Witam,
Ostatnio przyglądałem się konstrukcjom spawarek na elektrodzie i postanowiłem również popełnić podobne ustrojstwo. Jako, iż mam na stanie rdzenie E71 oraz E65 postanowiłem zacząć budowę. Sterownik zamierzam oprzeć na układzie UC3845. Częstotliwość pracy 36kHz lub 50 kHz. Topologia forward 2 tranzystory. Zasilanie driverów na zasilaczu impulsowym (gotowa konstrukcja) 15V 5A. Jako drivery mam do wyboru TLP250 lub driver z wykorzystaniem tranzystorów bipolarnych. Separacja poprzez TLP250 lub transformator.
Jedynym problemem dla mnie są dość drogie i ciężko dostępne wyjściowe elementy mocy oraz dylemat czy IGBT czy MOSFET?
Dodam że mam na stanie 8 sztuk dość dobrych MOSFET'ów SiHG64N65E.
Czy szanowni użytkownicy forum mogliby rozwiać moje wątpliwości i odpowiedzieć na kilka poniższych pytań?
1) Czy podane tranzystory będą odpowiednie (oczywiście połączone 4 lub 3 równolegle na stronę) czy lepiej zainwestować w IGBT?
2) Jaki driver dobrać do tranzystorów połączonych równolegle(dość duże pojemności)?
3) Gdzie mógłbym kupić tanio szybkie diody mocy lub schottky'a?
4) Które diody wybrać STPS200170TV1 czy w w w .allegro.pl/super-szybka-podwojna-dioda-mur20040ct-200a-75-ns-i4320471393. html czy jakieś inne?
5) Czy dławik wyjściowy na rdzeniu E65 ma mieć szczelinę na środkowej kolumnie? widziałem dławiki ze szczelinami na zewnętrznych kolumnach i nie wiem czy środkowa też ma mieć.
6) Czy transformator na rdzeniu E71 ma mieć szczelinę powietrzną?
PS. Jeśli ktoś z użytkowników forum ma na stanie szybkie diody mocy STPS200170TV1 lub inne oraz tranzystory mocy IGBT to proszę o kontakt PW.
Pozdrawiam
Ostatnio przyglądałem się konstrukcjom spawarek na elektrodzie i postanowiłem również popełnić podobne ustrojstwo. Jako, iż mam na stanie rdzenie E71 oraz E65 postanowiłem zacząć budowę. Sterownik zamierzam oprzeć na układzie UC3845. Częstotliwość pracy 36kHz lub 50 kHz. Topologia forward 2 tranzystory. Zasilanie driverów na zasilaczu impulsowym (gotowa konstrukcja) 15V 5A. Jako drivery mam do wyboru TLP250 lub driver z wykorzystaniem tranzystorów bipolarnych. Separacja poprzez TLP250 lub transformator.
Jedynym problemem dla mnie są dość drogie i ciężko dostępne wyjściowe elementy mocy oraz dylemat czy IGBT czy MOSFET?
Dodam że mam na stanie 8 sztuk dość dobrych MOSFET'ów SiHG64N65E.
Czy szanowni użytkownicy forum mogliby rozwiać moje wątpliwości i odpowiedzieć na kilka poniższych pytań?
1) Czy podane tranzystory będą odpowiednie (oczywiście połączone 4 lub 3 równolegle na stronę) czy lepiej zainwestować w IGBT?
2) Jaki driver dobrać do tranzystorów połączonych równolegle(dość duże pojemności)?
3) Gdzie mógłbym kupić tanio szybkie diody mocy lub schottky'a?
4) Które diody wybrać STPS200170TV1 czy w w w .allegro.pl/super-szybka-podwojna-dioda-mur20040ct-200a-75-ns-i4320471393. html czy jakieś inne?
5) Czy dławik wyjściowy na rdzeniu E65 ma mieć szczelinę na środkowej kolumnie? widziałem dławiki ze szczelinami na zewnętrznych kolumnach i nie wiem czy środkowa też ma mieć.
6) Czy transformator na rdzeniu E71 ma mieć szczelinę powietrzną?
PS. Jeśli ktoś z użytkowników forum ma na stanie szybkie diody mocy STPS200170TV1 lub inne oraz tranzystory mocy IGBT to proszę o kontakt PW.
Pozdrawiam