Witam.
Jak zapewnie nie muszę wyjaśniać szanownym forumiarzom, w układach komplementarnych (przeciwsobnych) ideałem jest znalezienie takiej pary tranzystorów, które pomimo różnych typów NPN/PNP mają zbliżone charakterystyki.
Są dwa aspekty dobierania tranzystorów (w klasycznym wzmacniaczu mocy m.cz. w klasie AB) które mnie nurtują:
- zminimalizowanie różnic stałoprądowych (DC-offset) we wzmacniaczu różnicowym,
- zminimalizowanie zniekształceń nieliniowych (idealne charakterystyki tranzystorów)
I tu zaczynają się moje zapytania:
1. Sposób pomiaru.
Oto schemat pomiarowy którym badałem tranzystory:
http://users.ece.gatech.edu/~mleach/lowtim/part2.html
przebadałem różnego rodzaju tranzystory (trochę na wyrost, bo chodziło mi tylko o tranzystory małosygnałowe MPS8099/MPS8599).
MJ15003/MJ15004 po 20 sztuk
MPS8099/MPS8599 po 20 sztuk
MJE15030/MJE15031 po 20 sztuk
MJ15003/MJ15004 po 20 sztuk.
Chymmm wyniki nie były zadowalające
tranzystory NPN miały zawsze większe prądy bazy (przy tranzystorach mocy nawet o 100% niż PNP, przy małomocowych różnice były mniejsze ). Odchyłki wartości Ib0 tranzystorów jednego typu (np. NPN) trzymały się w granicach ~20% (trochę strzelam, bo nie policzyłem). Tak więc nie znalazłem pary NPN/PNP, która miałaby zbliżone wyniki.
Czy ktoś parował tranzystory w ten sposób?. Dodam tylko, że tranzystory pochodzą z tej samej serii (tzn. 20 tranzystorów z jednej taśmy produkcyjnej).
2. Wpływ niedopasowania tranzystorów
Co ja tak naprawdę mierzyłem? Prawdopodobnie zerowe prądy bazy (trochę strzelam z tym terminem, ale chyba to tak się nazywa) przy
wzmacniaczu różnicowym, w stopniu wejściowym wzmacniacza, pozwalają zminimalizować offset napięcia stałoprądowego.
Nie wiem jednak czy taki pomiar daje jakieś przesłanki, co do prawidłowego sparowania tranzystorów w końcówce mocy (autor schematu pomiarowego mierzy nim tylko małosygnałowe tranzystory wzmacniacza różnicowego). DC offset to jeden aspekt, jeżeli go zminimalizujemy to tak jakbyśmy "nałożyli na siebie" charakterystyki obu tranzystorów. Czy mogę założyć, że charakterystyki tranzystorów tego samego typu o zbliżonej becie (h21e) (wzmocnieniu prądowym) są zbliżone, czy jednak praktyka wykazuje że nie jest tak różowo.
3.Jakie dobieracie tranzystory w pary komplementarne? Jeżeli zostaje tylko ściągnięcie charakterystki stałoprądowej, to której {np. IC=f(UCE) IB=const , czy bardziej Ic=f(Ibe) Uce=const czy jeszcze innej?} i w jakim zakresie (pomiary pod wzmacniacz klasy AB).
Czasami proste sprawy, wydają się mieć drugie dno
Pozdrawiam.
Jak zapewnie nie muszę wyjaśniać szanownym forumiarzom, w układach komplementarnych (przeciwsobnych) ideałem jest znalezienie takiej pary tranzystorów, które pomimo różnych typów NPN/PNP mają zbliżone charakterystyki.
Są dwa aspekty dobierania tranzystorów (w klasycznym wzmacniaczu mocy m.cz. w klasie AB) które mnie nurtują:
- zminimalizowanie różnic stałoprądowych (DC-offset) we wzmacniaczu różnicowym,
- zminimalizowanie zniekształceń nieliniowych (idealne charakterystyki tranzystorów)
I tu zaczynają się moje zapytania:
1. Sposób pomiaru.
Oto schemat pomiarowy którym badałem tranzystory:
http://users.ece.gatech.edu/~mleach/lowtim/part2.html
przebadałem różnego rodzaju tranzystory (trochę na wyrost, bo chodziło mi tylko o tranzystory małosygnałowe MPS8099/MPS8599).
MJ15003/MJ15004 po 20 sztuk
MPS8099/MPS8599 po 20 sztuk
MJE15030/MJE15031 po 20 sztuk
MJ15003/MJ15004 po 20 sztuk.
Chymmm wyniki nie były zadowalające
tranzystory NPN miały zawsze większe prądy bazy (przy tranzystorach mocy nawet o 100% niż PNP, przy małomocowych różnice były mniejsze ). Odchyłki wartości Ib0 tranzystorów jednego typu (np. NPN) trzymały się w granicach ~20% (trochę strzelam, bo nie policzyłem). Tak więc nie znalazłem pary NPN/PNP, która miałaby zbliżone wyniki.
Czy ktoś parował tranzystory w ten sposób?. Dodam tylko, że tranzystory pochodzą z tej samej serii (tzn. 20 tranzystorów z jednej taśmy produkcyjnej).
2. Wpływ niedopasowania tranzystorów
Co ja tak naprawdę mierzyłem? Prawdopodobnie zerowe prądy bazy (trochę strzelam z tym terminem, ale chyba to tak się nazywa) przy
wzmacniaczu różnicowym, w stopniu wejściowym wzmacniacza, pozwalają zminimalizować offset napięcia stałoprądowego.
Nie wiem jednak czy taki pomiar daje jakieś przesłanki, co do prawidłowego sparowania tranzystorów w końcówce mocy (autor schematu pomiarowego mierzy nim tylko małosygnałowe tranzystory wzmacniacza różnicowego). DC offset to jeden aspekt, jeżeli go zminimalizujemy to tak jakbyśmy "nałożyli na siebie" charakterystyki obu tranzystorów. Czy mogę założyć, że charakterystyki tranzystorów tego samego typu o zbliżonej becie (h21e) (wzmocnieniu prądowym) są zbliżone, czy jednak praktyka wykazuje że nie jest tak różowo.
3.Jakie dobieracie tranzystory w pary komplementarne? Jeżeli zostaje tylko ściągnięcie charakterystki stałoprądowej, to której {np. IC=f(UCE) IB=const , czy bardziej Ic=f(Ibe) Uce=const czy jeszcze innej?} i w jakim zakresie (pomiary pod wzmacniacz klasy AB).
Czasami proste sprawy, wydają się mieć drugie dno
Pozdrawiam.
