Mam taki problem z logicznym zrozumieniem działania bramki NAND...może nie mam tyle godzin w technikum co elektronicy bo jestem na teleinformatyce i babka tylko 1 lekcje na to poswieciła i byle jak wytłumaczyla wiec możę coś wy mi w głowie rozjaśnicie...po pierwsze to nie czaje jak może byc bramka niby z tran. wieloemiterowym i prądy pokazane są żę wypływają z bramki to co sygnały sa chyba wprowadzane...no dalej jeśli ten stopień wejsciowy jest tran. NPN to jak może dalej byc przepływ prądu przez kolektor do następnego stopnia tran. inwertera i ostatni stopień wyjściowy jest złożony z 2 tran. zrobionych w układzie przeciwosobnym to niby jak ten dolny przewodzi to jest na bramce na wyjściu stan niski no z tym bym sie zgodzil jakby nie fakt ze ten tranzystor musi byc w stanie nasycenia a jak jest w nim to 2 złącza sa przewodzące wiec wyjscie powinno przewodzic tak i tak bo złącze BC jest przewodzące...
...nie wiem czy tylko mi to trudno zrozumiec... ale elektronike w miare zrozumiałem do diód puzniej jak weszły tranzystory to porażka bo niby tu mi tłumaczą ze prąd czyli elektrony płynie do kolektora z emitera a puźniej piszą że prad Emitera=Ib+Ic wiec sami niby siebie przeczą...
jak możecie wytłumaczcie mi to konkretnie i logicznie....z góry dzięki...
...nie wiem czy tylko mi to trudno zrozumiec... ale elektronike w miare zrozumiałem do diód puzniej jak weszły tranzystory to porażka bo niby tu mi tłumaczą ze prąd czyli elektrony płynie do kolektora z emitera a puźniej piszą że prad Emitera=Ib+Ic wiec sami niby siebie przeczą...
jak możecie wytłumaczcie mi to konkretnie i logicznie....z góry dzięki...