Witam !
Zgadzam się z kolegą rusala, elementy R3C3, zmniejszają sprawność układu. Daje je się je po to, aby zapobiec przebiciu izolacji MOSa bramka-dren Ugd. IRF510 ma Ugd=100V, i jeżeli z ujemną szpilką nie ma problemu, bo tranzystor ma w sobie diodę impulsową, która ją zwiera, to dodatnią szpilkę, nie ma kto wygasić. Jeżeli trafo byłoby nie obciążone, to wówczas indukcyjność oraz ilość zwoi, potrafi wytworzyć bez problemu nie mniej niż 100V-owe szpilki. A to napięcie samoindukcji bez problemu przebije izolację IRFa. Lepszym rozwiązaniem (uniwersalnym dla f) jest zamiana C na D, tylko że to musi być dioda impulsowa mocy.
Można zrobić układ regulacji wypełnienia - nawet w tym układzie który przedstawiłem - ale nie ma sensu, albowiem są scalaki, które są do tego specjalnie stworzone, potrafią wysterować bipolarne jak i unipolarne tranzystory. Stosuje się je wyłącznie w przetwornicach, ze stabilizacją U wyjściowego. Nawet jeżeli stabilizacja nie jest potrzebna, to na pewno przyda się zabezpieczenie przed przeciążeniem trafa.
A tutaj kolego rusala się mylisz, napisałeś ;Jak wiadomo aby uzyskac jak najdluzsza iskre trzeba miec jak najwieksza energie a to oznacza ze w im krotszym czasie wpakujemy napiecie w uzwojenie wtorne tym lepszy efekt.
Nie - rdzeń musisz doprowadzić do stanu nasycenia - inaczej mówiąc, musisz wpakować max. energji do rdzenia, aby później ją odzyskać.
Stabilizacja U wyjściowego, polega właśnie na czasie nasycania rdzenia. Im krócej mu wpakujesz energię, tym on mniej zmagazynuje, i mniej ci odda. Każdy metal ma własne właściwości elektromagnetyczne. Każdy rdzeń trafa jest mieszaniną różnych metali, dlatego do konkretnego układu, stosuje się rdzeń o konkretnych (ściśle określonych) parametrach. Właśnie dla tego mówi się o częstotliwości rdzenia. Musi mieć czas, aby zdążyć ją zmagazynować.
To są wyłącznie moje spostrzeżenia teoretyczne, lecz - poparte praktyką. Trochę się bawiłem WN. Panowie DJ MHz, oraz rusala, dalej nie wiem co to "marx"
Pozdrawiam.