do takiej spawarki?? bo ja też bym chciał coś takiego zrobić. ale nie wiem czy mi się uda.
  • #13 1179135
    neutronix
    Poziom 13  
    Posty: 68
    Pomógł: 1
    Ocena: 13
    Witam!
    Ja kupuję na giełdzie Wolumen w mojej dużej "wsi", czyli Warszawie.
    Ale człowiek jest z Białegostoku, bardzo uczynny, oto jego kontakt:
    "Margot Plus"s.c.
    Mirosław Milkiewicz
    15-161 Białystok ul.Wilejki 25
    tel/fax (085) 6762-685
    Ma rdzenie E65 z mat."mocowego" 3F3 - mogą podobno przenieść do 3kW!
    z karkasem kosztują chyba około 20zł/kpl. Obejrzałem w supermarkecie
    przez szczeliny went. trafo i jest na identycznym rdzeniu, a spawarka ma
    130A!!!
    pozdrawiam.

Podsumowanie tematu

LABEL_AI_GENERATED
Dyskusja dotyczy problemu narastania napięcia sterującego bramki MOSFET-ów w inwertorowej spawarce o mocy 7kW/200A. Autor próbuje uruchomić spawarkę z forum, gdzie sygnał sterujący na wyjściu BD286 jest prostokątny bez podłączonych bramek MOSFET-ów, natomiast po ich podłączeniu narastanie zbocza spada do około 10 V/μs, co powoduje "pochyły" przebieg. Wskazano, że sygnał sterujący powinien być bardzo stromy, aby szybko przeładować pojemność bramki MOSFET-a i uniknąć pracy w obszarze liniowym, co skutkuje nadmiernym nagrzewaniem tranzystorów. Zalecane jest stosowanie wzmacniaczy prądowych (np. driverów HCPL3120 lub HCPL3210) zdolnych do dostarczenia impulsów prądowych rzędu 2A, a także rezystorów i diod w układzie bramki w celu przyspieszenia ładowania i rozładowania pojemności bramki. Dyskutowano o liczbie tranzystorów w gałęzi (3 vs 6) oraz o wpływie napięcia dren-źródło (Uds) na pojemność bramki (Cgs i Cgd), która maleje wraz ze wzrostem Uds, co wpływa na charakterystykę sterowania. Poruszono także kwestie doboru rdzeni ferrytowych (np. E65 z materiału 3F3) i problemów z nagrzewaniem się uzwojeń transformatora. Wskazano, że przy napięciu Uds około 320 V i prądzie falownika około 20 A na 3 tranzystory, pojemność bramki może wynosić około 15 nF, co wymaga odpowiednio szybkiego i mocnego drivera. Podsumowując, prawidłowe sterowanie MOSFET-ami w spawarce wymaga uwzględnienia pojemności bramki zależnej od napięcia, stosowania wydajnych driverów oraz odpowiedniej topologii układu sterującego, aby uzyskać prostokątny przebieg impulsu i uniknąć przegrzewania tranzystorów.
Podsumowanie AI na podstawie dyskusji. Może zawierać błędy.
REKLAMA