Potrzebuję układu o mniej więcej takim schemacie zastępczym:
Jeden z górnych tranzystorów otwiera się razem z dolnym, następuje przepływ prądu i rozładowanie pojemności. Sęk w tym, że układ jest zasilany np. z 300 V, więc zamiast zwykłych tranzystorów muszę użyć IGBT lub MOSFET. A w takich występuje dioda zabezpieczająca bramkę. Więc jeśli pojemność tego górnego zamkniętego będzie rozładowana, to nastąpi ładowanie jej przez ową diodę zabezpieczającą poprzez drugi górny tranzystor, który się właśnie otworzy. Ba, dolny tranzystor z powodu rozstrzału parametrów może się otwierać później niż górny.
1. Zastanawiam się, jak to obejść, dać jakieś diody wysokoprądowe wymuszając przepływ?
2. Tranzystory IGBT nie występują w praktyce z bramką P? Więc to chyba w ogóle nie ma prawa działać na IGBT, a jedynie na MOSFET. Tyrystor jest za wolny do tego zastosowania.
Jeden z górnych tranzystorów otwiera się razem z dolnym, następuje przepływ prądu i rozładowanie pojemności. Sęk w tym, że układ jest zasilany np. z 300 V, więc zamiast zwykłych tranzystorów muszę użyć IGBT lub MOSFET. A w takich występuje dioda zabezpieczająca bramkę. Więc jeśli pojemność tego górnego zamkniętego będzie rozładowana, to nastąpi ładowanie jej przez ową diodę zabezpieczającą poprzez drugi górny tranzystor, który się właśnie otworzy. Ba, dolny tranzystor z powodu rozstrzału parametrów może się otwierać później niż górny.
1. Zastanawiam się, jak to obejść, dać jakieś diody wysokoprądowe wymuszając przepływ?
2. Tranzystory IGBT nie występują w praktyce z bramką P? Więc to chyba w ogóle nie ma prawa działać na IGBT, a jedynie na MOSFET. Tyrystor jest za wolny do tego zastosowania.
