Wybór IGBT czy MOSFET do zasilacza 10 kW, 350V, 30A - straty i koszty

✨ Dyskusja dotyczy wyboru tranzystorów końcowych do zasilacza o mocy do 10 kW, napięciu około 350 V i prądzie 30 A, zasilającego silniki prądu stałego. Porównano IGBT i MOSFET-y pod kątem strat mocy i kosztów. MOSFET-y charakteryzują się niższym spadkiem napięcia i lepszą pracą przy wyższych częstotliwościach, natomiast IGBT mają większy spadek napięcia, ale sprawdzają się przy większych mocach. Sterowanie impulsowe planowane jest z wykorzystaniem układu NE555, jednak wskazano, że NE555 bezpośrednio nie nadaje się do sterowania tranzystorów, zwłaszcza połączonych równolegle, ze względu na konieczność dostarczenia dużej energii do naładowania pojemności bramek. Zalecane są specjalizowane układy sterujące, takie jak SG3525, który jest polecany do zasilaczy impulsowych i zapewnia lepsze chłodzenie tranzystorów niż TL494. Dodatkowo rekomendowane są dedykowane sterowniki tranzystorów IGBT z optoizolacją, np. HCPL3120, oraz układy TC426-9 lub IR21** do sterowania high-side. Optoizolacja jest wskazana przy napięciach powyżej 300 V. W dyskusji pojawiły się także linki do not aplikacyjnych i schematów, a także uwagi dotyczące trudności projektu i pytania o doświadczenie w budowie przetwornic o mocy 10 kW.
Podsumowanie AI na podstawie dyskusji. Może zawierać błędy.