Witam,
Zbudowałem banalnie prosty układ według załączonego schematu. Wzmacniacz operacyjny ma za zadanie utrzymać zadany po przez dzielnik rezystorowy, spadek napięcia na rezystorze R5, po przez sterowanie bramką tranzystora Mosfet.
Układ działa bezproblemowo (co nie jest w sumie takie pewne ponieważ nie posiadam jeszcze oscyloskopu) jednak spełnia swoją rolę i działa płynnie.
W celach eksperymentu wymieniłem LM358 na TL072, ta sama obudowa DIP8, to samo rozmieszczenie wyjść/wejść.
I teraz co się dzieje po zamontowaniu TL072:
- na wyjściu TL072 (bramka mosfeta) pojawia się napięcie 14,35V, na wejściu nieodwracającym pojawia się 5mV (mimo że dzielnik ustawiony na 0V)
- ponieważ bramka tranzystora ma potencjał 14,35V, prąd dren/źródło osiąga wartość ok 2A a tym samym na wejściu odwracającym pojawia się spadek napięcia z R5 wynoszący ok 1V.
Proszę o odpowiedź na nurtujące mnie pytania:
1. Dlaczego mimo większego potencjału na wejściu odwracającym, wyjście dąży do Vmaks zasilania ?
2. Czy ma na to wpływ brak symetrycznego zasilania ? Bramki JFET na wejściu ? W notach obu układów można doczytać że mogą być zasilane single (rozumiem jako niesymetrycznie) i dual (symetrycznie). Proszę o poprawkę jeśli się mylę. Choć w nocie LM358 jest wzmianka że jest dedykowany do pracy niesymetrycznej.
Najważniejsze pytanie z mojego punktu widzenia: (po to ta cała rozprawka)
3. Po jakich parametrach z noty aplikacyjnej wywnioskować do jakiego rodzaju zasilania nadaje się bardziej lub mniej dany wzmacniacz operacyjny ?
Linki do not
LM358AN - http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm358.pdf
TL072ACP - http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tl072.pdf
Zbudowałem banalnie prosty układ według załączonego schematu. Wzmacniacz operacyjny ma za zadanie utrzymać zadany po przez dzielnik rezystorowy, spadek napięcia na rezystorze R5, po przez sterowanie bramką tranzystora Mosfet.
Układ działa bezproblemowo (co nie jest w sumie takie pewne ponieważ nie posiadam jeszcze oscyloskopu) jednak spełnia swoją rolę i działa płynnie.
W celach eksperymentu wymieniłem LM358 na TL072, ta sama obudowa DIP8, to samo rozmieszczenie wyjść/wejść.
I teraz co się dzieje po zamontowaniu TL072:
- na wyjściu TL072 (bramka mosfeta) pojawia się napięcie 14,35V, na wejściu nieodwracającym pojawia się 5mV (mimo że dzielnik ustawiony na 0V)
- ponieważ bramka tranzystora ma potencjał 14,35V, prąd dren/źródło osiąga wartość ok 2A a tym samym na wejściu odwracającym pojawia się spadek napięcia z R5 wynoszący ok 1V.
Proszę o odpowiedź na nurtujące mnie pytania:
1. Dlaczego mimo większego potencjału na wejściu odwracającym, wyjście dąży do Vmaks zasilania ?
2. Czy ma na to wpływ brak symetrycznego zasilania ? Bramki JFET na wejściu ? W notach obu układów można doczytać że mogą być zasilane single (rozumiem jako niesymetrycznie) i dual (symetrycznie). Proszę o poprawkę jeśli się mylę. Choć w nocie LM358 jest wzmianka że jest dedykowany do pracy niesymetrycznej.
Najważniejsze pytanie z mojego punktu widzenia: (po to ta cała rozprawka)
3. Po jakich parametrach z noty aplikacyjnej wywnioskować do jakiego rodzaju zasilania nadaje się bardziej lub mniej dany wzmacniacz operacyjny ?
Linki do not
LM358AN - http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm358.pdf
TL072ACP - http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tl072.pdf